產品特性：

• 器件的占位麵積為3.3mm x 3.3mm
• 經過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定
• 導通電阻分別為3.9mΩ
  、5.5mΩ和9.8mΩ

應用範圍：

• 電源適配器開關
• 筆記本電腦、上網本
• 工業/通用係統

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET --- Si7615DN
，其導通電阻在采用PowerPAK 1212-8型封裝的產品中是最低的。器件的占位麵積為3.3mm x 3.3mm
，隻有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝占位麵積的1/3，可大大節省電路板空間。

新款Si7615DN提供了超低的導通電阻，在10V、4.5V和2.5V條件下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ。第三代TrenchFET功率MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，使器件在執行開關任務時比市場上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。

Si7615DN采用了與Vishay最近發布的第三代TrenchFET 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK SO-8封裝。為滿足各個應用的特殊需求
，第三代P通道TrenchFET封裝為設計工程師提供了多個選項
，使工程師能夠在具有最大漏極電流和散熱功率的PowerPAK SO-8封裝(分別比SO-8封裝高60%和75%)
，或是節省空間的PowerPAK 1212-8封裝之間進行選擇。

直到最近
，隻有30V電壓的P通道功率MOSFET才具有這樣低的導通電阻範圍
，因此Si7615DN的出現使設計工程師不再依賴於現有的高壓MOSFET。在競爭的30V器件中
，采用PowerPAK 1212-8封裝的器件在10V和4.5V柵極驅動電壓下的導通電阻分別為14.4mΩ和27mΩ。

Si7615DN可用做電源適配器開關，或用於筆記本電腦
、上網本
、工業/通用係統中的負載切換應用。適配器開關(在適配器、牆上電源或電池電源之間切換)是始終導通的，並吸取電流。Si7615DN更低的導通電阻使其功耗更低，可節省電能並延長電池壽命。

新款TrenchFET 功率MOSFET Si7615DN經過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定。現可提供樣品
，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為10周至12周。