產品特性：

• 用於這些封裝的MOSFET均具有低柵電荷
• 在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)為86毫歐
  ，以確保開關及導通損耗最小
• SBR的功率損耗遠低於傳統肖特基二極管

應用範圍：

• 用於傳統便攜式應用設計

Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。

Diodes 亞太區技術市場總監梁後權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝
，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。

與傳統便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相比，DFN2020節省了55%的PCB空間；僅0.5mm的板外高度
，也比傳統封裝薄了50%，符合下一代產品設計的要求。用於這些封裝的MOSFET均具有低柵電荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)為86毫歐，以確保開關及導通損耗最小。

為了進一步提升效率，應用於這些封裝的二極管是Diodes自己的高性能超勢壘整流器 (SBR)。憑借其僅有0.42V的典型低正向壓降，SBR的功率損耗遠低於傳統肖特基二極管。