矽襯底完敗藍寶石襯底,芯片結構已玩不出新花樣?
發布時間:2016-02-22 責任編輯:susan
【導讀】芯(xin)片(pian)是(shi)五(wu)麵(mian)發(fa)光(guang)的(de),通(tong)常(chang)需(xu)要(yao)將(jiang)將(jiang)芯(xin)片(pian)置(zhi)於(yu)支(zhi)架(jia)內(nei),反(fan)光(guang)杯(bei)的(de)開(kai)口(kou)麵(mian)積(ji)遠(yuan)大(da)於(yu)芯(xin)片(pian)發(fa)光(guang)麵(mian)積(ji),導(dao)致(zhi)單(dan)位(wei)麵(mian)積(ji)光(guang)通(tong)量(liang)低(di),芯(xin)片(pian)表(biao)麵(mian)顏(yan)色(se)均(jun)勻(yun)性(xing)非(fei)常(chang)差(cha),芯(xin)片(pian)正(zheng)上(shang)方(fang)偏(pian)藍(lan),而(er)外(wai)圈(quan)偏(pian)黃(huang)。
基於氮化镓的藍/白光LED的芯片結構強烈依賴於所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍寶石作為襯底材料,芯片結構主要分為4類,如圖1所示:

正裝芯片結構
這類芯片廣泛被中低功率的封裝產品所采用,優點是價格低;缺點是由於藍寶石導熱性能差,所以芯片散熱較差,P型材料的導電性也較差,因此注入電流受到限製。此外,芯片是五麵發光的,通常需要將將芯片置於支架內,如圖2所(suo)示(shi),反(fan)光(guang)杯(bei)的(de)開(kai)口(kou)麵(mian)積(ji)遠(yuan)大(da)於(yu)芯(xin)片(pian)發(fa)光(guang)麵(mian)積(ji),導(dao)致(zhi)單(dan)位(wei)麵(mian)積(ji)光(guang)通(tong)量(liang)低(di),芯(xin)片(pian)表(biao)麵(mian)顏(yan)色(se)均(jun)勻(yun)性(xing)非(fei)常(chang)差(cha),芯(xin)片(pian)正(zheng)上(shang)方(fang)偏(pian)藍(lan),而(er)外(wai)圈(quan)偏(pian)黃(huang)。這(zhe)就(jiu)是(shi)在(zai)使(shi)用(yong)中(zhong),如(ru)射(she)燈(deng)、平板燈等,出現黃圈的原因。

倒裝結構
為了克服傳統正裝結構散熱較差、注zhu入ru電dian流liu受shou限xian等deng缺que陷xian,有you科ke學xue家jia提ti出chu了le倒dao裝zhuang結jie構gou。熱re可ke以yi由you芯xin片pian直zhi接jie傳chuan遞di到dao如ru陶tao瓷ci等deng基ji底di材cai料liao上shang,而er不bu用yong通tong過guo導dao熱re能neng力li較jiao差cha的de藍lan寶bao石shi襯chen底di,因yin此ci注zhu入ru電dian流liu可ke以yi顯xian著zhu提ti高gao;單位麵積的光通量也可以顯著提升。缺點是芯片是五麵發光的,給需要精確二次光學設計的場合,如小角度射燈、手機閃光燈、車燈、超薄背光及平板燈等帶來了諸多的不便,此外,也存在正裝五麵出光芯片所麵臨的顏色不均勻的問題。
薄膜倒裝結構
為wei了le解jie決jue倒dao裝zhuang結jie構gou存cun在zai的de問wen題ti,有you人ren提ti出chu了le薄bo膜mo倒dao裝zhuang結jie構gou,在zai倒dao裝zhuang芯xin片pian的de基ji礎chu上shang,通tong過guo用yong激ji光guang剝bo離li技ji術shu去qu除chu了le藍lan寶bao石shi襯chen底di,得de到dao單dan麵mian發fa光guang的de薄bo膜mo芯xin片pian。薄bo膜mo芯xin片pian具ju有you出chu光guang效xiao率lv高gao、出光集中於芯片正上方,利於二次光學設計,此外也具體非常好的表麵顏色均勻性。但是要用到工藝複雜的激光剝離技術,成本高、良率低,芯片本身也容易存在缺陷,另外,由於是倒裝結構,在芯片和(陶瓷)襯底之間有間隙,一定程度上降低了芯片的導熱能力;同時,由於芯片非常薄,在使用中容易出現芯片裂痕、漏電等問題。
垂直結構
與薄膜倒裝結構相對應的,還有垂直結構芯片,類似於倒裝芯片、lanbaoshichendibeibolihou,zaixinpiandibudushanggaofandecailiaohouzaijiashangdaodiandaoredechendicailiao,zheyangxinpianzaijuyoudanmianfaguangxinpiandeyoudiantongshi,haijuyouhenhaodedaore、導電能力,可靠性也非常高。垂直結構是目前應用最為廣泛的薄膜芯片結構,但由於藍寶石襯底需要采用激光剝離,良率低、成本高,限製了垂直結構芯片更為廣泛的應用。
矽襯底LED技術項目組聲稱,相比於傳統的藍寶石襯底,矽襯底LED有以下優點:
(1)不bu僅jin在zai生sheng長chang時shi,襯chen底di成cheng本ben遠yuan低di於yu藍lan寶bao石shi材cai料liao,而er且qie可ke以yi采cai用yong化hua學xue腐fu蝕shi的de方fang法fa來lai剝bo離li襯chen底di,在zai效xiao率lv和he良liang率lv上shang,都dou遠yuan高gao於yu必bi須xu采cai用yong激ji光guang剝bo離li方fang法fa的de藍lan寶bao石shi襯chen底di,從cong而er得de到dao高gao質zhi量liang、低成本的垂直結構芯片。
(2)結合白光芯片工藝,一方麵減小發光麵積,另一方麵達到更高的性能,包括單位麵積光通量以及芯片表麵顏色均勻性。
(3)垂直結構的芯片,不僅可以采用陶瓷封裝工藝,也可以采用更為廉價的支架封裝方式,進一步降低客戶的使用成本,如圖3所示,這為高品質照明提供了無限的可能。利用矽襯底LED芯片,可實現照明品質更佳、係統成本更低、設計方案更靈活、更具創新性的LED照明解決方案。

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