產品特性：

• 導通電阻降低至52mΩcm2
• 采用了名為“Natural Super Junction”的新半導體連接技術
• 通過控製電極間隔便成功地提高耐壓為9.4kV
• 良好的電氣連接性能

應用範圍：

• 消費類電器
• 電氣設備等廣泛領域 

鬆下電器試製出使用GaN半導體、耐壓為9.4kV，導通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產品的導通電阻為1000mΩcm2。設想用於工作電壓從數百伏消費類電器和數kV產業電氣設備等廣泛領域。

新產品之所以同時實現了高耐壓和低導通電阻，是因為采用了名為“Natural Super Junction”的新半導體連接技術。通過連接多個成分不同的GaN半導體，收到了與矽MOSFET上使用的“超級結構造”相同的效果。而以往GaN半導體的p型層和n型層的雜質濃度以及膜厚的控製需要較高的精度，因此難以使用超級結構造。

該(gai)二(er)極(ji)管(guan)采(cai)用(yong)新(xin)結(jie)構(gou)


，僅(jin)通(tong)過(guo)控(kong)製(zhi)電(dian)極(ji)間(jian)隔(ge)便(bian)成(cheng)功(gong)地(di)提(ti)高(gao)了(le)耐(nai)壓(ya)。為(wei)降(jiang)低(di)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)，增(zeng)加(jia)了(le)作(zuo)為(wei)溝(gou)道(dao)的(de)二(er)維(wei)電(dian)子(zi)氣(qi)體(ti)層(ceng)數(shu)。並(bing)且(qie)利(li)用(yong)凹(ao)陷(xian)結(jie)構(gou)使(shi)溝(gou)道(dao)暴(bao)露(lu)，在(zai)暴(bao)露(lu)的(de)區(qu)域(yu)形(xing)成(cheng)電(dian)極(ji)，使(shi)全(quan)部(bu)溝(gou)道(dao)層(ceng)獲(huo)得(de)良(liang)好(hao)的(de)電(dian)氣(qi)連(lian)接(jie)性(xing)能(neng)。由(you)此(ci)而(er)實(shi)現(xian)了(le)耐(nai)壓(ya)9.4kV

，導通電阻52mΩcm2。