深度解析半導體激光器發光原理及工作原理
發布時間:2018-02-01 責任編輯:lina
【導讀】半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。它具有體積小、壽命長的特點,並可采用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。
由於這些優點,半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方麵以及獲得了廣泛的應用。
激光器的發光原理

產生激光要滿足以下條件:
一、粒子數反轉;
二、要有諧振腔,能起到光反饋作用,形成激光振蕩;形成形式多樣,最簡單的是法布裏——帕羅諧振腔。
三、產生激光還必須滿足閾值條件,也就是增益要大於總的損耗。
(1)滿足一定的閥值條件。
為wei了le形xing成cheng穩wen定ding振zhen蕩dang,激ji光guang媒mei質zhi必bi須xu能neng提ti供gong足zu夠gou大da的de增zeng益yi,以yi彌mi補bu諧xie振zhen腔qiang引yin起qi的de光guang損sun耗hao及ji從cong腔qiang麵mian的de激ji光guang輸shu出chu等deng引yin起qi的de損sun耗hao,不bu斷duan增zeng加jia腔qiang內nei的de光guang場chang。這zhe就jiu必bi須xu要yao有you足zu夠gou強qiang的de電dian流liu注zhu人ren,即ji有you足zu夠gou的de粒li子zi數shu反fan轉zhuan,粒li子zi數shu反fan轉zhuan程cheng度du越yue高gao,得de到dao的de增zeng益yi就jiu越yue大da,即ji要yao求qiu必bi須xu滿man足zu一yi定ding的de電dian流liu閥fa值zhi條tiao件jian。當dang激ji光guang器qi達da到dao閥fa值zhi時shi,具ju有you特te定ding波bo長chang的de光guang就jiu能neng在zai腔qiang內nei諧xie振zhen並bing被bei放fang大da,最zui後hou形xing成cheng激ji光guang而er連lian續xu地di輸shu出chu。
(2)諧振腔,能起到光反饋作用,形成激光振蕩。
要實際獲得相幹受激輻射,必須使受激輻射在光學諧振腔內得到多次反饋而形成激光振蕩,激光器的諧振腔是由半導體晶體的自然解理麵作為反射鏡形成的,通常在不出光的那一端鍍上高反多層介質膜,而出光麵鍍上減反膜。
對F-P腔(法布裏—拍羅腔)半導體激光器可以很方便地利用晶體的與P-N結平麵相垂直的自然解理麵構成F-P 腔。
(3)增益條件:
建立起激射媒質(有源區)內(nei)載(zai)流(liu)子(zi)的(de)反(fan)轉(zhuan)分(fen)布(bu)。在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)中(zhong)代(dai)表(biao)電(dian)子(zi)能(neng)量(liang)的(de)是(shi)由(you)一(yi)係(xi)列(lie)接(jie)近(jin)於(yu)連(lian)續(xu)的(de)能(neng)級(ji)所(suo)組(zu)成(cheng)的(de)能(neng)帶(dai),因(yin)此(ci)在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)中(zhong)要(yao)實(shi)現(xian)粒(li)子(zi)數(shu)反(fan)轉(zhuan),必(bi)須(xu)在(zai)兩(liang)個(ge)能(neng)帶(dai)區(qu)域(yu)之(zhi)間(jian),處(chu)在(zai)高(gao)能(neng)態(tai)導(dao)帶(dai)底(di)的(de)電(dian)子(zi)數(shu)比(bi)處(chu)在(zai)低(di)能(neng)態(tai)價(jia)帶(dai)頂(ding)的(de)空(kong)穴(xue)數(shu)大(da)很(hen)多(duo),這(zhe)靠(kao)給(gei)同(tong)質(zhi)結(jie)或(huo)異(yi)質(zhi)結(jie)加(jia)正(zheng)向(xiang)偏(pian)壓(ya),向(xiang)有(you)源(yuan)層(ceng)內(nei)注(zhu)人(ren)必(bi)要(yao)的(de)載(zai)流(liu)子(zi)來(lai)實(shi)現(xian),將(jiang)電(dian)子(zi)從(cong)能(neng)量(liang)較(jiao)低(di)的(de)價(jia)帶(dai)激(ji)發(fa)到(dao)能(neng)量(liang)較(jiao)高(gao)的(de)導(dao)帶(dai)中(zhong)去(qu)。當(dang)處(chu)於(yu)粒(li)子(zi)數(shu)反(fan)轉(zhuan)狀(zhuang)態(tai)的(de)大(da)量(liang)電(dian)子(zi)與(yu)空(kong)穴(xue)複(fu)合(he)時(shi),便(bian)產(chan)生(sheng)受(shou)激(ji)發(fa)射(she)作(zuo)用(yong)。
半導體激光器特性
半導體激光器是以半導體材料為工作物質的一類激光器件。它誕生於1962年,除了具有激光器的共同特點外,還具有以下優點:
(1) 體積小,重量輕;
(2) 驅動功率和電流較低;
(3) 效率高、工作壽命長;
(4) 可直接電調製;
(5) 易於與各種光電子器件實現光電子集成;
(6) 與半導體製造技術兼容;可大批量生產。
由於這些特點,半導體激光器自問世以來得到了世界各國的廣泛關注與研究。成為世界上發展最快、應用最廣泛、最早走出實驗室實現商用化且產值最大的一類激光器。

半導體激光器工作原理
半導體激光器工作原理是激勵方式,利用半導體物質(即利用電子)在能帶間躍遷發光,用半導體晶體的解理麵形成兩個平行反射鏡麵作為反射鏡,組成諧振腔,使光振蕩、反饋,產生光的輻射放大,輸出激光。
半導體激光器是依靠注入載流子工作的,發射激光必須具備三個基本條件:
(1)要產生足夠的 粒子數反轉分布,即高能態粒子數足夠的大於處於低能態的粒子數;
(2)有一個合適的諧振腔能夠起到反饋作用,使受激輻射光子增生,從而產生激光震蕩;
(3)要滿足一定的閥值條件,以使光子增益等於或大於光子的損耗。

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