產品特性：

• 具有25V電壓容差
• 總品度值比第10代功率MOSFET降低約40%
• 采用具有出色散熱特性的WPAK封裝

應用範圍：

• 服務器和筆記本電腦等

高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社（以下簡稱瑞薩電子）已於近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導體晶體管）產品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產品作為麵向DC/DC轉換器的功率半導體器件
，主要麵向計算機服務器和筆記本電腦等的應用
，性能較以前提高40%。

本次推出的3款功率MOSFET可用於控製CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如
，可作為降壓電路，用於將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進第12代生產工藝的小型化，瑞薩電子的新型MOSFET將FOM（品質因數=導通電阻×柵極電荷）在公司現有產品的基礎上降低了約40%，這使電壓轉換過程中的功率損耗大幅降低
，從而實現了更高的DC/DC轉換器性能。

隨著信息與通信產品（如服務器、筆記本電腦和圖形卡等）性能的不斷提升
，其所需的功耗也在不斷增加。與此同時
，不斷降低元件（如CPU、圖形處理單元（GPU）、存儲器
、ASIC）工作電壓的發展趨勢又導致了電流的增加。這樣就需要DC/DC轉(zhuan)換(huan)器(qi)能(neng)夠(gou)處(chu)理(li)低(di)壓(ya)和(he)大(da)電(dian)流(liu)。除(chu)此(ci)之(zhi)外(wai)，日(ri)益(yi)增(zeng)長(chang)的(de)節(jie)能(neng)環(huan)保(bao)需(xu)求(qiu)
，也(ye)提(ti)出(chu)了(le)降(jiang)低(di)電(dian)壓(ya)轉(zhuan)換(huan)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)與(yu)提(ti)高(gao)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)的(de)要(yao)求(qiu)。而(er)瑞(rui)薩(sa)電(dian)子(zi)本(ben)次(ci)所(suo)推(tui)出(chu)的(de)3款第12代功率MOSFET產品因其領先於業內的性能與降低約40%的FOM，滿足了上述需求。

新產品所具有的25V電壓容差（VDSS）為RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA分別實現了40A
、30A和25A的最大電流（ID）。另外，新產品的總品度值（VGS = 4.5V時的標準值）分別為10.07mΩ∙nC、9.35mΩ∙nC和9.2 mΩ∙nC，這比瑞薩電子第10代功率MOSFET（在用作控製功率MOSFET時，其提供了比第11代產品更好的總品度值）降低了約40%。

此外
，新產品的柵-漏電荷電容（Qgd），即控製功率MOSFET的主要特性分別為1.9nC、1.1nC和0.8nC，也比瑞薩電子第10代功率MOSFET（利用相同的導通電阻進行測量時）低了約40%。該數值越小表明開關損耗越低
，則更有助於大幅提升DC/DC轉換器性能和提高能效。

通常，DC/DC轉換器具有2個功率MOSFET：一個用於控製，另一個則用於實現同步整流。它們輪流開關以進行電壓轉換。假設新型RJK0210DPA用於實現控製，同時將瑞薩電子第11代RJK0208DPA用於實現同步整流
，那麼在將電壓從12V轉換為1.05V時
，其最高功率轉換效率則可實現90.6%（在輸出電流為18A的情況下）和86.6%（在輸出電流為40A的情況下）。（這2個數值均基於300kHz的開關頻率和兩相配置。）

新產品采用具有出色散熱特性、尺寸為5.1 × 6.1 mm、厚0.8mm（最大值）的WPAK（瑞薩電子封裝編號）封裝。同時
，器件下麵所裝有的壓料墊

，能夠在功率MOSFET工作時將其產生的熱量傳導至印刷電路板，並且使功率MOSFET能夠處理大電流。

今後
，瑞薩電子還將不斷開發適於各類DC/DC轉換器的半導體產品，以進一步實現低損耗和高效率，並為開發出更小巧、更節能的係統做出貢獻。

注釋1：FOM（品質因數）：FOM是功率MOSFET公認的性能和效率指標。導通電阻（Ron）是功率MOSFET工作時的電阻。該數值越小則表明傳導損耗越低。柵-漏電荷電容是讓功率MOSFET運行所需的電荷。該數值越小則表明開關性能越高。