新聞事件：

• 陶氏電子材料近日推出先進 LED 材料產品組合

事件影響：

• LED 技術業務專注於客戶合作
• 以改進效率和提高收益為己任

陶氏化學（紐約證券交易所代碼：DOW）旗下業務部門陶氏電子材料近日推出由陶氏材料產品組合研發的綜合光產品組合
，此舉擴展了該公司在發光二極管 (LED) 材料市場中的專業材料技術。這些新材料旨在支持 LED 產品製造過程中的光刻
、化學機械研磨 (CMP) 和金屬化等關鍵工序
，以及獲得廣泛應用的有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 先導材料和外延生長技術。

陶氏電子材料 LED 技術營銷總監 Nate Brese 表示:“隨著 LED 產業日漸成熟
，焦點已集中在通過提高設備效率和產品收益率
，從而最終降低成本 。LED 市場的加速增長對可以滿足新興市場要求的新型優質材料提出了大量需求。陶氏憑借其超過 35 年的 LED 和 MOCVD先導材料搭配製造經驗以及數十載的半導體製造業相關經驗，致力於為客戶提供業內最頂尖的材料以及專業技術支持。”

全新陶氏光產品組合包括：

• 光刻：陶氏的 I 線光刻膠可滿足各種厚度和溫度要求，並可根據客戶不同規範要求進行調整。

• CMP： MACHPLANER™ MS2000 矽膠基研磨液可確保 LED 製造業所需的藍寶石晶片平麵度，證明公司在化學材料方麵的出眾能力。

• 金屬化：陶氏將其 50 餘載的金屬化經驗用於 LED 製造業
，材料產品係列包括 SILVER GLO™ 和 SILVERJET™ 電(dian)鍍(du)銀(yin)材(cai)料(liao)以(yi)及(ji)研(yan)發(fa)中(zhong)的(de)材(cai)料(liao)
，以(yi)滿(man)足(zu)市(shi)場(chang)對(dui)於(yu)提(ti)高(gao)設(she)備(bei)光(guang)萃(cui)取(qu)效(xiao)率(lv)的(de)高(gao)反(fan)射(she)率(lv)金(jin)屬(shu)的(de)需(xu)求(qiu)。陶(tao)氏(shi)提(ti)供(gong)符(fu)合(he)客(ke)戶(hu)需(xu)求(qiu)和(he)當(dang)地(di)法(fa)規(gui)要(yao)求(qiu)的(de)無(wu)氰(qing)化(hua)學(xue)品(pin)，還(hai)可(ke)供(gong)應(ying)新(xin)型(xing)防(fang)鏽(xiu)，有(you)效(xiao)延(yan)長(chang)設(she)備(bei)使(shi)用(yong)壽(shou)命(ming)。

• Epi 先導： 陶氏的 OPTOGRADE™ 高純有機金屬先導材料包括 TMG、TEG、TMI、TMA 和 CVD 用 CP2Mg

，卓越品質經過生產驗證。極具成本效益的 VAPORSTATION™ III 中央配送係統可為至多 10 個 CVD 工具精確配送不間斷的氣態先導物，降低鋼瓶更換頻率，提高效率並增加操作安全性。

陶氏在中國的 LED 技術業務主要設在上海的陶氏中心。該企業的研究和應用開發綜合中心擁有 500 位頂尖科學家和工程師，以及超過 80 個一流的技術實驗室。作為LED 行(xing)業(ye)的(de)全(quan)球(qiu)供(gong)應(ying)商(shang)
，陶(tao)氏(shi)具(ju)備(bei)全(quan)麵(mian)的(de)製(zhi)造(zao)能(neng)力(li)和(he)先(xian)進(jin)的(de)質(zhi)量(liang)控(kong)製(zhi)係(xi)統(tong)以(yi)確(que)保(bao)提(ti)供(gong)大(da)批(pi)量(liang)最(zui)佳(jia)品(pin)質(zhi)的(de)材(cai)料(liao)。當(dang)地(di)技(ji)術(shu)服(fu)務(wu)和(he)支(zhi)持(chi)辦(ban)公(gong)室(shi)網(wang)絡(luo)廣(guang)布(bu)世(shi)界(jie)各(ge)地(di)，為(wei)客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)最(zui)直(zhi)接(jie)的(de)支(zhi)持(chi)
，令(ling)其(qi)強(qiang)大(da)的(de)製(zhi)造(zao)能(neng)力(li)如(ru)虎(hu)添(tian)翼(yi)。

如欲了解陶氏光材料的更多信息，敬請蒞臨陶氏電子材料設於 SEMICON China 展覽會的展位
，具體位置：上海新國際博覽中心
，SEMICON China 展覽會 E3展廳 3319 號展位，或 LED 長廊 1604-2號展位。展覽時間為 2012 年 3 月 20 至 22 日。