場效應晶體管的輸出曲線實例一：

 

問：如圖，Vgs=8V，Vds=20V的時候

，Id都接近300A了。這個數據是怎麼測試出來的？要知道我把12V的電壓短接在D，S之間，瞬間就爆管了。

 

 

答：你看到的部分曲線是指管芯封裝無限製
，管芯溫度恒定為25°c時的理想電流曲線，IR的一般有測試的，國內的mos一般沒有做測試，基本上是理論曲線。但是TO220或者其他封裝的mos受到封裝限製

，實際Id大小分兩種，一是受到封裝的限製，二是受到管芯溫度的限製

，你做這個實驗前可以參考IR官網的應用筆記
，或者按照pdf上的測試條件做。按你說的，一般是行不通的
，假如12v測試電源電流足夠大，當mos完全導通時，其Id會很高，從而導致mos功耗過大損壞，因此你做的實驗沒有什麼意義。

 

另外場效應管G極是不能懸空的，否則極易由於感應電壓
，使管子導通，導通時的內阻非常低
，如果測試電壓內阻也非常小，必爆管無疑。

 

場效應晶體管的輸出曲線實例二：

 

模電如何根據他們的輸出特性曲線和轉移特性曲線來分場效應管？

 

通過輸出特性曲線和轉移特性曲線來區分場效應管前
，首先需要了解一個概念，場效應管是壓控型器件，它區別於雙極型晶體管（流控型器件），場效應管工作時柵極一般隻需要一個電壓就可以，電流很小或者為零。所以，要實現這點，結型場效應管和MOS型采用不同的辦法實現了這個效果
，導致了其特性曲線不同。

 

結(jie)型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)
，利(li)用(yong)柵(zha)極(ji)和(he)溝(gou)道(dao)間(jian)的(de)一(yi)個(ge)反(fan)向(xiang)二(er)極(ji)管(guan)，並(bing)在(zai)二(er)極(ji)管(guan)上(shang)施(shi)加(jia)反(fan)向(xiang)電(dian)壓(ya)，利(li)用(yong)二(er)極(ji)管(guan)反(fan)向(xiang)工(gong)作(zuo)時(shi)，電(dian)流(liu)很(hen)小(xiao)的(de)特(te)點(dian)，實(shi)現(xian)壓(ya)控(kong)效(xiao)果(guo)
，所(suo)以(yi)結(jie)型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)工(gong)作(zuo)時(shi)，柵(zha)極(ji)控(kong)製(zhi)電(dian)壓(ya)UG總是需要保證那個二極管反向工作
，即N溝道
，柵極電壓為負，P溝道柵極電壓為正。至於漏極電流的極性，可以通過N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極
，電流方向即為負。所以，下圖的曲線就很好記憶了。

 

 

而MOS管，直接將柵極與溝道間絕緣阻斷，沒有任何電流通過。所以按正常的正電壓控製N溝道
，負電壓控製P溝道的原則。工作時，N溝道柵極電壓為正，P溝道柵極電壓為負。電流方向和結型管的判斷方法一樣，N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極
，電流方向即為負。就可以確定MOS管的特性曲線。至於增強型和耗盡型如何區分，隻要看控製曲線與y軸有交叉即可，即，當UG=0時，漏極電流不為零，即為耗盡型，UG=0時，漏極電流為零，即為增強型。如下圖所示。

 

 

場效應晶體管的輸出曲線實例三：

 

根據場效應管的轉移特性曲線，怎麼判斷它是什麼類型的溝道？

 

 

首先判斷N型還是P型
，這個簡單，隻要觀察曲線是在坐標上方還是下方，上方就是N型溝道（規定）；至於是增強型還是耗盡型，也簡單，增強型隻在1/4區間坐標內，而耗盡型一般處於半個坐標內；另(ling)外(wai)，關(guan)於(yu)結(jie)型(xing)還(hai)是(shi)絕(jue)緣(yuan)柵(zha)型(xing)則(ze)是(shi)看(kan)曲(qu)線(xian)幅(fu)度(du)，無(wu)限(xian)接(jie)近(jin)於(yu)坐(zuo)標(biao)軸(zhou)的(de)是(shi)結(jie)型(xing)，絕(jue)緣(yuan)柵(zha)型(xing)曲(qu)線(xian)是(shi)有(you)起(qi)始(shi)點(dian)的(de)在(zai)坐(zuo)標(biao)軸(zhou)上(shang)，且(qie)曲(qu)線(xian)幅(fu)度(du)比(bi)較(jiao)陡(dou)。

 

場效應管根據導電溝道的有無分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（MOS）兩種主要類型。

 

 

推薦閱讀：