借鑒下NXP的這個TEA1832圖紙做個說明。分析裏麵的電路參數設計與優化並做到認證至量產。 在所有的元器件中盡量選擇公司倉庫裏麵的元件，和量大的元件
，方便後續降成本拿價格。

 

貼片電阻采用0603的5%，0805的5%，1%，貼片電容容值越大價格越高，設計時需考慮。

 

1、輸入端，FUSE選擇需要考慮到I^2T參數。保險絲的分類，快斷

，慢斷，電流
，電壓值，保險絲的認證是否齊全。保險絲前的安規距離2.5mm以上。設計時盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時
，保險絲I2T是否有餘量，會不會打掛掉。

 

2、這個圖中可以增加個壓敏電阻，一般采用14D471,也有采用561的，直徑越大抗浪湧電流越大，也有增強版的10S471,14S471等，一般14D471打1KV,2KV雷擊夠用了
，增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT了。有必要時，壓敏電阻外麵包個熱縮套管。

 

3
、NTC，這個圖中可以增加個NTC,有的客戶有限製冷啟動浪湧電流不超過60A,30A，NTC的另一個目的還可以在雷擊時扛部分電壓
，減下MOSFET的壓力。選型時注意NTC的電壓，電流，溫度等參數。

 

4、共模電感
，傳導與輻射很重要的一個濾波元件，共模電感有環形的高導材料5K,7K,0K,12K,15K
，常用繞法有分槽繞，並繞，蝶形繞法等
，還有UU型，分4個槽的ET型。這個如果能共用老機種的最好，成本考慮，傳導輻射測試完成後才能定型。

 

5

、X電容的選擇，這個需要與共模電感配合測試傳導與輻射才能定容值
，一般情況為功率越大X電容越大。

 

6、如果做認證時有輸入L,N的放電時間要求
，需要在X電容下放2並2串的電阻給電容放電。

 

7
、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪湧電流
，耐壓和散熱，防止雷擊時掛掉。

 

8、VCC的啟動電阻
，注意啟動電阻的功耗，主要是耐壓值

，1206的一般耐壓200V,0805一般耐壓150V
，能多留餘量比較好。

 

9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80%容(rong)值(zhi)設(she)計(ji)，不(bu)同(tong)廠(chang)家(jia)和(he)不(bu)同(tong)的(de)設(she)計(ji)經(jing)驗(yan)有(you)點(dian)出(chu)入(ru)，有(you)一(yi)點(dian)要(yao)注(zhu)意(yi)普(pu)通(tong)的(de)電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)和(he)扛(kang)雷(lei)擊(ji)的(de)電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)
，電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)的(de)紋(wen)波(bo)電(dian)流(liu)關(guan)係(xi)到(dao)電(dian)容(rong)壽(shou)命(ming)，這(zhe)個(ge)看(kan)品(pin)牌(pai)和(he)具(ju)體(ti)的(de)係(xi)列(lie)了(le)。

 

10、輸入電解電容上有並聯一個小瓷片電容
，這個平時體現不出來用處，在做傳導抗擾度時有效果。

 

11
、RCD吸收部分，R的取值對應MOSFET上的尖峰電壓值

，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102/103   1KV的高壓瓷片
，整改輻射時也有可能會改為薄膜電容效果好。D一般用FR107,FR207，整改輻射時也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A,K5C等材質）。小功率電源
，RC可以采用TVS管替代
，如P6KE160等。

 

12、MOSFET的選擇，起機和短路情況需要注意SOA。高溫時的電流降額，低溫時的電壓降額。一般600V 2-12A足夠用與100W以內的反激

，根據成本來權衡選型。整改輻射時很多方法沒有效果的時候，換個MOSFET就過了的情況經常有。

 

13、MOSFET的驅動電阻一般采用10R+20R，阻值大小對應開關速度，效率，溫升。這個參數需要整改輻射時調整。

 

14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個10K-100K的電阻放電。

15
、MOSFET的SOURCE到GND之間有個Isense電阻，功率盡量選大
，盡量采用繞線無感電阻。功率小
，或者有感電阻短路時有遇到過炸機現象。

 

16
、Isense電阻到IC的Isense增加1個RC


，取值1K,331
，調試時可能有作用
，如果采用這個TEA1832電路為參考，增加一個C並聯到GND。

 

17
、不同的IC外圍引腳參考設計手冊即可，根據自己的經驗在IC引腳處放濾波電容。

 

18
、更改前：變bian壓ya器qi的de設she計ji

，反fan激ji變bian壓ya器qi設she計ji論lun壇tan裏li麵mian討tao論lun很hen多duo，不bu多duo說shuo。還hai是shi考kao慮lv成cheng本ben，盡jin量liang不bu在zai變bian壓ya器qi裏li麵mian加jia屏ping蔽bi層ceng

，頂ding多duo在zai變bian壓ya器qi外wai麵mian加jia個ge十shi字zi屏ping蔽bi。變bian壓ya器qi一yi定ding要yao驗yan算suandelta  B值
，delta  B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級砸數（T）,Ae（mm2）有興趣驗證這個公式可以在最低電壓輸入

，輸出負載不斷增加
，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線並繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況
，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。

 

19
、更改後：變bian壓ya器qi的de設she計ji，反fan激ji變bian壓ya器qi設she計ji論lun壇tan裏li麵mian討tao論lun很hen多duo，不bu多duo說shuo。還hai是shi考kao慮lv成cheng本ben，盡jin量liang不bu在zai變bian壓ya器qi裏li麵mian加jia屏ping蔽bi層ceng，頂ding多duo在zai變bian壓ya器qi外wai麵mian加jia個ge十shi字zi屏ping蔽bi。變bian壓ya器qi一yi定ding要yao驗yan算suandelta  B值
，防止高溫時磁芯飽和。delta  B=L*Ipk/（N*Ae）
，L(uH),Ipk（A),N為初級砸數（T）,Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT
，所以ΔB值一般取330mT以內，出現異常情況不飽和，一般取值小於300mT以內。我之前做反激變壓器取值都是小於0.3的）附，學習zhangyiping的經驗（所以一般的磁通密度選擇1500高斯
，變壓器小的可以選大一些
，變壓器大的要選小一些
，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）

