日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布


，推出采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT封裝的CSP規格尺寸，具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET功率MOSFET。

這次發布的器件將用於智能手機
、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產品的電源管理應用中的電池或負載開關。MOSFET的外形緊湊小巧，可節省PCB空間並實現超薄的外形，使便攜式電子產品變得更薄
、更(geng)輕(qing)，低(di)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)可(ke)實(shi)現(xian)更(geng)低(di)的(de)傳(chuan)導(dao)損(sun)耗(hao)，以(yi)減(jian)少(shao)功(gong)耗(hao)並(bing)延(yan)長(chang)電(dian)池(chi)壽(shou)命(ming)。器(qi)件(jian)的(de)低(di)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)還(hai)可(ke)以(yi)降(jiang)低(di)負(fu)載(zai)開(kai)關(guan)上(shang)的(de)壓(ya)降(jiang)
，避(bi)免(mian)討(tao)厭(yan)的(de)欠(qian)壓(ya)鎖(suo)定(ding)。

這些MOSFET是首批采用這種規格尺寸的產品，采用超高密度技術製造
，使用自對齊工藝技術，將10億個晶體管單元裝到1平方英寸的矽片裏。通過MICRO FOOT的無封裝CSP技術，使器件在給定的外形麵積內實現了盡可能低的導通電阻。

圖題：0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET

12V Si8806DB是P溝道器件，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻為43mΩ。如需要20V電壓，Si8812DB提供59mΩ的最大導通電阻。N溝道器件適用於DC/DC升壓轉化器等高速開關應用，開啟/關斷時間小於100ns。

20V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用於降壓轉換器應用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻為76mΩ，可用於空間比導通電阻更重要的應用場合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的導通電阻更低
，隻有54mΩ，適用於導通電阻更重要的應用。

Si8489EDB是首個1mm x 1mm規格尺寸的P溝道Gen III器件

，典型ESD保護達2500V。此外
，Si8817DB可以在1.5V電壓下導通
，可以搭配手持設備中常見的更低電壓柵極驅動和更低的總線電壓一起工作，節省電平轉換電路的空間和成本。

器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的無鹵素規定。

器件規格表：

新款TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品
，並已實現量產
，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。