標準NPN穩壓器的優點是具有約等於PNP晶體管(guan)基(ji)極(ji)電(dian)流(liu)的(de)穩(wen)定(ding)接(jie)地(di)電(dian)流(liu)，即(ji)使(shi)沒(mei)有(you)輸(shu)出(chu)電(dian)容(rong)也(ye)相(xiang)當(dang)穩(wen)定(ding)。這(zhe)種(zhong)穩(wen)壓(ya)器(qi)比(bi)較(jiao)適(shi)合(he)電(dian)壓(ya)差(cha)較(jiao)高(gao)的(de)設(she)備(bei)使(shi)用(yong)
，但(dan)較(jiao)高(gao)的(de)壓(ya)差(cha)使(shi)得(de)這(zhe)種(zhong)穩(wen)壓(ya)器(qi)不(bu)適(shi)合(he)許(xu)多(duo)嵌(qian)入(ru)式(shi)設(she)備(bei)使(shi)用(yong)。

對於嵌入式應用而言，NPN旁(pang)路(lu)晶(jing)體(ti)管(guan)穩(wen)壓(ya)器(qi)是(shi)一(yi)種(zhong)不(bu)錯(cuo)的(de)選(xuan)擇(ze)，因(yin)為(wei)它(ta)的(de)壓(ya)差(cha)小(xiao)，而(er)且(qie)非(fei)常(chang)容(rong)易(yi)使(shi)用(yong)。不(bu)過(guo)這(zhe)種(zhong)穩(wen)壓(ya)器(qi)仍(reng)不(bu)適(shi)合(he)具(ju)有(you)很(hen)低(di)壓(ya)差(cha)要(yao)求(qiu)的(de)電(dian)池(chi)供(gong)電(dian)設(she)備(bei)使(shi)用(yong)，因(yin)為(wei)它(ta)的(de)壓(ya)差(cha)不(bu)夠(gou)低(di)。它(ta)的(de)高(gao)增(zeng)益(yi)NPN旁路管可使接地電流穩定在幾個毫安，而且它的公共發射極結構具有很低的輸出阻抗。

PNP 旁路晶體管是一種低壓差穩壓器，其中的旁路元件就是PNP晶體管。它的輸入輸出壓差一般在0.3到0.7V之間。因為壓差低，因此這種PNP旁路晶體管穩壓器非常適合電池供電的嵌入式設備使用。不過它的大接地電流會縮短電池的壽命。另外，PNP晶(jing)體(ti)管(guan)增(zeng)益(yi)較(jiao)低(di)，會(hui)形(xing)成(cheng)數(shu)毫(hao)安(an)的(de)不(bu)穩(wen)定(ding)接(jie)地(di)電(dian)流(liu)。由(you)於(yu)采(cai)用(yong)公(gong)共(gong)發(fa)射(she)極(ji)結(jie)構(gou)，因(yin)此(ci)它(ta)的(de)輸(shu)出(chu)阻(zu)抗(kang)比(bi)較(jiao)高(gao)
，這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)需(xu)要(yao)外(wai)接(jie)特(te)定(ding)範(fan)圍(wei)容(rong)量(liang)和(he)等(deng)效(xiao)串(chuan)聯(lian)電(dian)阻(zu)（ESR）的電容才能夠穩定工作。

由於P溝道FET穩壓器具有較低的壓差和接地電流，因此目前被廣泛用於許多電池供電的設備。該類型穩壓器將P溝道FET用作它的旁路元件。這種穩壓器的電壓差可以很低，因為很容易通過調整FET尺寸將漏-源阻抗調整到較低值。另一個有用的特性是低的接地電流，因為P溝道FET的“柵極電流”很低。然而，由於 P溝道FET具有相對大的柵極電容，因此它需要外接具有特定範圍容量與ESR的電容才能穩定工作。

N溝道FET穩壓器非常適合那些要求低壓差、低接地電流和高負載電流的設備使用。用於旁路管采用的是N溝道FET，因此這種穩壓器的壓差和接地電流都很低。雖然它也需要外接電容才能穩定工作，但電容值不用很大
，ESR也不重要。N溝道FET穩壓器需要充電泵來建立柵極偏置電壓，因此電路相對複雜一些。幸運的是，相同負載電流下N溝道FET尺寸最多時可比P溝道FET小50%。