 

變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線並繞
，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。

 

附注：有興趣驗證這個公式的話，可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右（25℃時，飽和磁通密度510mT）。

 

借鑒TDG的磁芯基本特征圖。

 

20、輸出二極管效率要求高時
，可以采用超低壓降的肖特基二極管

，成本要求高時可以用超快恢複二極管。

 

21、輸出二極管並聯的RC用於抑製電壓尖峰，同時也對輻射有抑製。

 

22
、光耦與431的配合


，光耦的二極管兩端可以增加一個1K-3K左右的電阻，Vout串聯到光耦的電阻取值一般在100歐姆-1K之間。431上的C與RC用於調整環路穩定
，動態響應等。

 

23、Vout的檢測電阻需要有1mA左右的電流
，電流太小輸出誤差大，電流太大，影響待機功耗。

 

24、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等於輸出電流，在選擇電容時紋波電流放大1.2倍以上考慮。  24
、2個ge輸shu出chu電dian容rong之zhi間jian可ke以yi增zeng加jia一yi個ge小xiao電dian感gan，有you助zhu於yu抑yi製zhi輻fu射she幹gan擾rao，有you了le小xiao電dian感gan後hou，第di一yi個ge輸shu出chu電dian容rong的de紋wen波bo電dian流liu就jiu會hui比bi第di二er個ge輸shu出chu電dian容rong的de紋wen波bo電dian流liu大da很hen多duo，所suo以yi很hen多duo電dian路lu裏li麵mian第di一yi個ge電dian容rong容rong量liang大da，第di二er個ge電dian容rong容rong量liang較jiao小xiao。

 

25、輸出Vout端可以增加一個共模電感與104電容並聯，有助於傳導與輻射，還能降低紋波峰峰值。

 

26、需要做恒流的情況可以采用專業芯片
，AP4310或者TSM103等類似芯片做，用431+358都行，注意VCC的電壓範圍，環路調節也差不多。

 

27

、有多路輸出負載情況的話，電源的主反饋電路一定要有固定輸出，或者假負載，否則會因為耦合，burst模式等問題導致其他路輸出電壓不穩定。28、初級次級的大地之間有接個Y電容
，一般容量小於或等於222

，則漏電流小於0.25mA

，不同的產品認證對漏電流是有要求的，需注意。

 

算下來這麼多，電子元器件基本能定型了，整個初略的BOM可以評審並參考報價了。BOM中元器件可以多放幾個品牌方便核成本。如客戶有特殊要求，可以在電路裏麵增加功能電路實現。如不能實現，尋找新的IC來完成
，相等功率和頻率下，IC的更改對外圍器件影響不大。如客戶溫度範圍的要求比較高，對應元器件的選項需要參考元器件使用溫度和降額使用。

 

二、電源PCB設計階段應注意的細節

 

1、PCB對應的SCH網絡要對應，方便後續更新
，花不了多少時間的。

 

2、PCB的元器件封裝，標準庫裏麵的按實際情況需要更改，貼片元件焊盤加大
；插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm，焊盤直徑大於孔0.8mm以上，焊盤大些方便焊接，元器件過波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來也不容易破孔。還有很多細節的東西多了解些對生產是很大的功勞啊。

 

3、安規的要求在PCB上的體現，保險絲的安規輸入到輸出距離3mm以上，保險絲帶型號需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規要求
，對應需要做的認證與供應商溝通能否滿足要求。相應的認證編號需印到PCB上。初級到次級的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的
，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級與次級，用擋牆或者次級用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。

 

4、橋堆前L,N走線距離2.5mm以上
，橋堆後高壓+，-距離2.5mm以上。走線為大電流回路先走
，麵積越小越好。信號線遠離大電流走線，避免幹擾
，IC信號檢測部分的濾波電容靠近IC，信號地與功率地分開走
，星形接地
，或者單點接地，最後彙總到大電容的“-”引腳
，避免調試時信號受幹擾，或者抗擾度出狀況。

 

5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列
，方便過波峰焊上錫，提高產線效率
，避免陰影效應
，連錫，虛焊等問題出現。

 

6
、打AI的元器件需要根據相應的規則放置元器件
，之前看過一個日本的PCB，焊盤做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤上，漂亮。

 

7、PCB上的走線對輻射影響比較大，可以參考相關書籍。還有1種情況
，PCB當單麵板布線
，弄完後，在頂層敷整塊銅皮接大電容地
，抑製傳導和輻射很有效果。

 

8

、布線時，還需要考慮雷擊，ESD時或其他幹擾的電流路徑
，會不會影響IC。

 

三、電源調試階段應注意的細節

 

1
、萬用表先測試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒有短路
，有沒有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測試
，變壓器同名端有沒有繞錯。

 

2、開始上電，我的習慣是先上100V的低壓
，PWM沒有輸出。用示波器看VCC，PWM腳


，VCC上升到啟動電壓，PWM沒有輸出。檢查各引腳的保護功能是否被觸發，或者參數不對。找不到問題，查看IC的上電時序圖

，或者IC的datasheet裏麵IC啟動的條件。示波器使用時需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛波形，要不怎麼炸機的都不知道。用2個以上的探頭時，2根探頭的COM端接同1個點
，避免影響電路，或者夾錯位置燒東西。

 

3

、IC啟動問題解決了，PWM有輸出，發現啟動時變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形
，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況
，VCC繞組與主繞組繞錯位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問題，甚至還碰到過TVS壞了短路的情況。

 

