可作為電流控製開關的40V MOSFET,無任何浪費
發布時間:2012-12-29 責任編輯:easonxu
【導讀】Fairchild的 40V PowerTrench MOSFET 產(chan)品(pin)在(zai)動(dong)力(li)操(cao)控(kong)應(ying)用(yong)中(zhong)提(ti)供(gong)了(le)更(geng)好(hao)的(de)電(dian)力(li)控(kong)製(zhi)功(gong)能(neng)及(ji)更(geng)高(gao)效(xiao)率(lv),器(qi)件(jian)具(ju)有(you)最(zui)低(di)電(dian)阻(zu)和(he)低(di)總(zong)閘(zha)極(ji)電(dian)荷(he)以(yi)降(jiang)低(di)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao),因(yin)此(ci)非(fei)常(chang)適(shi)合(he)於(yu)電(dian)力(li)操(cao)控(kong)係(xi)統(tong)、懸架控製及動力傳動管理應用。
汽車動力操控(Power Steering)係統設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控製的解決方案。Fairchild 的40V N 信道 PowerTrench®MOSFET 產品可協助設計者應對這些挑戰。
FDB9403 采用Fairchild的屏蔽閘極技術,改進了電阻並降低了電容。 該器件提供比最接近競爭產品低 20% 的 RDS(ON)值,同時具備低 Qg值,可降低了功率損耗並最終提高整體效率。 FDB9403 MOSFET 產品作為基本的電流控製開關,有效地控製了電力,無任何浪費,因此非常適合於電力操控係統、懸架控製及動力傳動管理應用。
特點及優點:
在 VGS= 10V 和ID = 80A時,更低功率損耗的典型值 RDS(ON)= 1mΩ,從而實現更高效率
在 VGS = 10V和ID = 80A 時,典型值 Qg(tot) = 164nC,功耗更低,從而實現更高效率
UIS 能力
符合 RoHS 及 AEC Q101 標準
封裝
FDB9403 采用 D2PAK TO-263AB 封裝。
Fairchild在功率半導體器件及模塊封裝方麵的專業知識,結合大量測試、仿真及高質量製造經驗,使該公司提供的產品在最苛刻的汽車環境中亦能可靠地工作。 由於擁有世界各地的設計、製造、組裝及測試基地,Fairchild具有良好的裝備,從而滿足了汽車製造商在質量、可靠性及可用性方麵的需求。
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