guanyumokuaidianyuan
，qichaogaodegonglvmiduyizhibeishejizhemenchengdao。danshixianchaogaogonglvdetongshi，sanrexingnengchadequedianyebaoluchulai
，shejizhemensuirannenggouduiyixietedingdeshejijinxinggaijin，danquebushimeizhongshejidoushihede。

 

本篇文章將以實例為基準
，分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V
，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控製，沒有采用有源嵌位和同步整流
，工作頻率為300KHZ。

 

運行後發現其並不能長期實際工作在100W，長期工作會使MOSFET或者次級二極管被熱擊穿
，那麼應該用怎樣的辦法讓它可以長期工作在100W以下？

 

 

1
、增加MOSFET：使用多MOSFET並聯，並更改驅動


，3843B驅動不了多MOSFET，但是效果並不好，不僅增加成本，還沒解決問題。而且多個MOSFET並不能同時導通，總會有先有後
，所以總是會有一個MOSFET擊穿。

 

2、增加次級二極管
，使用多個並聯，效果與方案1類似，也不理想。

 

下麵咱們來說說解決方法，通常來說器件的散熱性能與絕緣材料的導熱性能、壓緊力、殼的導熱性能、麵積、殼外部的風流條件有關
，可以從這幾點上下手改善。

 

或許也有人想到了同步整流技術
，但即便使用了同步整流技術，效率也不可能在提高多少，該設計目前已經達到了90%的效率，大多數達到89%。用同步整流效率不會更高多少了，那樣還是有很大的損耗，散熱還是問題。

 

或(huo)者(zhe)可(ke)以(yi)從(cong)驅(qu)動(dong)波(bo)形(xing)的(de)角(jiao)度(du)出(chu)發(fa)，如(ru)果(guo)驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)不(bu)夠(gou)，可(ke)是(shi)考(kao)慮(lv)加(jia)推(tui)挽(wan)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)。或(huo)者(zhe)可(ke)以(yi)降(jiang)低(di)電(dian)源(yuan)的(de)頻(pin)率(lv)

，來(lai)減(jian)小(xiao)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)。另(ling)外(wai)一(yi)點(dian)就(jiu)是(shi)變壓器的漏感，如果漏感大

，那麼失去的功率也就不少，發熱量也就不會小。電源過熱，容易造成熱擊穿（不可恢複），100W還不加散熱器，散熱肯定是一大問題。

 

本(ben)篇(pian)文(wen)章(zhang)從(cong)各(ge)個(ge)角(jiao)度(du)出(chu)發(fa)，對(dui)模(mo)塊(kuai)電(dian)源(yuan)的(de)散(san)熱(re)問(wen)題(ti)進(jin)行(xing)了(le)全(quan)麵(mian)的(de)分(fen)析(xi)，通(tong)過(guo)實(shi)例(li)的(de)引(yin)入(ru)方(fang)便(bian)大(da)家(jia)理(li)解(jie)。希(xi)望(wang)大(da)家(jia)能(neng)在(zai)本(ben)篇(pian)文(wen)章(zhang)給(gei)出(chu)的(de)分(fen)析(xi)當(dang)中(zhong)找(zhao)到(dao)自(zi)己(ji)想(xiang)要(yao)的(de)答(da)案(an)。