1、CCM（ConTInuousConducTIonMode）
，連續導通模式：在一個開關周期內，電感電流從不會到0。或者說電感從不“複位”
，意味著在開關周期內電感磁通從不回到0，功率管閉合時，線圈中還有電流流過。

 

2、DCM（DisconTInuousConducTIonMode），非連續導通模式：在開關周期內
，電感電流總會會到0，意味著電感被適當地“複位”，即功率開關閉合時
，電感電流為零。

 

 

1）變壓器初級電流，CCM模式是梯形波，而DCM模式是三角波。

 

2）次級整流管電流波形，CCM模式是梯形波，DCM模式是三角波。

 

3）MOS的Vds波形，CCM模式，在下一個周期開通前
，Vds一直維持在Vin+Vf的平台上。而DCM模式
，在下一個周期開通前，Vds會從Vin+Vf這個平台降下來發生阻尼振蕩。（Vf次級反射到原邊電壓）。

 

因此我們就可以很容易從波形上看出來反激電源是工作在CCM還是DCM狀態。

 

 

 

（1）DCM（Vds
，Ip）

 

 

在MOS關斷的時候，Vds的波形顯示，MOS上的電壓遠超過Vin+Vf，這是因為，變壓器的初級有漏感。漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。那麼MOS關(guan)斷(duan)過(guo)程(cheng)中(zhong)
，漏(lou)感(gan)電(dian)流(liu)也(ye)是(shi)不(bu)能(neng)突(tu)變(bian)的(de)。漏(lou)感(gan)的(de)電(dian)流(liu)變(bian)化(hua)也(ye)會(hui)產(chan)生(sheng)感(gan)應(ying)電(dian)動(dong)勢(shi)
，這(zhe)個(ge)感(gan)應(ying)電(dian)動(dong)勢(shi)因(yin)為(wei)無(wu)法(fa)被(bei)次(ci)級(ji)耦(ou)合(he)而(er)箝(qian)位(wei)，電(dian)壓(ya)會(hui)衝(chong)的(de)很(hen)高(gao)。那(na)麼(me)為(wei)了(le)避(bi)免(mian)MOS被電壓擊穿而損壞，所以我們在初級側加了一個RCD吸收緩衝電路，把漏感能量先儲存在電容裏，然後通過R消耗掉。

 

dangcijidiangandianliujiangdaoleling。zheyiweizhecixinzhongdenengliangyijingwanquanshifangle。nameyinweierguandianliujiangdaoleling
，erjiguanyejiuzidongjiezhile，cijixiangdangyukailuzhuangtai，shuchudianyabuzaifanshehuichujile。youyucishiMOS的Vds電壓高於輸入電壓
，所以在電壓差的作用下，MOS的結電容和初級電感發生諧振。諧振電流給MOS的結電容放電。Vds電壓開始下降，經過1/4之一個諧振周期後又開始上升。由於RCD箝位電路以及其它寄生電阻的存在，這個振蕩是個阻尼振蕩
，幅度越來越小。

 

f1比f2大很多（從波形上可以看出），這是由於漏感一般相對較小;同時由於f1所在回路阻抗比較小，諧振電流較大，所以能夠很快消耗在等效電阻上，這也就是為什麼f1所在回路很快就諧振結束的原因！（具體諧振時間可以通過等效模型求解：二次微分方程估算）

 

 

（2）CCM（Vds
，IP）

 

 

（3）其他一些波形分析（次級輸出電壓Vs，Is，Vds）

 

 

不管是在CCM模式還是DCM模式
，在mosfet開通on時刻，變壓器副邊都有震蕩。主要原因是初次及之間的漏感+輸出肖特基（或快恢複）結電容+輸出電容諧振引起，在CCM模式下與肖特基的反向恢複電流也一些關係。故一般在輸出肖特基上並聯-一個RC來吸收，使肖特基應力減小。

 

 

不管是在CCM模式還是DCM模式，在mosfet關斷off時刻
，變壓器副邊電流IS波形都有一些震蕩。主要原因是次級電感+肖特基接電容+輸出電容之間的諧振造成的。

 

（4）RCD吸收電路對Vds的影響

 

 

在MOS關斷的時候，Vds的波形顯示
，MOS上的電壓遠超過Vin+Vf！這是因為，變壓器的初級有漏感。漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。那麼MOS關(guan)斷(duan)過(guo)程(cheng)中(zhong)

，漏(lou)感(gan)電(dian)流(liu)也(ye)是(shi)不(bu)能(neng)突(tu)變(bian)的(de)。漏(lou)感(gan)的(de)電(dian)流(liu)變(bian)化(hua)也(ye)會(hui)產(chan)生(sheng)感(gan)應(ying)電(dian)動(dong)勢(shi)，這(zhe)個(ge)感(gan)應(ying)電(dian)動(dong)勢(shi)因(yin)為(wei)無(wu)法(fa)被(bei)次(ci)級(ji)耦(ou)合(he)而(er)箝(qian)位(wei)，電(dian)壓(ya)會(hui)衝(chong)的(de)很(hen)高(gao)。那(na)麼(me)為(wei)了(le)避(bi)免(mian)MOS被電壓擊穿而損壞，所以我們在初級側加了一個RCD吸收緩衝電路，把漏感能量先儲存在電容裏，然後通過R消耗掉

 

（5）Vgs波形

 

 

為使mosfet在開通時間的上升沿比較陡
，進而提高效率。在布線時驅動信號盡量通過雙線接到mosfet的G、S端，同時連接盡量短些。