4、輸shu出chu有you了le，但dan是shi輸shu出chu電dian壓ya不bu對dui
，或huo者zhe高gao了le，或huo者zhe低di了le。這zhe個ge需xu要yao判pan斷duan是shi初chu級ji到dao問wen題ti
，還hai是shi次ci級ji的de問wen題ti。掛gua輸shu出chu二er極ji管guan電dian壓ya電dian流liu波bo形xing，是shi否fou是shi正zheng常chang的de反fan激ji波bo形xing，波bo形xing不bu對dui
，估gu計ji就jiu是shi同tong名ming端duan反fan了le。檢jian查zha光guang耦ou是shi否fou損sun壞huai，光guang耦ou正zheng常chang
，采cai用yong穩wen壓ya管guan+1K電阻替換431的位置
，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流
，或者過載保護等保護的動作。常見問題，光耦腳位畫錯，導致反饋到不了前級。431封裝弄錯
，一般431的封裝有2種
，腳位有鏡像了的。同名端的問題會導致輸出電壓不對。

 

5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V
，這個時候一般采用2個電阻並聯的方式來調節到精確電壓。采樣電阻必須是1%或者0.5%。

 

6
、輸出能帶載了

，帶滿載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開幾十個周期
，停幾十個周期
，這樣的情況調節環路。431上的C與RC，現在的很多IC內部都已經集成了補償
，環路都比較好調整。環路調節沒有效果
，可以計算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經認為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust  mode。可以更改Isense電阻阻值測試。

 

7
、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測試電源效率，輸入90V與264V時效率盡量做到一致(改占空比，匝比)，方便後續安規測試溫升。電源效率一般參考老機種效率，或者查能效等級裏麵的標準參考。

 

8、輸出紋波測試，一般都有要求用47uF+104,或者10uF+104電容測試。這個電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和係列）也ye會hui影ying響xiang紋wen波bo電dian壓ya。示shi波bo器qi測ce試shi紋wen波bo時shi探tan頭tou上shang用yong彈dan簧huang測ce試shi探tan頭tou測ce試shi可ke以yi避bi免mian幹gan擾rao尖jian峰feng。輸shu出chu紋wen波bo搞gao不bu定ding的de情qing況kuang下xia，可ke以yi改gai容rong量liang，改gai電dian容rong的de係xi列lie

，甚shen至zhi考kao慮lv采cai用yong固gu態tai電dian容rong。

 

9
、輸出過流保護
，客戶要求精度高的，要在次級放電流保護電路，要求精度不高的，一般初級做過流保護，大部分IC都有集成過流或者過功率保護。過流保護一般放大1.1-1.5倍bei輸shu出chu電dian流liu。最zui大da輸shu出chu電dian流liu時shi
，元yuan器qi件jian的de應ying力li都dou需xu要yao測ce試shi，並bing留liu有you餘yu量liang。電dian流liu保bao護hu如ru增zeng加jia反fan饋kui環huan路lu可ke以yi做zuo成cheng恒heng流liu模mo式shi，無wu反fan饋kui環huan路lu一yi般ban為wei打da嗝ge保bao護hu模mo式shi。做zuo好hao過guo流liu保bao護hu還hai需xu要yao測ce試shi滿man載zai+電解電容的測試，客戶端有時提出的要求並未給出是否是容性負載，能帶多大的電容起機測試了後心裏比較有底。

 

10
、輸出過壓保護，穩定性要求高的客戶會要求放2個光耦，1個正常工作的
，一個是做過壓保護的。無要求的
，在VCC的輔助繞組處增加過壓保護電路，或者IC裏麵已經有集成的過壓保護，外圍器件很少。

 

11
、過guo溫wen保bao護hu一yi般ban要yao看kan具ju體ti情qing況kuang添tian加jia的de

，安an規gui做zuo高gao溫wen測ce試shi時shi對dui溫wen度du都dou有you要yao求qiu，能neng滿man足zu安an規gui要yao求qiu溫wen度du都dou還hai可ke以yi，除chu非fei環huan境jing複fu雜za或huo者zhe異yi常chang情qing況kuang
，需xu要yao增zeng加jia過guo溫wen保bao護hu電dian路lu。

 

12、啟動時間，一般要求為2S,或者3S內起機，都比較好做，待機功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒有什麼問題。

 

13、上升時間和過衝
，這個通過調節軟啟動和環路響應實現。

 

14、負載調整率和線性調整率都是通過調節環路響應來實現。

 

15、保持時間
，更改輸入大電容容量即可。

 

16、輸出短路保護，現在IC的短路保護越做越好，一般短路時，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動電阻供電
，IC啟動後
，Isense腳檢測過流會做短路保護

，停止PWM輸出。一般在264V輸入時短路功率最大，短路功率控製住2W以內比較安全。短路時需要測試MOSFET的電流與電壓，並通過查看MOSFET的SOA圖（安全工作區）對應短路是否超出設計範圍。

 

17
、空載起機後，輸出電壓跳。有可能是輕載時VCC的輔助繞組感應電壓低導致，增加VCC繞組匝數，還有可能是輸出反饋環路不穩定，需要更新環路參數。

 

18、帶載起機或者空載切重載時電壓起不來。重載時
，VCC輔助繞組電壓高
，需查看是否過壓，或者是過流保護動作。

 

還有變壓器設計時按照正常輸出帶載設計，導致重載或者過流保護前變壓器飽和。

 

19、元器件的應力都應測試
，滿載、過載
、異常測試時元器件應力都應有餘量，餘量大小看公司規定和成本考慮。 性能測試與調試基本完成。調試時把自己想成是設計這顆IC的人
，就能好好理解IC的工作情況並快速解決問題。  這些全都按記憶寫的
，有點亂，有些沒有記錄到，後續想到了再補上。

 

四
、EMC等測試之前的注意細節

 

1、溫升測試，45℃烤箱環境，輸入90，264時變壓器磁芯，線包不超過110℃，PCB在130℃以內。其他的元器件具體值參考下安規要求，溫度最難整的一般都是變壓器。

 

