具備出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值的MOSFET
發布時間:2013-01-27 責任編輯:alexwang
【導讀】憑借在功率MOSFET領域的領先地位,恩智浦半導體近日推出了其NextPower Live產品組合,設計出專門用於“熱插拔”環境的全新線性模式的功率MOSFET係列。NextPower Live係列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值,該獨特組合展示了恩智浦在該領域的技術能力。

圖題 針對熱插拔應用設計
運行於全天候網絡世界的大部分基礎設施(從雲計算和移動電話到ATM和交通管理)由永久性處於工作(開啟)狀態的機架式係統組成。正因如此,驅動這些係統的電路板和元件必須能夠實現“熱插拔”工作,以實現在無需關閉設備電源的條件下即可進行產品升級和維護。恩智浦NextPower Live MOSFET旨在為這樣的係統提供了最佳的性能。
在應用過程中,為應對更換板卡插入工作係統時的衝擊電流,需要MOSFET具有強大的線性工作區域和很寬的安全運行區域(SOA)來防止電湧;但是,在過去需要使用RDS(on)較高且效率極低的老一代MOSFET,現在恩智浦NextPower Live係列已克服了該難題,隻要係統安全安裝並運行,即可提供很強的線性模式性能以及實現高效(Rdson 很低)。
恩智浦半導體MOSFET業務經理Chris Boyce表示:“我們生活在計算和通信基礎設施不間斷的一個永無停歇的世界之中,享受始終連接、始終在線且沒有中斷的社會,這就需要特殊類型的元件能夠處理關鍵任務的應用需求 。過去,基礎設施所有者被迫使用可應對被安裝到某個活動環境的老一代MOSFET,但係統卻引入的高電阻值的MOSFET,它造成了過多的功率損耗且提高了機架的整體溫度。我們的NextPower Live MOSFET將改變了這一切,讓其在無中斷可靠加電後以極低的RDS(on)值工作,並實現高效率,目前其他解決方案都無法提供可與之相比擬的性能參數。”
NextPower Live產品組合兼具30V設備(針對工作電壓為12V DC的刀片服務器等應用)和100V設備(針對工作電壓為標稱48V DC的電信應用)。具有這兩種電壓範圍的MOSFET采用D2PAK封裝和LFPAK56(兼容Power-SO8)封裝,現已上市。恩智浦半導體還在針對以太網供電(PoE)等其他相關線性模式應用開發NextPower Live MOSFET。
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