新聞事件：

• 矽基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任

事件影響：

• 降低LED成本的利器

近日，韓國三星尖端技術研究所(SAIT) 已經選擇Veeco的TurboDisc  K465i MOCVD作為其矽基氮化镓功率器件研究的設備。

對此，Veeco的化合物半導體業務執行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研究矽氮化镓，並商品化這項技術用於大批量製造氮化镓功率器件
，我們認為是巨大的戰略研發上的勝利。”

矽基氮化镓成為下一階段降低LED成本的利器

近日，台積電旗下創投VTAF公司投資的美國Bridgelux(普瑞光電)正式對外宣布，該公司運用「氮化镓上矽」(GaN-On- Silicon)的LED技術
，已達成每瓦135流明之效能。這代表Bridgelux在矽半導體基板LED技術方麵，已成為業界第1家達到商品化等級效能的廠商。

根據Bridgelux研究
，氮化镓上矽LED的效能，足以媲美12至24個月前推出的頂級藍寶石基板LED。預估未來2至3年內，應用於商業市場的氮化镓上矽LED產品，就能上市銷售。

同時Bridgelux還認為，若能在直徑更大、成本較低廉的矽晶圓上生成氮化镓，並采用與現代半導體生產線相容的製程，則LED磊晶產品之成本
，可望將較現有製程有效降低75%。