MOSguanshichangxiaoyingguandejiancheng，qibeidaliangyingyongzaishuzihemonidianludangzhong
，yingyongshifenguangfan。sanjiguanzaidianluzhongdezuoyongzhuyaoshiduidianliujinxingkongzhi，bingzaixuyaodeshihoujinxingdianxinhaodefangda。zaikaiguandianyuandangzhong
，youshiqubiesanjiguanheMOS管是有難度的，並且如何對這兩種器件進行選擇也是需要一定經驗的。所以本篇文章就將為大家介紹如何在開關電源中對三極管和MOS管進行選擇和區別。

 

首先先來看一下三極管的工作原理
，三極管是電流放大器件
，有三個極，分別叫做集電極C，基極B，發射極E。分成NPN和PNP兩種。我們僅以NPN三極管的共發射極放大電路為例來說明一下三極管放大電路的基本原理。

 

我們把從基極B流至發射極E的電流叫做基極電流Ib；把從集電極C流至發射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個電流的方向都是流出發射極的
，所以發射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向。三極管的放大作用就是：集電極電流受基極電流的控製(假設電源 能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，並且基極電流很小的變化，會引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關係：集電極電流的變化量是基極電流變 化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大倍數(β一般遠大於1
，例如幾十
，幾百)。如果我們將一個變化的小信號加到基極跟發射 極之間，這就會引起基極電流Ib的變化
，Ib的變化被放大後，導致了Ic很大的變化。三極管是電流控製型器件。

 

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數 情況下，這個兩個區是一樣的

，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

 

當MOS電容的柵極(Gate)相對於襯底(BACKGATE)正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表麵。隨著GATE電壓的升高，會出現表麵的電子比空穴多的情況。 由於過剩的電子，矽表層看上去就像N型矽。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的矽層叫做溝道(channel)。隨著GATE電壓的持續不斷 升高，越來越多的電子在表麵積累，channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓 差小於閾值電壓時，不會形成channel。所以MOS是電壓控製型器件。

 

場效應管是電壓控製元件
，而晶體管是電流控製元件。在隻允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管
；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

 

場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)是(shi)利(li)用(yong)多(duo)數(shu)載(zai)流(liu)子(zi)導(dao)電(dian)，所(suo)以(yi)稱(cheng)之(zhi)為(wei)單(dan)極(ji)型(xing)器(qi)件(jian)
，而(er)晶(jing)體(ti)管(guan)是(shi)即(ji)有(you)多(duo)數(shu)載(zai)流(liu)子(zi)
，也(ye)利(li)用(yong)少(shao)數(shu)載(zai)流(liu)子(zi)導(dao)電(dian)。被(bei)稱(cheng)之(zhi)為(wei)雙(shuang)極(ji)型(xing)器(qi)件(jian)。

 

有些場效應管的源極和漏極可以互換使用
，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

 

場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)能(neng)在(zai)很(hen)小(xiao)電(dian)流(liu)和(he)很(hen)低(di)電(dian)壓(ya)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia)工(gong)作(zuo)，而(er)且(qie)它(ta)的(de)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)可(ke)以(yi)很(hen)方(fang)便(bian)地(di)把(ba)很(hen)多(duo)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)集(ji)成(cheng)在(zai)一(yi)塊(kuai)矽(gui)片(pian)上(shang)，因(yin)此(ci)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)在(zai)大(da)規(gui)模(mo)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)中(zhong)得(de)到(dao)了(le)廣(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用(yong)。

 

場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)具(ju)有(you)較(jiao)高(gao)輸(shu)入(ru)阻(zu)抗(kang)和(he)低(di)噪(zao)聲(sheng)等(deng)優(you)點(dian)
，因(yin)而(er)也(ye)被(bei)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)及(ji)各(ge)種(zhong)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)中(zhong)。尤(you)其(qi)用(yong)場(chang)效(xiao)管(guan)做(zuo)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)的(de)功(gong)率(lv)驅(qu)動(dong)，可(ke)以(yi)獲(huo)得(de)一(yi)般(ban)晶(jing)體(ti)管(guan)很(hen)難(nan)達(da)到(dao)的(de)性(xing)能(neng)。

 

場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類
，其控製原理都是一樣的。

 

三極管BJT與場效應管FET的區別很多
，簡單列出幾條：

 

三極管用電流控製，MOS管屬於電壓控製
，BJT放大電流，FET將柵極電壓轉換為漏極電流。BJT第一參數是電流放大倍數β值
，FET第一參數是跨導gm
；

 

驅動能力：MOS管常用來電源開關管，以及大電流地方開關電路；

 

成本問題：三極管便宜，MOS管貴；

 

BJT線性較差，FET線性較好；

 

BJT噪聲較大
，FET噪聲較小；

 

BJT極性隻有NPN和PNP兩類
，FET極性有N溝道、P溝道


，還有耗盡型和增強型,所以FET選型和使用都比較複雜；

 

功耗問題：BJT輸入電阻小
，消耗電流大，FET輸入電阻很大
，幾乎不消耗電流
；

 

所以實際上
，三極管與MOS管相比，價格便宜且使用方便，在應用方麵
，數字電路上更偏向使用三極管，而MOS管更偏向在高頻高速的電路中使用，適合大電流的場合，對基極或漏極控製電流比較敏感的地方也同樣適用

 

實際上就是三極管比較便宜
，用起來方便，常用在數字電路開關控製；MOS管(guan)用(yong)於(yu)高(gao)頻(pin)高(gao)速(su)電(dian)路(lu)，大(da)電(dian)流(liu)場(chang)合(he)

，以(yi)及(ji)對(dui)基(ji)極(ji)或(huo)漏(lou)極(ji)控(kong)製(zhi)電(dian)流(liu)比(bi)較(jiao)敏(min)感(gan)的(de)地(di)方(fang)。從(cong)目(mu)前(qian)的(de)趨(qu)勢(shi)來(lai)看(kan)，不(bu)管(guan)是(shi)在(zai)分(fen)立(li)元(yuan)件(jian)還(hai)是(shi)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)當(dang)中(zhong)，MOS替代三極管將很有可能成為一種趨勢。