安森美半導體推出高壓MOSFET係列
發布時間:2010-02-26 來源:電子元件技術網
產品特性:
- 推出高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
- 是500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET
- 提供有競爭力的低導通阻抗實現極低的功率耗散
應用範圍:
- 非常適合用於遊戲機、打印機和筆記本電源適配器等
應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)係列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調製(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求,在這些應用中,加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要。具體而言,這些方案非常適合用於遊戲機、打印機和筆記本電源適配器,及應用於ATX電源、液晶顯示器(LCD)麵板電源和工業照明鎮流器。
這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET,以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實現極低的功率耗散。這些器件使用平麵條形(planar stripe)技ji術shu,能neng在zai極ji苛ke刻ke應ying用yong中zhong工gong作zuo。低di門men電dian荷he降jiang低di開kai關guan損sun耗hao,還hai提ti高gao電dian源yuan能neng效xiao。這zhe些xie器qi件jian的de額e定ding雪xue崩beng能neng量liang在zai電dian源yuan應ying用yong中zhong提ti供gong強qiang固gu的de工gong作zuo。這zhe些xie器qi件jian的de優you異yi性xing能neng組zu合he幫bang助zhu開kai發fa更geng高gao能neng效xiao的de電dian源yuan子zi係xi統tong。
安森美半導體MOSFET產品分部副總裁兼總經理Paul Leonard說:“推出這些器件係列僅是安森美半導體進軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰略性地進入了高壓開關市場,提供充沛的500 V到600 V負載開關方案選擇,更好地服務我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續擴充高壓功率MOSFET產chan品pin陣zhen容rong,為wei消xiao費fei及ji工gong業ye客ke戶hu提ti供gong針zhen對dui性xing的de方fang案an。這zhe些xie新xin器qi件jian的de推tui出chu是shi安an森sen美mei半ban導dao體ti不bu斷duan加jia強qiang其qi業ye界jie領ling先xian高gao能neng效xiao電dian源yuan方fang案an供gong應ying商shang地di位wei的de又you一yi實shi例li。”
新推出的600 V MOSFET器件包括:
- NDD02N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD02N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD03N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD03N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD04N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDD04N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF04N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF06N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.36美元
- NDF10N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.42美元
新推出的500 V MOSFET器件包括:
- NDD05N50Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDD05N50ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF05N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF08N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.38美元
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