2
、絕緣耐壓測試DC500V，阻值大於100MΩ，初次級打AC3000V時間60S,小於10mA
，產線量產可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設置10mA
，ceshiguochengzhongceshiyiqibaojing
，yaojianzhachucijijuli，chujidaowaike，cijidaowaikejuli
，nengbaceshishilashangchuangliangenghao，nengkuaisuzhaodaofangdiandeweizhidedianhuohua。

 

3

、對地阻抗
，一般要小於0.1Ω，測試條件電流40A。

 

4
、ESD一般要求接觸4K,空氣8K，有個電阻電容模型問題。一般會把等級提高了打
，打到最高的接觸8K,空氣15K。打ESD時，共模電感底下有放電針的話
，放電針會放電。電源的ESD還會在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問題和PCB的layout問題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規認證時，心裏有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎麼處理。參考EN61000-4-2。

 

5、EFT這個沒有出現過問題2KV。參考EN61000-4-4。

 

6、雷擊，差模1K，共模2K，采用壓敏14D471
，有輸入大電解，走線沒有大問題基本PASS。碰到過雷擊不過的情況，小功率5W,10W的打掛了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET,在輸入橋堆後加入二極管與電解電容串聯，電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。

 

EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級。一般要A等級：幹擾對電源無影響。

 

7
、低溫起機。一般便宜的電源，溫度範圍是0-45℃
，貴的，工業類
，或者LED什麼的有要求-40℃-60℃，甚至到85℃。-40℃的時候輸入NTC增大了N倍
，輸入電解電容明顯不夠用了
，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點危險的（低溫時MOSFET的耐壓值變低）。之前碰到過90V輸入的時候輸出電壓跳
，或者是LED閃幾次才正常起來。增加輸入電容容量，改小NTC,增加VCC電容

，軟啟動時間加長
，初級限流（輸入容量不夠
，導致電壓很低，電流很大，觸發保護）從1.2倍放大到1.5倍
，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高
；查找保護線路是否太極限，低溫被觸發（如PFC過壓易被觸發）。

 

五
、傳導整改注意細節

 

基本性能和安規基本問題解決掉，剩下個傳導和輻射問題。這個時候可以跟客戶談後續價格，自己優化下線路。  跟安規工程師確認安規問題
，跟產線的工程師確認後續PCB上元器件是否需要做位置的更改，產線是否方便操作等問題。或者有打AI
，過回流焊波峰焊的問題，及時對元器件調整。

 

1、傳chuan導dao和he輻fu射she測ce試shi大da家jia看kan得de比bi較jiao多duo，論lun壇tan裏li麵mian也ye講jiang的de多duo，實shi際ji上shang這zhe個ge是shi個ge砸za錢qian的de事shi情qing。砸za錢qian砸za多duo了le，自zi然ran就jiu會hui了le，整zheng改gai也ye就jiu快kuai了le。能neng改gai的de地di方fang就jiu那na麼me幾ji個ge。

 

2、這個裏麵看不見的，特別重要的就算是PCB了

，有厲害的可以找到PCB上的線，割斷

，換個走線方式就可以搞掉3個dB,餘量就有了。

 

3、一般看到筆記本電源適配器，接電腦的部分就有個很醜的砣，這個就是個EMI濾波器
，從適配器出線的部分到筆記本電腦這麼長的距離
，可以看成是1條天線，增加一個濾波器，就可以濾除損耗。所以一般開關電源的輸出端有一個濾波電感，效果也是一樣的。

 

 

4、輸入濾波電感，功率小的，UU型很好用，功率大的基本用環型和ET型(xing)。公(gong)司(si)有(you)傳(chuan)導(dao)實(shi)驗(yan)室(shi)或(huo)者(zhe)傳(chuan)導(dao)儀(yi)器(qi)的(de)倒(dao)是(shi)可(ke)以(yi)有(you)想(xiang)法(fa)了(le)就(jiu)去(qu)折(zhe)騰(teng)下(xia)。要(yao)是(shi)要(yao)去(qu)第(di)三(san)方(fang)實(shi)驗(yan)室(shi)的(de)就(jiu)比(bi)較(jiao)痛(tong)苦(ku)了(le)，光(guang)整(zheng)改(gai)材(cai)料(liao)都(dou)要(yao)帶(dai)一(yi)堆(dui)。濾(lv)波(bo)電(dian)感(gan)用(yong)高(gao)導(dao)的(de)10K材料比較好，對傳導輻射抑製效果都不錯，如果傳導差的話
，可以改12K,15K的，輻射差的話可以改5K,7K的材質。

 

5
、輸入X電容，能用小就用小
，主要是占地方。這個要配合濾波電感調整的。

 

6、Y電容，初次級沒有裝Y電容，或者Y電容很小的話一般從150K-30M都是飄

的，或者飛出限值了的，裝個471-222就差不多了。Y電容的接法直接影響傳導與輻射的測試數據，一般為初級地接次級的地，也有初級高壓
，接次級地，或者放2個Y電容初級高壓和初級地都接次級的地，沒有調好之前誰也說不準的。

Y電容上串磁珠，對10MHz以(yi)上(shang)有(you)效(xiao)果(guo)，但(dan)也(ye)不(bu)全(quan)是(shi)。每(mei)個(ge)人(ren)調(tiao)試(shi)傳(chuan)導(dao)輻(fu)射(she)的(de)方(fang)法(fa)和(he)方(fang)式(shi)都(dou)有(you)差(cha)異(yi)機(ji)種(zhong)也(ye)不(bu)同(tong)，問(wen)題(ti)也(ye)不(bu)同(tong)
，所(suo)以(yi)也(ye)許(xu)我(wo)的(de)方(fang)法(fa)隻(zhi)適(shi)合(he)我(wo)自(zi)己(ji)用(yong)。無(wu)Y方案大部分是靠改變變壓器來做的，而且功率不好做大。

 

