智能功率模塊(IntelligentPowerModule
，IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗幹擾能力強
、無須采取防靜電措施
、體積小等優點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。

智能功率模塊(IPM)的結構

IPM由高速、低功率IGWT、優選的門級驅動器及保護電路構成。其中
，IGBT是GTR和MOSFET的複合
，由MOSFET驅動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度
、低飽和電壓
、高耐壓、MOSFET高輸入阻抗
、高開關頻率和低驅動功率的優點。
根據內部功率電路配置情況
，IPM有多種類型，如PM200DSA060型：IPM為D型(內部集成2個IGBT)，其內部功能框圖如圖1所示

，內部結構如圖2所示。內有驅動和保護電路，保護功能有控製電源欠壓鎖定保護
、過熱保護、過流保護和短路保護，當其中任一種保護功能動作時。IPM將輸出故障信號FO。
IPM內部電路不含防止幹擾的信號隔離電路、自保護功能和浪湧吸收電路。為了保證IPM安全可靠。需要自己設計部分外圍電路。
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智能功率模塊(IPM)的外部驅動電路設計

IPM的外部驅動電路是IPM內部電路和控製電路之間的接口，良好的外部驅動電路對以IPM構成的係統的運行效率
、可靠性和安全性都有重要意義。

由IPM內部結構圖可見，器件本身含有驅動電路。所以隻要提供滿足驅動功率要求的PWM信號

、驅動電路電源和防止幹擾的電氣隔離裝置即可。但是.IPM對驅動電路輸出電壓的要求很嚴格：驅動電壓範圍為13.5V~16.5V，電壓低於13.5V將發生欠壓保護，電壓高於16.5V可能損壞內部部件，驅動信號頻率為5Hz-20kHz，且需采用電氣隔離裝置。防止幹擾：驅動電源絕緣電壓至少是IPM極間反向耐壓值的2倍(2Vces)，驅動電流達19mA一26mA，驅動電路輸出端的濾波電容不能太大
，這是因為當寄生電容超過100pF時。噪聲幹擾將可能誤觸發內部驅動電路。
圖3所示是一種典型的高可靠性IPM外部驅動電路方案。來自控製電路的PWM信號經R1限流.再經高速光耦隔離並放大後接IPM內部驅動電路並控製開關管工作，FO信號也經過光耦隔離輸出。其中每個開關管的控製電源端采用獨立隔離的穩壓。15V電源，且接1隻10μF的退耦電容器(圖中未畫出)以濾去共模噪聲。Rl根據控製電路的輸出電流選取.如用DSP產生PWM

，則R1的阻值可為330Ω。R2根據IPM驅動電流選值，一方麵應盡可能小以避免高阻抗IPM拾取噪聲。另一方麵又要足夠可靠地控製IPM。可在2kΩ~6.8kΩ內選取。C1為2端與地間的O.1μF濾波電容器，PWM隔離光耦的要求是tPLH10kV/μs
，可選用HCPIA503型
、HCPIA504型、PS204l型(NEC)等高速光耦，且在光耦輸入端接1隻O.1μ的退耦電容器(圖中未畫出)。FO輸出光耦可用低速光耦(如PC817)。IPM的內部引腳功能如表1所示。
圖3的外部接口電路直接固定在PCB上且靠近模塊輸入腳，以減少噪聲和幹擾，PCB上布線的距離應適當，避免開關時幹擾引起的電位變化。

另外，考慮到強電可能造成外部驅動電路到IPM引線的幹擾，可以在引腳1~4間，3~4間，4~5間根據幹擾大小加濾波電容器。
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智能功率模塊(IPM)的保護電路設計

由於IPM本身提供的保護電路不具備自保護功能
，所以要通過外圍硬件或軟件的輔助電路將內部提供的：FO信號轉換為封鎖IPM的控製信號
，關斷IPM，實現保護。

1、硬件

IPM有故障時，FO輸出低電平
，通過高速光耦到達硬件電路
，關斷PWM輸出，從而達到保護IPM的目的。具體硬件連接方式如下：在PWM接口電路前置帶控製端的3態收發器(如74HC245)。PWM信號經過3態收發器後送至IPM接口電路，IPM的故障輸出信號FO經光耦隔離輸出送入與非門。再送到3態收發器使能端OE。IPM正常工作時與非門輸出為低電平。3態收發器選通，IPM有故障時與非門輸出為高電平。3態收發器所有輸出置為高阻態。封鎖各個IPM的控製信號，關斷IPM，實現保護。

2

、軟件

IPM有故障時FO輸出低電平，FO信號通過高速光耦送到控製器進行處理。處理器確認後。利用中斷或軟件關斷IPM的PWM控製信號，從而達到保護目的。如在基於DSP控製的係統中
，利用事件管理器中功率驅動保護引腳(PDPINT)中斷實現對IPM的保護。通常1個事件管理器嚴生的多路PWM可控製多個IPM工作.其中每個開關管均可輸出FO信號，每個開關管的FO信號通過與門.當任一開關管有故障時輸出低電平
，與門輸出低電平。將該引腳連至PDPINT，由於PDPINT為低電平時DSP中斷，所有的事件管理器輸出引腳均被硬件設置為高阻態
，從而達到保護目的。

