新聞事件：

• ST鞏固在能效功率控製市場的領導地位

事件影響：

• 是節能技術領域的一次巨大飛躍

• 減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST

；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V係列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管
，擁有最低的單位麵積通態電阻，在650V額定電壓應用中可實現最高的能效和功率密度；現在新產品的推出又將重要的能效指標提高23%以上
，對於以熱量形式損耗電能的係統功率轉換電路，如電子照明控製器
、消費電子電源和太陽能光電轉換器
，新產品的成功推出在節能技術領域是一次巨大飛躍。

意法半導體功率晶體管市場總監Maurizio Giudice表示：“新記錄突顯並鞏固了意法半導體在超結型MOSFET市場的領導地位，MDmesh V體現了意法半導體最新的經過市場檢驗的Multi-Drain Mesh技ji術shu
，新xin產chan品pin的de性xing能neng提ti升sheng讓rang客ke戶hu能neng夠gou降jiang低di應ying用yong設she計ji能neng耗hao
，同tong時shi強qiang化hua了le意yi法fa半ban導dao體ti關guan於yu提ti供gong對dui環huan境jing負fu責ze的de產chan品pin同tong時shi通tong過guo設she計ji研yan發fa創chuang新xin產chan品pin為wei客ke戶hu提ti供gong卓zhuo越yue性xing能neng的de承cheng諾nuo。”

新產品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態電阻僅為 0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場上通態電阻最低的產品，打破了同樣是MDmesh V器件創造的0.038 Ω的原行業基準。設計工程師可直接將新產品替代通態電阻較高的MOSFET來提高終端應用的能效

，或並聯更少的MOSFET晶體管，從而減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本。

相較於同類600V競爭產品，意法半導體的650V STW88N65M5及其餘的 MDmesh V產品的安全邊際更高
，從而提高MOSFET對交流電力線上常見電湧的承受能力。

意法半導體經過市場檢驗的MDmesh V產品采用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247
、D2PAK

、TO-220/FP
、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。TO-247封裝的STW88N65M5現已上市。