產品特性：

• 在10V和4.5V柵極驅動電壓下的最大導通電阻僅3mΩ和3.8mΩ
• 前向電壓降要遠低於MOSFET內部體二極管上的電壓降
• 肖特基二極管的反向恢複電荷(QRP)比MOSFET體二極管要低
• 可消除寄生電感

應用範圍：

• 筆記本電腦
• 計算機和服務器等

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET技術的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET矽技術
，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產品中前所未有的最低導通電阻
，在10V和4.5V柵極驅動電壓下的最大RDS(on)隻有3mΩ和3.8mΩ。

新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降壓轉換器中的低壓側功率MOSFET，降壓轉換器可用於筆記本電腦的內核電壓和VRM應用、圖形卡、負載點功率轉換，以及計算機和服務器當中的同步整流。品質因數(FOM)是導通電阻與柵電荷的乘積

，是這些應用的關鍵性能指標
，與采用SO-8封裝的最接近器件相比，該器件在10V和4.5V柵極驅動下的FOM分別小26%和34%。

Si4628DY可改善用主電網供電的服務器或電池供電的筆記本電腦在輕負載條件下的功率轉換效率。在輕負載條件下，功率轉換器中的MOSFET是關閉的，電流通過肖特基二極管進行傳輸。由於肖特基二極管與MOSFET集成在一起
，其前向電壓降要遠低於MOSFET內部體二極管上的電壓降。因此，當降壓轉換器中的MOSFET在死區時間內被關斷時，該特性能夠大大減少功率損耗。

肖特基二極管的反向恢複電荷(QRP)比MOSFET體二極管的QRP要低，因此能夠進一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術使器件的QRP比標準MOSFET體二極管減少了幾乎75%，可以提高輕負載條件下的轉換效率。

最後，將肖特基二極管集成進MOSFET矽片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上
，或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起
，均會引入寄生電感。

這(zhe)些(xie)特(te)性(xing)所(suo)帶(dai)來(lai)的(de)效(xiao)率(lv)改(gai)善(shan)，能(neng)夠(gou)直(zhi)接(jie)降(jiang)低(di)能(neng)量(liang)消(xiao)耗(hao)，降(jiang)低(di)服(fu)務(wu)器(qi)集(ji)群(qun)等(deng)設(she)施(shi)的(de)電(dian)費(fei)開(kai)支(zhi)，延(yan)長(chang)膝(xi)上(shang)計(ji)算(suan)機(ji)在(zai)兩(liang)次(ci)充(chong)電(dian)之(zhi)間(jian)的(de)電(dian)池(chi)壽(shou)命(ming)。

Si4628DY現可提供樣品，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。