通過驅動器源極引腳將開關損耗降低約35%
發布時間:2020-05-14 責任編輯:wenwei
【導讀】ROHM最近推出了SiC MOSFET的新係列產品“SCT3xxx xR係列”。SCT3xxx xR係列采用最新的溝槽柵極結構,進一步降低了導通電阻;同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝,改善了開關特性,使開關損耗可以降低35%左右。此次,針對SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題,我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。
-接下來,請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先,能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明?
Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。它與以往驅動電路(Figure 2)之間的區別隻在於驅動電路的返回線是連接到驅動器源極引腳這點。請看與您之前看到的Figure 2之間的比較。

從電路圖中可以一目了然地看出,包括VG在內的驅動電路中不包含LSOURCE,因此完全不受開關工作時的ID變化帶來的VLSOURCE的影響。
如果用公式來表示施加到內部芯片的電壓VGS_INT的話,就是公式(2)。當然,計算公式中沒有3引腳封裝的公式(1)中存在的LSOURCE相關的項。所以,4引腳封裝MOSFET的VGS_INT僅受RG_EXT和IG引起的電壓降VRG_EXT的影響,而且由於RG_EXT是外置電阻,因此也可調。下麵同時列出公式(1)用以比較。

-能給我們看一下比較數據嗎?
這裏有雙脈衝測試的比較數據。這是為了將以往產品和具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET的開關工作進行比較,而在Figure 5所示的電路條件下使Low Side(LS)的MOSFET開關的雙脈衝測試結果。High Side(HS)是將RG_EXT連接於源極引腳或驅動器源極引腳,並僅使用體二極管換流工作的電路。

Figure 6是導通時的漏極-源極間電壓VDS和漏極電流ID的波形。這是驅動條件為RG_EXT=10Ω、VDS=800V,ID約為50A時的波形。

紅色曲線的TO-247-4L為4引腳封裝,藍色的TO-247N為以往的3引腳封裝,其中的SiC MOSFET芯片是相同的。
我們先來比較一下虛線ID的波形。與藍色的3引腳封裝品的波形相比,紅色的4引腳封裝的ID上升更快,達到50A所需的時間當然也就更短。
雖然VDS的下降時間本身並沒有很大的差別,但柵極信號輸入後的開關速度明顯變快。
-就像您前麵說明的,區別隻在於4引腳封裝通過設置驅動器源極引腳,消除了LSOURCE的影響,因此它們的開關特性區別隻在於LSOURCE的有無所帶來的影響?可不可以這樣理解?
基本上是這樣。當然,也有一些應該詳細查考的事項,但如果從柵極驅動電路中消除了LSOURCE的影響,則根據Figure 4中說明的原理,開關速度將變快。關於關斷,雖然不像導通那樣區別顯著,但速度同樣也會變快。
-這就意味著開關損耗得到了大幅改善。
這裏有導通和關斷相關的開關損耗比較數據。

在導通數據中,原本2,742µJ的開關損耗變為1,690µJ,損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2,039µJ降至1,462µJ,損耗減少了約30%。
-明白了。最後請你總結一下,謝謝。
SiC MOSFET具有超低導通電阻和高速開關的特點,還具有可進一步縮小電路規模、提高相同尺寸的功率、以及因降低損耗而提高效率並減少發熱量等諸多優點。
另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian),關(guan)於(yu)在(zai)大(da)功(gong)率(lv)開(kai)關(guan)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)功(gong)率(lv)元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)安(an)裝(zhuang),由(you)於(yu)必(bi)須(xu)考(kao)慮(lv)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)等(deng)寄(ji)生(sheng)分(fen)量(liang)的(de)影(ying)響(xiang),如(ru)果(guo)開(kai)關(guan)電(dian)流(liu)速(su)度(du)明(ming)顯(xian)提(ti)高(gao),那(na)麼(me)其(qi)影(ying)響(xiang)也(ye)會(hui)更(geng)大(da)。這(zhe)不(bu)僅(jin)僅(jin)是(shi)實(shi)裝(zhuang)電(dian)路(lu)板(ban)級(ji)別(bie)的(de)問(wen)題(ti),同(tong)時(shi)也(ye)是(shi)元(yuan)器(qi)件(jian)封(feng)裝(zhuang)級(ji)別(bie)的(de)課(ke)題(ti)。
此次之所以在最新一代SiC MOSFET中采用4引腳封裝,也是基於這樣的背景,旨在在使用了SiC功率元器件的應用中,進一步降低損耗。
這裏有一個注意事項,或者說是為了有效使用4引腳封裝產品而需要探討的事項。前麵提到了通過消除封裝電感LSOURCEdeyingxiangketigaokaiguansudubingdadagaishankaiguansunhao。zhesuiranshishishi,dankaolvdaowendingxinghezhenggedianlugongzuoshi,bansuizhekaiguansududetigao,yechanshengleyixiexuyaotantaodewenti。jiuxiang“權衡(Trade-off)”一詞所表達的,電路的優先事項一定需要用最大公約數來實現優化。
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