產品特性：

• 專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術
• 出色的低RDS(ON)
  、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)
• FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm，低側則為9.5mOhm

市場數據：

• 筆記本電腦
  、上網本、服務器
  、電信和其它 DC-DC 設計

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經優化的控製 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術，提供出色的低RDS(ON)
、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)
，這些性能最大限度地減少傳導和開關損耗，帶來更高效率。FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm，低側則為9.5mOhm
，可提供9A以上電流供主流計算應用，而經優化的引腳輸出和占位麵積，為布局和路由帶來便利
，並簡化設計。
 
 FDMC8200通過先進的封裝技術和專有PowerTrench 7工藝

，節省空間並提升熱性能
，解決DC-DC應用的主要設計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術

，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

 這款雙MOSFET器件是飛兆半導體廣泛的先進MOSFET技ji術shu產chan品pin係xi列lie的de一yi部bu分fen，全quan係xi列lie均jun擁yong有you廣guang闊kuo的de擊ji穿chuan電dian壓ya範fan圍wei和he現xian代dai化hua的de封feng裝zhuang技ji術shu，實shi現xian高gao效xiao的de功gong率lv管guan理li和he低di熱re阻zu的de特te點dian。同tong係xi列lie其qi它ta產chan品pin包bao括kuo集ji成cheng了leFET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同樣能夠顯著減少電路板空間，並提升同步降壓設計以達到更高的轉換效率。