7
、MOSFET吸收
，DS直接頂多能接個221

，要不溫度就太高了，一般47pF，100pF。RCD吸收，可以在C上串個10-47Ω電阻吸收尖峰。還可以在D上串10-100Ω的電阻，MOSFET的驅動電阻也可以改為100Ω以內。

 

8、輸出二極管的吸收，一般采用RC吸收足夠了。

 

9、bianyaqi，bianyaqiyoutongbopingbihexianpingbi，tongbopingbiduichuandaoxiaoguohao

，xianpingbiduifushexiaoguohao。zhiyuchubaoci，cibaochu，haiyouxieqitaderaofadoushiweilehaoguochuandaofushe。

 

10
、對於PFC做反激電源的
，輸入部分還需要增加差模電感。一般用棒形電感
，或者鐵粉芯的黃白環做。

 

11、整改傳導的時候在10-30MHz部分盡量壓低到有15-20dB餘量，那樣輻射比較好整改。

 

開關頻率一般在65KHz，看傳導的時候可以看到65K的倍頻位置
，一般都有很高的值。

 

總之：chuandaodexianxiangkeyikanchengshigonglvqijiandekaiguanyinqidezhendangzaishuruxianshangbeifangdalexianshichulai
，bimianzhendangxinhaochuqujiuyaobimiangaopinzhendang
，huozhebagaopinzhendangxishoudiao

，sunhaodiao，yizhiyuxianshichulaideshihoubuchaobiao。

 

六

、輻射整改注意細節

 

1
、PCB的走線按照布線規則來做即可。當PCB有空間的時候可以放2個Y電容的位置：初級大電容的+到次級地；初級大電容-到次級地，整改輻射的時候可以調整。

 

2、對於2芯輸入的，Y電容除了上述接法還可以在L,N輸入端，保險絲之後接成Y型，再接次級的地，3芯輸入時，Y電容可以從輸入輸出地接到輸入大地來測試。

 

3、磁珠在輻射中間很重要，以前用過的材料是K5A,K5C
，磁珠的阻抗曲線與磁芯大小和尺寸有關。如圖所示，不同的磁珠對不同的頻率阻抗曲線不同。但是都是把高頻雜波損耗掉，成了熱量（30MHz-500MHz）。一般MOSFET,輸出二極管，RCD吸收的D，橋堆，Y電容都可以套磁珠來做測試。

 

4、輸入共模電感：如果是2級濾波，第一級的濾波電感可以考慮用0.5-5mH左右的感量，蝶形繞法
，5K-10K材質繞製，第一級對輻射壓製效果好。如果是3芯輸入，可以在輸入端進線處用三層絕緣線在K5A等同材質繞3-10圈
，效果巨好。

 

5、輸出共模電感，一般采用高導磁芯5K-10K的材料，特殊情況輻射搞不定也可以改為K5A等同材質。

 

6

、MOSFET，漏極上串入磁珠，輸入電阻加大

，DS直接並聯22-220pF高壓瓷片電容可以改善輻射能量，也可以換不同電流值的MOS，或者不同品牌的MOSFET測試。

 

7、輸出二極管
，二極管上套磁珠可以改善輻射能量。二極管上的RC吸收也對輻射有影響。也可以換不同電流值來測試，或者更換品牌

 

8
、RCD吸收，C更改容量，R改阻值，D可以用FR107，FR207改為慢管
，但是需要注意慢管的溫度。RCD裏麵的C可以串小阻值電阻。

 

9、VCC的繞組上也有二極管，這個二極管也對輻射影響大，一般采取套磁珠，或者將二極管改為1N4007或者其他的慢管。

 

10、最(zui)關(guan)鍵(jian)的(de)變(bian)壓(ya)器(qi)。能(neng)少(shao)加(jia)屏(ping)蔽(bi)就(jiu)少(shao)加(jia)屏(ping)蔽(bi)
，沒(mei)辦(ban)法(fa)的(de)情(qing)況(kuang)也(ye)隻(zhi)能(neng)改(gai)變(bian)壓(ya)器(qi)了(le)。變(bian)壓(ya)器(qi)裏(li)麵(mian)的(de)銅(tong)箔(bo)屏(ping)蔽(bi)對(dui)輻(fu)射(she)影(ying)響(xiang)大(da)，線(xian)屏(ping)蔽(bi)是(shi)最(zui)有(you)效(xiao)果(guo)的(de)。一(yi)般(ban)改(gai)不(bu)動(dong)的(de)時(shi)候(hou)才(cai)去(qu)改(gai)變(bian)壓(ya)器(qi)。

 

11、輻射整改時的效率。套滿磁珠的電源先做測試，PASS的情況
，再逐個剪掉磁珠。

 

fail的情況
，在輸入輸出端來套磁環，判斷輻射信號是從輸入還是輸出發射出來的。

 

套了磁環還是fail的(de)話(hua)，證(zheng)明(ming)輻(fu)射(she)能(neng)量(liang)是(shi)從(cong)板(ban)子(zi)上(shang)出(chu)來(lai)的(de)。這(zhe)個(ge)時(shi)候(hou)要(yao)找(zhao)實(shi)驗(yan)室(shi)的(de)兄(xiong)弟(di)搞(gao)個(ge)探(tan)頭(tou)來(lai)測(ce)試(shi)，看(kan)看(kan)是(shi)哪(na)個(ge)元(yuan)器(qi)件(jian)輻(fu)射(she)的(de)能(neng)量(liang)最(zui)大(da)
，哪(na)個(ge)原(yuan)件(jian)在(zai)超(chao)出(chu)限(xian)值(zhi)的(de)頻(pin)率(lv)點(dian)能(neng)量(liang)最(zui)高(gao)，再(zai)對(dui)對(dui)應(ying)的(de)元(yuan)件(jian)整(zheng)改(gai)。

 

fushedexianxiangkeyikanchengshigonglvqijianzaigaosukaiguanqingkuangxia，jishengcanshuyinqidezhendangzaibutongdetianxianshangfashechuqu


