【導讀】隨著業界在大電流電機控製應用中用固態開關取代機械繼電器，FLEXMOS™產品組合中的智能門極驅動器可與外部MOSFET配對使用。安森美(onsemi)deyuqudongqifanganfunengkekuozhandeshejilinghuoxing，yimanzubutongdefuzaiyaoqiu，kejiangdianjiqudongyingyongcongyigedianjikuozhandaoduodaqige

，shizhexiechanpinchengweiguangfandeqichecheshendianziyingyongdelixiangxuanze。

預驅動IC的主要功能如下：

1.微控製器(uC)和外部功率MOSFET輸出級之間的接口。預驅動器IC在微控製器低壓域(通常小於5.5伏)和汽車電池連接係統上的最大40伏之間提供隔離。

2.為高邊級提供門極過驅動，以能使用N溝道 MOSFET。

3.監控和保護外部MOSFET和連接的負載，提高係統的魯棒性和診斷能力。

4.為導通和關斷曲線提供特定的交流特性，以最小化開關應用的電磁輻射和損失能效。

需要雙向電機旋轉的應用使用外部MOSFET H橋配置——集成H橋以簡化操作。相比之下
，對熱管理和負載電流要求更高的應用使用預驅動器和外部MOSFET方(fang)案(an)。由(you)於(yu)通(tong)道(dao)數(shu)越(yue)多(duo)，預(yu)驅(qu)動(dong)器(qi)的(de)功(gong)耗(hao)就(jiu)越(yue)容(rong)易(yi)管(guan)理(li)，因(yin)此(ci)隨(sui)著(zhe)係(xi)統(tong)中(zhong)大(da)電(dian)流(liu)電(dian)機(ji)數(shu)量(liang)的(de)增(zeng)加(jia)

，全(quan)局(ju)係(xi)統(tong)響(xiang)應(ying)會(hui)顯(xian)著(zhu)提(ti)高(gao)。單(dan)個(ge)門(men)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)IC如NCV754x可監控所有半橋節點和連接的負載，並防止由於故障情況導致的電機意外運動。

H橋架構讓工程師能引導電機中的電流流動，如圖1所示。電流的方向決定了電機的旋轉方向。

圖 1：H 橋電機控製

liujingdianjidedianliuliangyudianjisuduhekeyongniujuzhijiexiangguan。ruguodianjizhongdedianliuzengjia，nameruguowaibufuzaideniujuyaoqiubaochibubian
，dianjidesudujiuhuizengjia。huozhe，zengjiadedianliukeweizhongzaizhuanhuaweigenggaodeniuju，tongshibaochihengdingdesudu。

安森美的FLEXMOS預驅動器含可編程電流源和校準技術，讓係統設計人員從我們在專用標準產品(ASSP)市場提供的廣泛的N溝道MOSFET產品組合中進行選擇。MOSFET產品推薦工具可用於為合適的應用選擇合適的MOSFET。

預驅動器拓撲提供更快的設計周期，以滿足基於不同汽車OEM規格、調節水平和模型類型而不斷變化的係統要求。

圖2：NCV754x應用圖

較短的設計周期是可實現的，因為係統設計人員能針對不同負載調整MOS功率級，同時保持其餘硬件組件不變。在保持整體軟件流程的情況下，需要對軟件進行少量的修改，以微調對新MOSFET的控製。從圖3 中可看出，在從同一產品係列中選擇預驅動器方案時，軟件開發的IP重用更為明顯。

圖3：NCV754x寄存器彙總

係統設計人員采用多種預驅動器選項可優化成本
，通過不同的通道組合實現OEM規範中要求的電機執行器數量。由於預驅動器的靈活性，各種終端應用都可使用這些器件，包括：

●    座椅控製模塊

●    門鎖和門閂

●    升降門執行器

●    天窗或天窗執行器

●    車窗升降器

半橋驅動器塊具有多個可編程的上拉和下拉電流源，用於為外部MOSFET的門極充電。圖4顯示了配置有外部MOSFET和電機負載的半橋預驅動器的簡化視圖。

圖4：簡化的半橋預驅動器
，控製外部MOSFET和電機負載

上圖中橙色突出顯示的可編程電流源實現了先進的壓擺率控製。為了更快的導通，可分階段增加HS1的上拉電流源，以更快地給門極充電
，從而為電機負載提供可預測的開關行為。精確的壓擺率控製的顯著好處是賦能更高的脈寬調製(PWM)頻率，具有更嚴格的最小和最大占空比
，並管理功率損耗和減少電磁輻射。

對於電機控製應用，非常希望PWM高於20 kHz，yigaoyuketingpinlvfanwei。zhankongbizuixiaozhihezuidazhidegenghaoxingnengweijuyoubutongniujuyaoqiudedianjifuzaitigonglexianjindesudukongzhi。liru，duiyuzhongzaihuodianjiqidongtiaojian
，xuyaogenggaodeniujulaibaochisuduhengding。xitongshejirenyuanbixuzengjiazhankongbilaizengjiadianjidedianliu
，yidadaogenggaodeniuju。yinci，xiwangyijiejin100%值的占空比工作。

由於高電流和高漏源電壓(VDS)工作點，當通道開始導通時，MOSFET的功率損耗最大。通常情況下，最好能從MOSFET的高VDS狀態快速過渡到全增強VDS階段。因此，在要求高的負載的PWM周期中
，最小化開關損耗。開關過快會導致擊穿事件，從而導致模塊退化或係統產生不良電磁輻射。

門極驅動級的可選電流源讓係統設計人員根據設計驗證期間的熱或排放需求、生產階段的生產線末端校準，甚至在終端產品的生命周期內進行軟件更新時
，修改開關配置文件。

除了MOSFET控製外

，FLEXMOS半橋預驅動器通過監測有源MOSFET的VDS

，監測並保護外部MOSFET和連接的負載
，以防發生短路。圖5顯示了一個輸出波形和各種故障條件的例子。

選定的FLEXMOS預驅動器在兩個獨立的部分提供VDS監測方案：動態VDS保護和靜態VDS保護。動態VDS保護對開關階段進行監控，而靜態VDS保護則在MOSFET完全導通時工作。對於在工廠生產線上編程的已知電壓與時間的開關曲線，所選的FLEXMOS半橋器件可監測輸出電壓(VHB)的進展
，並確定是否存在故障情況。

圖5：半橋輸出開關曲線和VDS保護

有關可編程電流設置、PWM工作和器件保護功能的深入信息，參考我們的應用注釋——使用NCV7544、NCV7546和NCV7547半橋預驅動器(AND90124/D)的MOSFET門極驅動要求和初始參數設置方案以及參考工具。請通過安森美銷售團隊申請評估工具，以便進行快速的工作台評估。

來源：安森美
，原創 Nixon Mathew  

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