ZXMS6004FF:Diodes自保護式MOSFET
發布時間:2008-12-31
產品特性:
- 采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝
- 提供三倍於同類較大封裝元件的封裝功率密度
- 集成了ESD、過壓、過流及過溫保護
- 導通電阻僅為500mΩ
- 邏輯電平輸入為3.3V或5V
應用範圍:
- 便攜應用
- 消費電子應用
Diodes公司擴展其IntelliFET產品係列,推出體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。
雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍於同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500mΩ,能夠使功耗保持在絕對極小值。
ZXMS6004FF將靜電放電(ESD)、過壓、過流及過溫保護集成於一個高散熱效率封裝,為元件本身及負載提供了完善的保護,有助於減少元件數、印刷電路板尺寸及係統總成本,滿足各種汽車及工業應用需要。該器件的超小外形也使空間有限的應用能夠首次集成自保護式的MOSFET。
該器件的連續額定電流為1A,且符合AECQ101標準,能耐受60V的負載突降瞬變。ZXMS6004FF的邏輯電平輸入為3.3V或5V,可通過微控製器輸出直接驅動。
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