光伏逆變器行業與大多數電子類行業一樣，市場競爭將會經曆技術主導、成本主導等階段。目前行業正經曆著技術創新的緊張時期。

成本結構與適度效率折衷權衡

從係統角度來看，太陽能光伏產業麵臨的最大挑戰之一是太陽能麵板的陰影問題。陰影的變化、taiyangnengmianbanshangdewugouhemianbanlaohua

，douhuiduigegemianbandedianyagouchengyingxiang，congeryinqichuanlianmianbandeshuchudianyafashengbianhua。weixingnibianqishiyigetidaidejiejuefangan，tanenggouzaimianbanjishixianzuidagonglvdiangenzong(MPPT)，擁有超越中央逆變器的優勢。MPPT能夠在每塊太陽能麵板取得最佳功率點
，而無需將太陽能陣列配置成串聯，可以最大限度地減少陰影問題。

raner
，anzhaomeiwajiagekan，weixingnibianqidechengbenrengranyaobichuantongjiejuefangangaochuhenduo。weixingnibianqiyaochengweizhuliujiejuefangan，jiubixuduijuyoujingzhenglidechengbenjiegouyushidudexiaolvjinxingzhezhongquanheng
，yijiejuePV陰影問題。
[page]
緊跟逆變器市場
，不斷演進新興技術

從cong功gong率lv器qi件jian的de角jiao度du來lai看kan，由you於yu主zhu要yao的de光guang伏fu係xi統tong廠chang商shang擁yong有you各ge自zi的de光guang伏fu逆ni變bian應ying用yong專zhuan利li拓tuo撲pu，半ban導dao體ti供gong應ying商shang必bi須xu開kai發fa專zhuan用yong的de產chan品pin。因yin此ci，廠chang商shang需xu要yao緊jin跟gen太tai陽yang能neng逆ni變bian器qi市shi場chang不bu斷duan演yan進jin的de新xin興xing技ji術shu趨qu勢shi。例li如ru，由you於yu需xu要yao提ti高gao輸shu入ru電dian壓ya以yi獲huo得de更geng高gao的de效xiao率lv
，所suo以yi必bi須xu使shi用yong650V或以上MOSFET/IGBT。飛兆半導體最近發布了650V場截止Trench IGBT係列中的首款產品，並將會發布1200V FS Trench IGBT係列以及650V SuperFET II MOSFET係列(一種超級結技術)，以便在今年提供可優化太陽能逆變電源的係統設計。

更高的擊穿電壓改善了寒冷環境溫度下的可靠性，隨著溫度的降低，IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降，因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續流二極管是獲得最高效率的必要條件，650V IGBT提供了快速和軟恢複特性，能夠降低功率耗散
，並減小開啟和關斷損耗。最近飛兆半導體推出650V場截止IGBT器件FGA40N65SMD、FGA60N65SMD。這些新推出的場截止IGBT技術能夠讓設計人員開發出具有更高輸入電壓的高可靠係統設計。另外，650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度係數、嚴格的參數分布，以及較寬的安全工作區等特點。

飛兆半導體高壓功率轉換、工業及汽車(PCIA)部門的高級技術營銷經理鄭相瑉表示：“對於微型逆變器市場
，飛兆半導體正在開展客戶設計采用活動，期望使用PowerTrench中等電壓MOSFET和超級結(Super Junction)MOSFET來贏得市場地位。”

2012年下半年
，飛兆半導體計劃通過推廣即將發布的650V SuperFET 2 MOSFET
、650V和1200V 場截止IGBT
，以及300V Ultra FRFET MOSFET器件來增加市場份額。

太陽能逆變器模塊化解決方案成主流

根據主要研究機構得出的技術發展趨勢
，五年內
，超過80%的太陽能逆變器市場將被模塊解決方案占據。另外，要擴大10kW以上市場份額

，就必須使用IGBT/SPM模塊。因此，飛兆半導體將通過開發功率集成模塊(PIM)、SiC BJT和SiC二極管來提高市場占有率。並通過擴大產品組合，提高在現有用戶中的目標市場容量(SAM)，利用當前在分立業務領域的市場地位來獲取市場份額。鄭相瑉透露：“飛兆半導體的目標是成為高效率解決方案供應商，通過場截止IGBT、超級結MOSFET、SiC BJT、SiC二極管和大功率模塊(PIM)來保持飛兆半導體的市場地位。”

在zai可ke再zai生sheng能neng源yuan方fang麵mian，飛fei兆zhao半ban導dao體ti通tong過guo麵mian向xiang下xia一yi代dai電dian源yuan係xi統tong的de需xu求qiu而er專zhuan門men設she計ji和he製zhi造zao的de元yuan件jian組zu合he來lai實shi現xian高gao效xiao解jie決jue方fang案an。飛fei兆zhao半ban導dao體ti將jiang精jing深shen的de專zhuan有you工gong藝yi技ji術shu與yu創chuang新xin的de拓tuo撲pu相xiang結jie合he
，帶dai來lai了le應ying對dui設she計ji挑tiao戰zhan的de完wan整zheng的de解jie決jue方fang案an
，以yi合he理li的de成cheng本ben提ti供gong高gao性xing能neng、高效率和出色的可靠性。針對可再生能源的構建模塊係列包括：

• 具有大電流處理能力和低傳導損耗與開關損耗的IGBT和MOSFET
• 具有寬工作電壓範圍和高共模瞬態抑製的光隔離柵極驅動器
• 具有出色的抗噪能力、高dv/dt和低功耗的高電壓柵極驅動器

未來光伏逆變器的新要求

在未來一年裏
，光伏逆變器需求市場將提出哪些新的要求
？飛兆半導體高壓功率轉換
、工業及汽車(PCIA)部門的係統/應用工程經理梁聖模提到：“由於太陽能逆變器設計人員正在考慮提高逆變器的輸入電壓範圍，以改善功率轉換效率
，650V IGBT和 MOSFET等具有更高擊穿電壓的器件正越來越多地受到關注
，用於提高係統可靠性。” 今年下半年，飛兆半導體計劃通過推廣即將發布的650V SuperFET 2 MOSFET、650V和1200V 場截止IGBT，以及300V Ultra FRFET MOSFET器件來滿足此這一市場新需求。

同時可以清楚地看出，在這個由性能推動的市場中
，寬帶隙(WBG)半導體會成為提升高端太陽能逆變器係統效率的新動力。因此
，作為主要的市場推動力量，SiC二極管和開關的采用速度將會越來越快。例如：全SiC逆變器(二極管和開關)的優點是開關頻率可以比SiC IGBT高2至3倍，並且有可能將逆變器的尺寸減小一半。此外，大多數600V SiC二極管將轉向價格較低的GaN二極管
，在未來十年中，GaN二極管也會主導900V SiC二極管市場。