以上2種方案均利用IPM故障輸出信號封鎖IPM的控製信號通道，因而彌補了IPM自身保護的不足，有效地保護了器件。

智能功率模塊(IPM)的緩衝電路設計

在IPM應用中，由於高頻開關過程和功率回路寄生電感等疊加產生的di/dt、dv/dt和瞬時功耗會對器件產生較大的衝擊，易損壞器件
，因此需設置緩衝電路(即吸收電路)，目的是改變器件的開關軌跡

，控製各種瞬態過壓
，降低器件開關損耗，保護器件安全運行。
圖4為常用的3種IPM緩衝電路。圖4(a)為單隻無感電容器構成的緩衝電路

，對瞬變電壓有效且成本低

，適用於小功率IPM。圖4(b)為RCD構成的緩衝電路，適用於較大功率IPM.緩衝二極管D可箝住瞬變電壓

，從而抑製由於母線寄生電感可能引起的寄生振蕩。其RC時間常數應設計為開關周期的1/3，即r=T/3=1/3f。圖4(c)為P型RCD和N型RCD構成的緩衝電路，適用於大功率IPM。功能類似於圖4(b)所示的緩衝電路，其回路電感更小。若同時配合使用圖4(a)所示的緩衝電路。還能減小緩衝二極管的應力，緩衝效果更好。

在圖4(c)中
，當IGBT關斷時
，負載電流經緩衝二極管向緩衝電容器充電

，同時集電極電流逐漸減少
，由於電容器二端的電壓不能突變
，所以有效地限製了IGBT集電極電壓上升率dv/dt。也避免了集電極電壓和集電極電流同時達到最大值。IGBT集電極母線電感
、電路及其元件內部的雜散電感在IGBT開通時儲存的能量，這時儲存在緩衝電容器中。當IGBT開通時
，集電極母線電感以及其他雜散電感又有效地限製了IGBT集電極電流上升率di/dt.同樣也避免了集電極電壓和集電極電流同時達到最大值。此時，緩衝電容器通過外接電阻器和IGBT開關放電，其儲存的開關能量也隨之在外接電阻器和電路
、元件內部的電阻器上耗散。如此
，便將IGBT運行時產生的開關損耗轉移到緩衝電路
，最後在相關電阻器上以熱的形式耗散，從而保護IGBT安全運行。
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圖4(c)中的電阻值和電容值按經驗數據選取：如PM200DSA060的電容值為0.221xF~0.47xF
，耐壓值是IGBT的1.1倍~1.5倍，電阻值為10?—20
，電阻功率按P=fCU2xlO-6計算，其中f為IGBT工作頻率，u為IGBT的工作峰值電壓。C為緩衝電路與電阻器串聯電容。二極管選用快恢複二極管。為了保證緩衝電路的可靠性，可以根據功率大小選擇封裝好的圖4所示的緩衝電路。

另外
，由於母線電感、緩衝電路及其元件內部的雜散電感對IPM尤其是大功率IPM有極大的影響，因此愈小愈好。要減小這些電感需從多方麵人手：直流母線要盡量地短，緩衝電路要盡可能地靠近模塊，選用低電感的聚丙烯無極電容器、與IPM相匹配的快速緩衝二極管及無感泄放電阻器。

智能功率模塊(IPM)在單相全橋逆變器中的應用

圖5所示的單相全橋逆變電路主要由逆變電路和控製電路組成。逆變電路包括逆變全橋和濾波電路，其中逆變全橋完成直流到交流的變換.濾波電路濾除諧波成分以獲得需要的交流電
，控製電路完成對逆變橋中開關管的控製並實現部分保護功能。
圖中的逆變全橋由4個開關管和4個續流二極管組成，工作時開關管在高頻條件下通斷.開關瞬間開關管電壓和電流變大，損耗大
，結溫升高
，加上功率回路寄生電感、振蕩及噪聲等。極易導致開關管瞬間損壞，以往常用分立元件設計開關管的保護電路和驅動電路，導致電路龐大且不可靠。

本文采用一對PM200DSA060雙單元IPM模塊分別代替圖中Vl
、D1
、V2
、D2組合和V3
、D3、v4
、D4組合構成全橋逆變電路，利用DSP對IPM的控製
，完成了中頻率20kW、230V逆變器的設計和調試，采用了如上所述的驅動電路、圖4(c)中的緩衝電路和基於DSP控製的軟件IPM保護電路。設計實踐表明：使用IPM可簡化係統硬件電路、縮短係統開發時間、提高可靠性、縮小體積

，提高保護能力。

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