產品特性：

• 采用引線帶楔焊鍵合與表麵貼裝技術
• 電阻率：1.5毫歐
  ，低損耗
• 開關損耗低，抗雪崩性能強
• 功率高
  ，額定功率為300W
• 工作溫度可達175℃，可用於55V設備
• 有額定連續電流250A、200A的兩款產品

應用範圍：

• 強電流電力牽引設備
• 叉車
  、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車
• 電動托盤裝卸車
• 割草機、電動輪椅和電動自行車等

意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表麵貼裝的功率MOSFET晶體管
，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低


，並提高係統性能。

新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III製程
，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助於降低電阻。在25℃時，封裝的額定功率為300W。

新產品的高額定電流讓工程師可以設計多個並聯的MOSFET
，達到節省電路板空間和材料成本的目的。標準驅動閾壓還有助於簡化驅動電路的設計。STV250N55F3適用於高達55V的電力設備。

高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用於強電流電力牽引設備，如叉車
、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車以及割草機、電動輪椅和電動自行車。新產品在晶圓和成品階段都經過100%的雪崩測試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產品將很快達到汽車級產品質量標準。

在同一個產品係列，ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產品

，該產品的額定漏極連續電流為200A，源極連線配置為4線。

STV250N55F3樣片即刻上市銷售，預計2008年第三季度開始量產。