ST超高速串聯二極管自問世以來一直深受市場歡迎，至今出貨量已超過5千萬顆。為了讓設計人員以更高成本效益提升電源、太陽能逆變器和電動交通工具充電樁的能效，意法半導體（ST）推出了第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管（tandem diodes）。與ST第一代產品相比
，新的超高速串聯二極管產品降低了反向恢複電荷(QRR，reverse-recovery charge)
，從而能夠最大限度降低開關損耗，能效優勢高於標準超高速二極管。QRR 參數變低還有助於加快電路設計的微調速度
，縮短設備廠商的新產品上市時間。

第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管性能在開關頻率高達100KHz和結溫低於100攝氏度時

，可與碳化矽二極管相媲美，但價格比碳化矽二極管低至少30%。SiC二極管的性能不受結溫的影響，在結溫高於100攝氏度時，SiC二極管性能高於超高速串聯二極管。目前ST已開發出650V
、20A的SiC二極管，使得其SiC二極管產品係列支持正向電流為4A、6A、8A、12A和20A的不同應用。

ST第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管包括平均正向電流為8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI與 12A的STTH12T06DI，屬於意法半導體600V串聯二極管係列。新產品的正向湧流峰值與超高速二極管相同
，確保穩健性和可靠性，工作結溫範圍寬達 -40°C到 175°C。

這三款器件現已全部投入量產，采用TO-220AC絕緣散熱柱型封裝。