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• Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲Top-10 DC/DC電源產品獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布

，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET®功率MOSFET被《今日電子》雜誌評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。

《今日電子》的編輯從開創性的設計、在技術或應用方麵取得顯著進步、性價比顯著提高三個方麵，對前一年發布的數百款產品進行評選。Vishay的SiR662DP功率MOSFET憑借在DC/DC應用上的創新和成功示範，榮獲該獎項。

《今日電子》Top-10 DC/DC電源產品獎的頒獎儀式在9月8日北京國賓酒店舉行的2011電源技術研討會期間舉行。Vishay公司北京辦公室的銷售經理Alice Wei代表Vishay領取該獎項。

SiR662DP的低導通電阻意味著更低的導通損耗

，可降低能耗，尤其是重負載條件下，而低導通電阻與柵極電荷的乘積(優值係數，FOM)能夠降低高頻和開關應(ying)用(yong)中(zhong)的(de)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)
，特(te)別(bie)是(shi)在(zai)輕(qing)負(fu)載(zai)和(he)待(dai)機(ji)模(mo)式(shi)下(xia)。器(qi)件(jian)的(de)高(gao)效(xiao)率(lv)使(shi)設(she)計(ji)者(zhe)能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)係(xi)統(tong)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)，在(zai)更(geng)加(jia)綠(lv)色(se)環(huan)保(bao)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)中(zhong)實(shi)現(xian)更(geng)低(di)的(de)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)。