這主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA
，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自於驅動功率MOS管的消耗
，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益
，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c
、v和f.如果c、v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點

，就是考慮更好的散熱吧。

 

 

關於這個問題
，也見到過有人在電源網論壇發過貼。功率管的功耗分成兩部分，開關損耗和導通損耗。要注意，大多數場合特別是LED市電驅動應用，開關損害要遠大於導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關
，所以要解決功率管的發熱可以從以下幾個方麵解決：A、不能片麵根據導通電阻大小來選擇MOS功率管，因為內阻越小，cgs和cgd電容越大。

 

如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右

，5N60的cgs為1200pF左右
，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。B
、shengxiadejiushipinlvhexinpianqudongnenglile
，zhelizhitanpinlvdeyingxiang。pinlvyudaotongsunhaoyechengzhengbi
，suoyigonglvguanfareshi，shouxianyaoxiangxiangshibushipinlvxuanzedeyoudiangao。xiangbanfajiangdipinlvba！不bu過guo要yao注zhu意yi

，當dang頻pin率lv降jiang低di時shi
，為wei了le得de到dao相xiang同tong的de負fu載zai能neng力li
，峰feng值zhi電dian流liu必bi然ran要yao變bian大da或huo者zhe電dian感gan也ye變bian大da

，這zhe都dou有you可ke能neng導dao致zhi電dian感gan進jin入ru飽bao和he區qu域yu。如ru果guo電dian感gan飽bao和he電dian流liu夠gou大da，可ke以yi考kao慮lv將jiangCCM（連續電流模式）改變成DCM（非連續電流模式）
，這樣就需要增加一個負載電容了。

 

 

這個也是用戶在調試過程中比較常見的現象，降頻主要由兩個方麵導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、係統幹擾大。對於前者
，注意不要將負載電壓設置的太高，雖然負載電壓高，效率會高點。對於後者，可以嚐試以下幾個方麵：a、將最小電流設置的再小點；b

、布線幹淨點，特別是sense這個關鍵路徑；c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感；d
、加RC低通濾波吧，這個影響有點不好，C的一致性不好
，偏差有點大，不過對於照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有好處，隻有壞處
，所以一定要解決。

 

 

終於談到重點了，我還沒有入門
，隻能瞎說點飽和的影響了。很多用戶反應，相同的驅動電路，用a生產的電感沒有問題，用b生產的電感電流就變小了。遇到這種情況
，要看看電感電流波形。有的工程師沒有注意到這個現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流

，這樣做可能會嚴重影響LED的de使shi用yong壽shou命ming。所suo以yi說shuo，在zai設she計ji前qian
，合he理li的de計ji算suan是shi必bi須xu的de，如ru果guo理li論lun計ji算suan的de參can數shu和he調tiao試shi參can數shu差cha的de有you點dian遠yuan，要yao考kao慮lv是shi否fou降jiang頻pin和he變bian壓ya器qi是shi否fou飽bao和he。變bian壓ya器qi飽bao和he時shi，L會變小
，導致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升
，那麼LED的峰值電流也跟著增加。在平均電流不變的前提下，隻能看著光衰了。

 

 

大家都知道LEDripple過大的話

，LED壽命會受到影響，影響有多大
，也沒見過哪個專家說過。以前問過LED廠這個數據，他們說30%以內都可以接受，不過後來沒有經過驗證。建議還是盡量控製小點。如果散熱解決的不好的話，LED一定要降額使用。也希望有專家能給個具體指標，要不然影響LED的推廣。