新聞事件：

• 晶體管也玩立體化 Intel Ivy Bridge前景樂觀

事件影響：

• Intel推出了IvyBridge處理器
• 22nm的3D晶體管首次亮相

今年年初，Intel正式發布了SandyBridge架構，從筆記本、台式機到服務器都一應俱全，幾個月內SnB大潮就已經席卷了整個市場。如今在桌麵平台方麵
，已經更新到第二代Z68等芯片組了，推陳出新速度非常之快。

然而今年的處理器市場競爭非常激烈，三季度AMD的推土機平台就要上市，之前的Llano架構APU就很受關注
，其整合的顯示核心性能超越了Intel同類產品
，功耗方麵也得到了很好的控製。因此推土機平台更加值得期待。

不過作為業界老大的Intel自然也有自己的對策
，接連拋出了SandyBridge-E和IvyBridge，用以對抗AMD推土機。

SandyBridge-E可以看做是SnB的增強版本，擁有更大容量的三級緩存，支持四通道DDR3內存和更高頻率和雙路全速PCI-E2.0x16顯卡並聯，超頻不錯，存儲方麵也非常靈活性
，支持多達十四個SATA接口，其中十個支持SATA6Gbps、八個支持SAS。

而IvyBridge則是Intel的下一代平台，它將3D晶體管引入了CPU之中，也是首款采用3D晶體管的產品。接下來就讓我們來具體了解一下IvyBridge吧。

IvyBridge平台性能強大

IvyBridge處理器采用22nm新工藝製造，在內核架構上與32nmSandyBridge沒有太大變化，隻是一些細節上的增強和完善，比如支持PCI-E3.0標準規範，內存支持1.5VDDR3-1600。

IvyBridge處理器仍將由處理核心、三級緩存

、圖形核心、內存控製器、係統助手、顯示控製器、顯示接口
、PCI-EI/O控製器、DMI總線控製器等眾多模塊整合而成。

IvyBridge處理器擁有8MB三級緩存、超線程技術、TurboBoost2.0動態加速技術、LLCCPU/GPU緩存共享、改進的AVX/AES-NI指令集
、電源感應中斷路由節能與性能提升技術、DDR電源柵極內存待機節能技術、PCI-E3.0標準規範、第七代圖形核心(6/16個執行單元並支持EU電源柵極待機節能)、三屏獨立輸出
、eDP(嵌入式DisplayPort)輸出接口、PECI3.0標準規範。

IvyBridge整合的圖形核心是Intel的第七代產品，EU執行單元數量最多增至16個，3D方麵支持DirectX11、OpenGL3.1、OpenCL1.1。

多媒體方麵Intel表示，IvyBridge的QuickSync技術可組建的端到端(EndtoEnd)的高畫質會議方案。也就是說可以實現高畫質的實時編碼，這一點Intel在IDF上就曾經做過演示，非常值得期待。

22nm的3D晶體管首次亮相

從規格方麵來看
，IvyBridge與當前的SandyBridge區別不是很大，基本就是新技術的加入與增強，而22nm的3D晶體管則是首次應用到處理器當中。

IvyBridge是首款使用3DTri-Gate晶體管的量產芯片。3D晶體管和2D平麵晶體管有本質性的區別，它不隻可以用在電腦、手機和消費電子產品上，還可以用在汽車、宇宙飛船、家用電器、醫療設備和其它多種產品中。

3DTri-Gate晶體管是什麼原理呢?簡單的說就是立體化。傳統晶體管是2D布局，類似於平房住戶，居住的人數非常有限
，而工藝的進步則是在有限的空間內壓縮麵積而已
，這樣的形式已經出現了瓶頸。3D晶體管就相當於樓房，居住麵積立體化
，大大節省了空間，是當前晶體管數量激增後一個更好的解決方案。

3-DTri-Gate使(shi)用(yong)一(yi)個(ge)非(fei)常(chang)薄(bo)的(de)三(san)維(wei)矽(gui)鰭(qi)片(pian)取(qu)代(dai)了(le)傳(chuan)統(tong)二(er)維(wei)晶(jing)體(ti)管(guan)上(shang)的(de)平(ping)麵(mian)柵(zha)極(ji)，形(xing)象(xiang)地(di)說(shuo)就(jiu)是(shi)從(cong)矽(gui)基(ji)底(di)上(shang)站(zhan)了(le)起(qi)來(lai)。矽(gui)鰭(qi)片(pian)的(de)三(san)個(ge)麵(mian)都(dou)安(an)排(pai)了(le)一(yi)個(ge)柵(zha)極(ji)，其(qi)中(zhong)兩(liang)側(ce)各(ge)一(yi)個(ge)、頂麵一個
，用於輔助電流控製，而2-D二維晶體管隻在頂部有一個。由於這些矽鰭片都是垂直的，晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。

通過使用3D晶體管
，芯片可以在低電壓和低泄露下運行
，從而使性能和能耗取得大幅改進。在低電壓條件下，22納米的3-DTri-Gate晶體管比英特爾32納米平麵晶體管性能提高37%。這意味著它能用在許多小的手持設備中。另外
，在相同的性能條件下，新的晶體管耗電不及2D平板晶體管、32納米芯片的一半。

據Intel方麵透露，22納米的芯片性能比現在的32納米芯片更高。為了擴大製程技術的優勢，趕上移動競賽
，上個月英特爾將2011年資本開支提高到102億美元
，原定數額為90億美元
，目的是落實12納米製程的開發。

目前，Intel的IvyBridge還未進行大規模量產，但Intel也表示IvyBridge可能會提前發布，目的在於對抗即將上市的推土機。從產品技術方麵來看，IvyBridge並沒有過多出彩的地方，僅僅是SandyBridge的升級版本;而從工藝角度講，IvyBridge所基於22nm的3-DTri-Gate晶體管則是首次應用到實際產品中
，也是晶體管發展的一場革命。不過從當前的一些資料來看

，IvyBridge工程樣板的測試中功耗表現並不突出，看來還需要進一步優化。

而至截稿之前的最新消息顯示，Intel將於2012年3月份到4月份期間正式推出下一代SocketLGA1155插槽22納米IvyBridge處理器，並且在最新的Roadmap中已有顯示。推土機性能到底如何
，IvyBridge能否提前到來，讓我們拭目以待吧!