雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重複進行卻使成本與設計空間密集化。那麼問題來了：是否可以使用單個反饋源來實現這種偏置網絡呢？答案是肯定的，盡管這有些複雜，也須滿足某些特定條件。該網絡（本文分析中僅以電流沉為例）如圖1所示。

 

圖1：灌電流網絡

 

最終MOSFET（金氧半場效晶體管）源電壓VS以及RSET電阻決定著各柱上的灌電流（sink current）；通過去除來自外部電流沉柱的反饋（即所有N》1），已失去對VSN的直接控製。因此，RSETN必須精心選擇以生成預期的任意第N個柱的灌電流
，即ISINKN。仔細觀察上麵的圖1
，很容易得出定義偏置網絡第N個柱電流與第1個柱電流的比值的等式︰

 

 

重新調整等式1
，得出R1與RN電阻比MRN
，等式變為：

 

 

那麼該偏置網絡第N個柱的MOSFET源電壓是什麼
，VSN？考慮到工作在飽和區的NMOS漏極電流等式是：

 

 

必須注意的是，這裏可以很大程度上忽略通道寬度調製的影響。這是因為任何因漏極電壓上升導致的漏極電流的上升會在通過RSET電阻後下降，並導致源電壓的上升。為了使MOSFET能(neng)維(wei)持(chi)任(ren)何(he)電(dian)流(liu)，柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)必(bi)須(xu)大(da)於(yu)源(yuan)電(dian)壓(ya)與(yu)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya)的(de)和(he)。也(ye)就(jiu)是(shi)說(shuo)，給(gei)定(ding)一(yi)個(ge)柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)，源(yuan)電(dian)壓(ya)將(jiang)被(bei)限(xian)製(zhi)在(zai)至(zhi)少(shao)比(bi)柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)小(xiao)一(yi)個(ge)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya)的(de)值(zhi)，且(qie)再(zai)大(da)的(de)漏(lou)極(ji)電(dian)壓(ya)上(shang)升(sheng)也(ye)不(bu)會(hui)提(ti)升(sheng)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu)。因(yin)此(ci)，構(gou)建(jian)相(xiang)應(ying)運(yun)行(xing)條(tiao)件(jian)，RSET必須足夠大，從而確保在上述限製下可允許作出以下假設：

 

 

等式1中的比值可基於等式3和4改寫成：

 

 

為了簡化等式5
，可作出如下定義：

 

 

利用等式5進行替換與調整後，可導出VSN的等式：

 

 

將等式8代入等式2可得出：

 

 

那麼柵極驅動對閾值電壓的差是什麼呢，VGT？這最終由偏置網絡第1柱的反饋決定
；它本質上是維持所需ISINK1電流需要的電壓：

 

 

重新調整等式11的項
，可得出VGT的等式：

 

 

將等式13代入等式10可得出：

 

 

最後
，電阻比MRN可以單純地寫成MIN的函數（加上偏置網絡設備的一些物理常數），如下所示：

 

 

現在關於RSET電阻比率的等式已導出，接下來可以探究建立任意大小的偏置電流網絡的含義與影響。