產品特點：

• 該器件具有基準通態電阻和高封裝電流額定值
• 在4.5V Vgs下實現非常低的RDS(on)
• 電壓範圍為40V至100V
• 已獲得工業級和MSL1潮濕敏感度認證

應用領域：

• 高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新係列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值

，適用於高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用。

新係列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術，可在4.5V Vgs下實現非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外


，這些器件具有更高的電流額定值，多餘瞬變可以帶來更多防護頻帶
，並可減少由多個MOSFET共享高電流的並行拓撲結構的元件數目。與典型封裝額定值相比，由於封裝電流額定值高達195A，TO-220
、D2PAK和TO-262封裝的改善超過了60%；與標準D2PAK封裝相比

，7引腳D2PAK進一步降低了多達16%的RDS(on)，功能更為完善。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“新推出的邏輯電平柵極驅動溝道MOSFET具有基準RDS(on) ，能夠由微控製器或弱電池驅動，提升其在輕負載條件下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉換和DC電機驅動應用。”

新型邏輯電平溝道MOSFET係列的電壓範圍為40V至100V。該係列已獲得工業級和MSL1潮濕敏感度認證，更具備所有標準功率封裝
，包括TO-220、D2PAK
、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。

產品的基本規格如下：