一般情況下
，100fF電容器不多。即使有
，它們也會因寄生問題而提供寬泛的容差。不過在你的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。隻有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。

 

圖1是這些非計劃中電容的一個實例。圖中的右側是一個垂直安裝的FET，所帶的開關節點與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側進入
，到達距漏極連接1cm以內的位置。這就是故障點
，在這裏FET的開關電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。

 

 

圖1：開關節點與輸入連接臨近，會降低EMI性能

　　

注zhu意yi
，漏lou極ji連lian接jie與yu輸shu入ru引yin線xian之zhi間jian有you一yi些xie由you輸shu入ru電dian容rong器qi提ti供gong的de屏ping蔽bi。該gai電dian容rong器qi的de外wai殼ke連lian接jie至zhi主zhu接jie地di
，可ke為wei共gong模mo電dian流liu提ti供gong返fan回hui主zhu接jie地di的de路lu徑jing。如ru圖tu2所示，這個微小的電容會導致電源EMI簽名超出規範要求。

 

 

圖2：寄生漏極電容導致超出規範要求的EMI性能

　　

這是一條令人關注的曲線
，因為它反映出了幾個問題：明顯超出了規範要求的較低頻率輻射
、共模問題通常很明顯的1MHz至2MHz組件
，以及較高頻率組件的衰減正弦(x)/x分布。需要采取措施讓輻射不超出規範。我們利用通用電容公式將其降低了：C=ε˙A/d。

 

我們無法改變電容率(ε)，而且麵積(A)也已經是最小的了。不過
，我們可以改變間距(d)。如圖3所示

，我們將組件與輸入的距離延長了3倍。最後
，我們采用較大接地層增加了屏蔽。

 

 

圖3：修改後的布局可增加間距
，且還可帶來屏蔽性能

　　

圖4是修改後的效果圖。我們在故障點位置為EMI規範獲得了大約6dB的裕量。此外，我們還顯著減少了總體EMI簽qian名ming。所suo有you這zhe些xie改gai善shan都dou僅jin僅jin是shi因yin為wei布bu局ju的de調tiao整zheng
，並bing未wei改gai變bian電dian路lu。如ru果guo您nin的de電dian路lu具ju有you高gao電dian壓ya開kai關guan並bing使shi用yong了le屏ping蔽bi距ju離li，您nin需xu要yao非fei常chang小xiao心xin地di對dui其qi進jin行xing控kong製zhi。

 

 

圖4：EMI性能通過屏蔽及增加的間距得到了改善

　　

由上述實例我們可以總結出來自離線開關電源開關節點的100fF電容會導致超出規範要求的EMI簽qian名ming。這zhe種zhong電dian容rong量liang隻zhi需xu寄ji生sheng元yuan件jian便bian可ke輕qing鬆song實shi現xian，例li如ru對dui漏lou極ji連lian接jie進jin行xing路lu由you，使shi其qi靠kao近jin輸shu入ru引yin線xian。通tong常chang可ke通tong過guo改gai善shan間jian距ju或huo屏ping蔽bi來lai解jie決jue該gai問wen題ti。要yao想xiang獲huo得de更geng大da衰shuai減jian
，需xu要yao增zeng加jia濾lv波bo或huo減jian緩huan電dian路lu波bo形xing。