，beitianxianjieshoufangdalexianshichulai，bimianzhendangxinhaochuqujiuyaobimiangaopinzhendang，gaibianzhendangpinlvhuozhebagaopinzhendangxishoudiao
，sunhaodiao，yizhiyuxianshichulaizhideshihoubuchaobiao。

 

磁珠的運用有個需要注意的地方，套住MOSFET的時候，MOSFET最好是要打K腳

，套入磁珠後點膠固定，如果磁珠鬆動
，可能導電引起MOSFET短路。有空間的情況下盡量采用帶線磁珠。

 

七、PCB定型改版試生產注意細節

 

傳導輻射整改完成後，PCB可以定型了，最好按照生產的工藝要求來做改善
，更新一版PCB
，避免生產時碰到問題。

 

1、驗(yan)證(zheng)電(dian)源(yuan)的(de)時(shi)刻(ke)到(dao)了(le)，客(ke)戶(hu)要(yao)求(qiu)，規(gui)格(ge)書(shu)。電(dian)源(yuan)樣(yang)品(pin)拿(na)給(gei)測(ce)試(shi)驗(yan)證(zheng)組(zu)做(zuo)測(ce)試(shi)驗(yan)證(zheng)了(le)。之(zhi)前(qian)問(wen)題(ti)都(dou)解(jie)決(jue)了(le)的(de)話(hua)，驗(yan)證(zheng)組(zu)是(shi)沒(mei)問(wen)題(ti)的(de)
，到(dao)時(shi)間(jian)拿(na)報(bao)告(gao)就(jiu)可(ke)以(yi)了(le)。

 

2
、準備小批量試產，走流程，準備物料，整理BOM與提供樣機給生產部同事。

 

3、準備做認證的材料（保險絲，MOSFET等元器件）與樣機以及做認證的關鍵元器件清單等文檔性材料。關鍵元器件清單裏麵的元件一般寫3個以上的供應商。認證號一定要對準，錯了的話，後續審廠會有不必要的麻煩。剩下的都是一些基本的溝通問題了。

 

做zuo認ren證zheng時shi碰peng到dao過guo做zuo認ren證zheng的de時shi候hou溫wen升sheng超chao標biao了le的de，隻zhi能neng加jia導dao熱re膠jiao導dao出chu去qu。或huo者zhe提ti高gao效xiao率lv，把ba傳chuan導dao與yu輻fu射she的de餘yu量liang放fang小xiao。這zhe種zhong問wen題ti一yi般ban是shi自zi己ji做zuo測ce試shi時shi餘yu量liang留liu得de太tai少shao，很hen難nan碰peng到dao的de。

 

4、一般認證2個月左右能拿到的。2個月的時間足夠把試產做好了。

 

5、試產問題：基本上都是要改大焊盤

，插件的孔大小更改，絲印位置的更改等。

 

6、試產的測試按IPS和產線測試的規章製度完成。

 

碰到過裸板耐壓打不過的，原因竟然是把裸板放在綠色的靜電皮上操作；也有是麥拉片折痕處貼的膠帶磨損了。

 

7、輸入有大電容的電源


，需要要求測試的工序裏麵增加一條，測試完畢給大電容放電的一個操作流程。

 

8、試產完成後開個試產總結會，試產PASS，PCB可以開模了。量產基本上是不會找到研發工程師了
，頂多就是替代料的事宜。

 

9、做完一個產品，給自己寫點總結什麼的
，其中的經驗教訓

，或者是有點失敗的地方
，或者是不同IC的特點。項目做多了
，自然就會了。

 

整(zheng)個(ge)開(kai)發(fa)過(guo)程(cheng)中(zhong)都(dou)是(shi)一(yi)個(ge)團(tuan)隊(dui)的(de)協(xie)作(zuo)，所(suo)以(yi)很(hen)厲(li)害(hai)的(de)工(gong)程(cheng)師(shi)，溝(gou)通(tong)能(neng)力(li)也(ye)是(shi)很(hen)強(qiang)的(de)

，研(yan)發(fa)一(yi)個(ge)產(chan)品(pin)要(yao)跟(gen)很(hen)多(duo)部(bu)門(men)打(da)交(jiao)道(dao)，技(ji)術(shu)類(lei)的(de)書(shu)要(yao)看(kan)
，技(ji)術(shu)問(wen)題(ti)也(ye)要(yao)探(tan)討(tao)
，同(tong)時(shi)溝(gou)通(tong)與(yu)禮(li)儀(yi)方(fang)麵(mian)的(de)知(zhi)識(shi)也(ye)要(yao)學(xue)習(xi)，有(you)這(zhe)些(xie)前(qian)提(ti)條(tiao)件(jian)，開(kai)發(fa)起(qi)來(lai)也(ye)就(jiu)容(rong)易(yi)多(duo)了(le)。

 

八、20年經驗資深工程師的感慨

 

我順便提一下
，上麵原理圖中18的此飽和是500MT,即5000高斯，0,5特斯拉，普通鐵氧體到不了5000吧，頂多4000，好像才3500吧，所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。

 

