通常，作為設計過程的一個組成部分
，您會有一套包括了輸入電壓範圍和期望輸出電壓的規範，並且需要選擇一些FET。另外
，如果您是一名IC 設計人員，則您還會有一定的預算
，其規定了FET成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET芯片麵積。之後
，這些輸入可用於對各個FET麵積進行效率方麵的優化。


首先，FET電阻與其麵積成反比例關係。因此

，如果為FET分配一定的總麵積
，同時您讓高側麵積更大（旨在降低其電阻），則低側的麵積必須減小，而其電阻增加。其次，高側和低側FET導電時間的百分比與VOUT/VIN的轉換比相關，其首先等於高側占空比(D)。高側FET導通D百分比時間，而剩餘(1-D)百分比時間由低側FET導通。圖1顯示了標準化的傳導損耗
，其與專用於高側FET的FET麵積百分比（X 軸）以及轉換因數（曲線）xiangguan。henmingxian，mougeshedingzhuanhuanbilvtiaojianxia，kezaigaocehedicezhijianshixianzuijiaxinpianmianjifenpei，zheshizongchuandaosunhaozuixiao。dizhuanhuanbilvtiaojianxia
，qingshiyongjiaoxiaodegaoceFET。反之，高轉換比率時
，請在頂部使用更多的FET。麵積分配至關重要，因為如果輸出增加至3.6V，則針對12V：1.2V 轉換比率（10% 占空比）進行優化的電路

，其傳導損耗會增加30%，而如果輸出進一步增加至6V，則傳導損耗會增加近80%。最後，需要指出的是
，50% 高側麵積分配時所有曲線都經過同一個點。這是因為兩個FET電阻在這一點相等。


通過圖1，我們知道50%zhuanhuanbilvshichuxianzuijiachuandaosunhaojizhi。danshi
，zaiqitazhuanhuanbilvtiaojianxia，keyijiangsunhaojiangzhizheyishuipingyixia。fulugeichulejinxingzhezhongyouhuadeshuxuejisuanfangfa，ertu2顯示了其計算結果。即使在極低的轉換比率條件下，FET芯片麵積的很大一部分都應該用於高側FET。高轉換比率時同樣如此；應該有很大一部分麵積用於低側。這些結果是對這一問題的初步研究，其並未包括如高側和低側FET之間的各種具體電阻值
，開關速度的影響
，或者對這種芯片麵積進行封裝相關的成本和電阻等諸多方麵。但是，它為確定FET之間的電阻比提供了一個良好的開端
，並且應會在FET選擇方麵實現更好的整體折中。

附錄：圖2的推導過程