產品特性：

• 在10V柵極驅動下的最大導通電阻僅有0.27Ω
• 柵電荷隻有65nC，品質因數僅為17.75
• 可處理72A的脈衝電流和18A的連續電流

應用範圍：

• LCD TV
  
  、PC機、服務器
  、通信係統和焊接機器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平麵FET技術延伸到TO-220
、TO-220F和TO-247封裝上。

新的SiHP18N50C(TO-220)
、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的額定電壓，在10V柵極驅動下的最大導通電阻僅有0.27Ω。低RDS(on)意味著更低的傳導損耗
，從而為各種電子係統中的功率因數校正(PFC)和脈寬調製(PMW)應用節約能量
，這些應用包括LCD TV、PC機、服務器、通信係統和焊接機器。

除了低導通電阻，這些器件的柵電荷隻有65nC。柵電荷與導通電阻的乘積是評價用於功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數(FOM)，這些器件的品質因數隻有17.75。

為提高操作的可靠性，器件經過了100%的雪崩測試，可承受高單脈衝(EAS)和反複(EAR)雪崩能量。器件可處理72A的脈衝電流和18A的連續電流。所有這三款器件均具有有效的輸出電容規格。與前一代500V功率MOSFET相比

，新器件在跨導和反向恢複特性上也有所改進。

SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供無鉛端子
，采用TO-220和FULLPAK封裝。SiHG20N50C提供無鉛的TO-247封裝。新器件現可提供樣品
，將於2009年第三季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。