從(cong)我(wo)幹(gan)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)近(jin)二(er)十(shi)年(nian)，算(suan)是(shi)老(lao)手(shou)了(le)，我(wo)非(fei)常(chang)深(shen)有(you)體(ti)會(hui)的(de)是(shi)，開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)最(zui)難(nan)的(de)是(shi)環(huan)路(lu)參(can)數(shu)，非(fei)常(chang)不(bu)好(hao)確(que)定(ding)，普(pu)遍(bian)不(bu)大(da)穩(wen)定(ding)就(jiu)是(shi)環(huan)路(lu)沒(mei)有(you)調(tiao)好(hao)，這(zhe)個(ge)是(shi)一(yi)個(ge)大(da)問(wen)題(ti)了(le)，太(tai)多(duo)搞(gao)不(bu)定(ding)的(de)就(jiu)是(shi)這(zhe)個(ge)問(wen)題(ti)了(le)，還(hai)有(you)變(bian)壓(ya)器(qi)參(can)數(shu)的(de)選(xuan)擇(ze)也(ye)是(shi)一(yi)個(ge)難(nan)點(dian)
，有(you)人(ren)說(shuo)變(bian)壓(ya)器(qi)的(de)分(fen)量(liang)非(fei)常(chang)大(da)，確(que)定(ding)多(duo)少(shao)匝(za)比(bi)，規(gui)格(ge)，如(ru)果(guo)鐵(tie)損(sun)線(xian)損(sun)一(yi)樣(yang)最(zui)好(hao)
，絞(jiao)在(zai)一(yi)起(qi)了(le)，無(wu)法(fa)確(que)定(ding)哪(na)個(ge)多(duo)哪(na)個(ge)少(shao)了(le)，還(hai)有(you)，如(ru)何(he)確(que)定(ding)磁(ci)通(tong)密(mi)度(du)多(duo)少(shao)為(wei)最(zui)合(he)適(shi)，也(ye)是(shi)非(fei)常(chang)難(nan)了(le)，這(zhe)個(ge)多(duo)年(nian)的(de)經(jing)驗(yan)非(fei)常(chang)重(zhong)要(yao)，許(xu)多(duo)人(ren)變(bian)壓(ya)器(qi)不(bu)懂(dong)設(she)計(ji)，還(hai)有(you)，風(feng)鈴(ling)可(ke)以(yi)磁(ci)通(tong)大(da)一(yi)些(xie)
，自(zi)冷(leng)要(yao)小(xiao)一(yi)些(xie)，都(dou)不(bu)是(shi)一(yi)件(jian)容(rong)易(yi)的(de)事(shi)情(qing)。

 

現在是很多人知識匱乏，沒有無線電技術的知識
，那一些新手根本不懂，把PCBbuchengzhengqidefeichangsuiyiderenyizouxianle，henxiangjingxi，nagenbenhunao
，bunengyongdebanle，xinyidaidezhishiduoyuanhua，youhuotaidale，shenmerendoukeyishangdaxuele，biruyixiezhigaodepugaomeibiyederenyeshangdaxuele
，yingshijiaoyuyeshidawenti，rencaizhiliangbuxingle
，shenmeyebudongderenduole，tamenzhaoyanggaokaifa，nengzuochengshenmehaochanpin，zuizhongyaodeshizhishihexuewen
，queyoushizuibuzaihushiyoushixuewen，fuzaoshehuifuzaoderen
，mannaozijiushiduanpingkuai
，yaozhidaoyusuzebuda
，zhihuichaoximofangnalaizhuyishanzhaizhifeng，mofangzhizaodiliechanpin
，yinweisuoweidekaifarenyuanjiushibanyungong
，erqiesuoweirencailiudong，banlaziyixiajiufeile，chenglezhengzhiziben，ganguoleshenmexiangmu，haiyoubushaoqishishitiaoshigong，jishurenyuan，maochongshenmekaifarenyuan
，laobanjiyuqiucheng，yongdeqishishiweirencai，weirencaizhinengzhizaoweiliechanpinle，jiushizhihuikelongchanpinfuzhile，haizuobuhao，dagonglvdeqishibushaolaowaidechanpinnagezuochengle，xiaogonglvdexiangduirongyijiandanyixiebushaohaishizuochengle，danzuobuhaodeduoduole。

 

我談這個是非常普遍存在的社會現實
，比如一位做12伏100安an
，抄chao襲xi模mo仿fang八ba九jiu個ge月yue沒mei有you做zuo成cheng，最zui終zhong失shi敗bai打da水shui漂piao了le，其qi實shi可ke以yi做zuo成cheng的de
，我wo見jian過guo那na個ge產chan品pin，同tong開kai發fa人ren員yuan一yi交jiao流liu，發fa現xian學xue問wen不bu行xing，我wo對dui那na位wei陳chen老lao板ban說shuo凶xiong多duo吉ji少shao九jiu成cheng以yi上shang要yao失shi敗bai的de
，他ta不bu信xin
，就jiu是shi我wo完wan全quan模mo仿fang一yi個ge地di方fang也ye不bu能neng漏lou下xia，難nan道dao做zuo不bu成cheng


，結jie果guo呢ne，真zhen的de做zuo不bu成cheng了le
，相xiang當dang多duo人ren都dou以yi為wei一yi抄chao就jiu成cheng一yi步bu到dao位wei，總zong是shi這zhe麼me說shuo
，結jie果guo豈qi不bu
，哪na個ge成cheng功gong了le
，一yi敗bai塗tu地di了le。其qi實shi，那na個ge12伏100安真的不難，就是要有一些學問
，失敗的原因就在這裏了。

 

yuanliangwotanlebiedefangmiandele
，buguo
，queshiqianzhenwanque，feichangpubianerqiechangtaihuadewomenzhegeshehuidexianshile，pubiandecongyerenyuanjiushizhishikuifa，jishuhenenglibuxing，jiushishengbanyingtao
，kelongzhuyizhishang，，haoxiangwomenzhegeshehuijiushijiadakongdeshehui，duoshudechanpindoushizhemequgande。chenglebushaoqishiyoubushaolaowaifeichangbucuodechanpin，wodoujianguobushaole，zenmedoumeiyoujiandaowomenzuodeshijichanpinle
，qishidabangxiaobangdouzaichaoxi，zenmejianbudaodongxiya，yinweidoushibailedashuipiaole，wozaizhelishuoledashihuade，feichangzhenshidebuyaowujiele。ruguoyouhebutuo，duoduojianliangba。

 

有一個非常真實的事例，比如01年我國一公司就做成了LLC多諧振的產品
，由於效率高一時非常轟動，模仿者也登門而至，我是在03年(nian)初(chu)開(kai)始(shi)非(fei)常(chang)費(fei)勁(jin)，與(yu)同(tong)事(shi)大(da)半(ban)年(nian)了(le)
，說(shuo)來(lai)奇(qi)怪(guai)

