IR推出提供基準導通電阻的40V至200V車用MOSFET
發布時間:2011-09-20 來源:IR公司
產品特性:
- 提供基準導通電阻
- 電壓範圍從 40V 至 200V
- 符合 AEC-Q101 標準,環保,不含鉛
應用範圍:
- 電動助力轉向係統、集成式起動發電泵和電機控製
- 內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平台上的重載應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 係列,可為一係列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉向係統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控製,以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平台上的其它重載應用。
全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 係列采用多款表麵貼裝器件 (SMD) 封裝,電壓範圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品係列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐,60V 下最大為2.1 毫歐,75V 下為 2.6 毫歐,100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR 全新車用溝道 MOSFET 係列可在下一代汽車應用,包括集成式起動發電機和電動助力轉向係統應用中實現基準性能。”
所有 IR 車用 MOSFET 產品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質量理念,並經過了動態和靜態器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經過1, 000 次溫度循環測試後,導通電阻變化幅度不能超過 20%。然而,經過延長測試後,IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環時的最大導通電阻變化不到 10%,體現了該物料單的高強度和耐用性。
新器件符合 AEC-Q101 標準,所采用的材料環保,不含鉛,也符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。
產品規格

邏輯電平柵級驅動

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