與傳統產品相比，顯著減少器件數目的600V MOSFET
發布時間：2012-12-30 責任編輯：abbywang
【導讀】TOSHIBA公司發布600V係統超級結MOSFET DTMOS IV係列，與傳統產品相比，RON•A 降低達 30%。這種改進使得芯片於各種封裝中實現了更低的導通電阻，這就提高了電源效率也顯著地減少了集成組件數量。
600V係統超級結MOSFET DTMOS IV係列: TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W。東芝已經開發出第四代600V係統超級結MOSFET DTMOS IV係列。該係列采用了最新的單層外延工藝， 所以顯著地提高了性能，其數字元元化的優點是，與傳統產品 (DTMOSIII) 相比，RON•A 降低達 30%。這種對於RON•A的改進使得芯片於各種封裝中實現了更低的導通電阻，這就提高了電源效率也顯著地減少了集成組件數量。
圖1: 600V係統超級結MOSFET DTMOS IV係列
特征
與傳統產品(DTMOS III)相比，RON•A下降了30%。
因為采用了單層外延工藝，所以高溫時的低導通電阻有略微上升。
由於COSS降低，EOSS比傳統產品(DTMOS III)下降了12%。
導通電阻(RDS(ON)最大值)的陣容廣泛:0.9至0.018Ω。
封裝陣容廣泛
應用
開關電源、微型逆變器、LED 照明、LCD 電視機、適配器、充電器。
圖2：電路實例
圖3：半橋式AC-DC電源的電路實例
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