，原(yuan)機(ji)占(zhan)空(kong)比(bi)大(da)仿(fang)做(zuo)的(de)就(jiu)小(xiao)了(le)，當(dang)時(shi)的(de)土(tu)辦(ban)法(fa)就(jiu)是(shi)把(ba)環(huan)流(liu)加(jia)大(da)，但(dan)效(xiao)率(lv)降(jiang)低(di)了(le)，另(ling)一(yi)家(jia)深(shen)圳(zhen)的(de)某(mou)一(yi)家(jia)公(gong)司(si)一(yi)直(zhi)做(zuo)不(bu)成(cheng)
，耗(hao)了(le)不(bu)少(shao)財(cai)力(li)，老(lao)板(ban)火(huo)了(le)起(qi)來(lai)把(ba)那(na)位(wei)總(zong)工(gong)炒(chao)掉(diao)了(le)。我(wo)03年底離開了，改用SG3525，主結構有了，按照規律，3525的(de)死(si)區(qu)時(shi)間(jian)還(hai)可(ke)以(yi)調(tiao)整(zheng)呢(ne)，占(zhan)空(kong)比(bi)大(da)了(le)，就(jiu)這(zhe)樣(yang)做(zuo)成(cheng)功(gong)了(le)，我(wo)是(shi)不(bu)會(hui)生(sheng)搬(ban)硬(ying)套(tao)，比(bi)較(jiao)靈(ling)活(huo)的(de)，人(ren)家(jia)做(zuo)不(bu)成(cheng)做(zuo)不(bu)好(hao)我(wo)就(jiu)可(ke)以(yi)做(zuo)到(dao)了(le)，這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)很(hen)多(duo)，所(suo)以(yi)不(bu)要(yao)完(wan)全(quan)克(ke)隆(long)死(si)板(ban)做(zuo)
，必(bi)須(xu)要(yao)會(hui)搞(gao)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)，如(ru)果(guo)是(shi)這(zhe)樣(yang)，好(hao)多(duo)產(chan)品(pin)是(shi)可(ke)以(yi)做(zuo)成(cheng)的(de)，可(ke)以(yi)模(mo)仿(fang)參(can)考(kao)，結(jie)合(he)自(zi)主(zhu)設(she)計(ji)，我(wo)的(de)這(zhe)一(yi)事(shi)例(li)不(bu)也(ye)充(chong)分(fen)說(shuo)明(ming)了(le)嗎(ma)，學(xue)問(wen)和(he)靈(ling)活(huo)最(zui)重(zhong)要(yao)了(le)，就(jiu)是(shi)這(zhe)麼(me)一(yi)回(hui)事(shi)。真(zhen)正(zheng)模(mo)仿(fang)成(cheng)功(gong)還(hai)做(zuo)的(de)不(bu)錯(cuo)的(de)技(ji)術(shu)功(gong)夫(fu)也(ye)非(fei)常(chang)不(bu)錯(cuo)了(le)，許(xu)多(duo)人(ren)不(bu)懂(dong)這(zhe)個(ge)道(dao)理(li)，就(jiu)是(shi)難(nan)道(dao)不(bu)成(cheng)

，不(bu)相(xiang)信(xin)

，真(zhen)的(de)如(ru)此(ci)，失(shi)敗(bai)多(duo)多(duo)了(le)，即(ji)使(shi)一(yi)些(xie)做(zuo)成(cheng)了(le)，也(ye)是(shi)不(bu)三(san)不(bu)四(si)的(de)
，產(chan)品(pin)性(xing)能(neng)和(he)質(zhi)量(liang)是(shi)一(yi)個(ge)大(da)問(wen)題(ti)

，還(hai)是(shi)一(yi)句(ju)話(hua)
，偽(wei)人(ren)才(cai)製(zhi)造(zao)偽(wei)劣(lie)產(chan)品(pin)，現(xian)實(shi)上(shang)偽(wei)人(ren)才(cai)多(duo)得(de)去(qu)了(le)，產(chan)品(pin)冒(mao)牌(pai)貨(huo)多(duo)同(tong)樣(yang)的(de)人(ren)才(cai)冒(mao)牌(pai)貨(huo)一(yi)樣(yang)多(duo)了(le)，其(qi)實(shi)
，大(da)家(jia)相(xiang)信(xin)的(de)倒(dao)是(shi)謊(huang)言(yan)的(de)多(duo)，一(yi)抄(chao)就(jiu)成(cheng)一(yi)步(bu)到(dao)位(wei)就(jiu)是(shi)成(cheng)了(le)最(zui)大(da)的(de)謊(huang)言(yan)了(le)。滿(man)口(kou)子(zi)多(duo)麼(me)省(sheng)事(shi)節(jie)省(sheng)成(cheng)本(ben)，甚(shen)至(zhi)更(geng)有(you)甚(shen)者(zhe)，全(quan)打(da)包(bao)連(lian)圖(tu)紙(zhi)都(dou)沒(mei)有(you)，壞(huai)了(le)就(jiu)是(shi)修(xiu)電(dian)器(qi)一(yi)樣(yang)，把(ba)壞(huai)的(de)找(zhao)出(chu)來(lai)換(huan)掉(diao)就(jiu)可(ke)以(yi)了(le)，這(zhe)個(ge)就(jiu)是(shi)投(tou)機(ji)主(zhu)義(yi)幹(gan)事(shi)了(le)，肯(ken)定(ding)這(zhe)樣(yang)做(zuo)的(de)問(wen)題(ti)特(te)別(bie)大(da)
，他(ta)們(men)就(jiu)是(shi)把(ba)財(cai)力(li)花(hua)在(zai)營(ying)銷(xiao)廣(guang)告(gao)戰(zhan)了(le)。