產品特性：

• 最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能
• 更高的耐受電壓

應用範圍：

• 可接收到的微弱微波信號
• 在廣大的頻寬中提供穩定運作

瑞薩新款SiGe:C異質接麵晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接麵晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用於無線局域網絡係統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程采用全新開發的矽鍺：碳(SiGe:C)材料並達到領先業界的低噪聲效能。

新款SiGe:C HBT晶體管可將無線接收到的微弱微波信號放大為適合的水平，以達到0.75 dB的噪聲值
，為無線局域網絡及其它應用所使用5.8 GHzpinduandeyejiezuigaoshuiping。youyunenggouyirucididezaoshengfangdaxinhaoqiangdu，yinciketigaozhongduanchanpindetongxunjieshoulingmindu。youyutakejianshaoxunhaochuanshucuowu，yinciqiyunzuohaodianliangkejiangdizhijutongdengxiaonengzhiruisadianzixianyouchanpindesifenzhiyi。 瑞薩電子銷售適用於微波放大器應用的晶體管及IC，為無線局域網絡
、消費性家用無線電話、地麵數字電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案，並且在微波應用晶體管領域獲得業界第一的市場占有率(瑞薩電子的估計)。在上述背景之中，瑞薩電子已開發出采用SiGe:C材料的全新製程技術，以響應市場對於更低噪聲的需求，並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎，瑞薩電子已開發並推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置，可達到業界最高水平的低噪聲效能，並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。

(1) 業界最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能

利用上述新開發的SiGe:C製程，瑞薩電子5.8 GHz頻段SiGe:C HBT及SiGe HBT裝置可達到業界最低的噪聲值0.75 dB。相較於瑞薩電子先前的SiGe HBT裝置
，改善了0.35 dB。另外
，此裝置在最小噪聲值條件下可獲得14.0 dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號傳輸錯誤減少，而且新裝置能以瑞薩電子先前產品四分之一的耗電量
，提供接近的效能。

(2) 更高的耐受電壓可在廣大的頻寬中提供穩定運作

在早期以矽為基礎的異質接麵晶體管中，無法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少噪聲，而這限製了這些裝置可使用的應用範圍。在此新款產品中，瑞薩電子最佳化集極-基極的特征
，使其能夠確保4.3 V的耐受電壓等級。如此提高了所使用的電壓供應範圍，並且在數MHz到14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定的運作效能，使此裝置可用於更廣泛的應用範圍。例如，它支持所有ISM頻段應用
，包括智能電網、智能電表及家庭局域網絡(HAN)應用。

另外，由於此晶體管是為了微波應用而開發的
，因此瑞薩電子提供業界標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩電子封裝名稱：M04封裝)。yinci
，cichanpinyouzhuyujianshaoshiyongzhezhongduanchanpindezhizaobuzhou

，liruyouyuxianyoufengzhuangdelianghaojilu

，kejianhuaanzhuangpingguchengxu，huozheshiyongxianyoudedianlubanxianlutu，jinxushaoweixiugaizhouweidedianlu。

在利用上述新製程的優勢，擴充其具有業界最高水平低噪聲效能的雙極晶體管產品線的同時，瑞薩電子亦承諾將此新製程部署至微波IC的開發，並進一步提供此領域的解決方案，以響應市場需求。