士蘭明芯高亮度紅光LED進入批量生產
發布時間:2009-08-01
產品特性:
高亮度紅光LED芯片是一種亮度高、可靠性好的發光器件。相對於普通結構的紅光LED芯片,高亮度紅光芯片采用鍵合工藝實現襯底置換,用到熱性能好的矽襯底(矽的熱導率約為1.5W/K.cm)代替砷化镓襯底(砷化镓的熱導率約為0.8W/K.cm),芯片具有更低熱阻值,散熱性能更好,有利於提高可靠性。另外,在P-GaP上鍍反射層,比普通紅光外延層中生長DBR反fan射she鏡jing出chu光guang效xiao率lv更geng高gao。為wei了le克ke服fu光guang在zai芯xin片pian與yu封feng裝zhuang材cai料liao界jie麵mian處chu的de全quan反fan射she而er降jiang低di取qu光guang效xiao率lv,還hai在zai芯xin片pian製zhi作zuo一yi些xie表biao麵mian紋wen理li結jie構gou。相xiang同tong尺chi寸cun相xiang同tong波bo長chang的de芯xin片pian,20mA電流下,兩者光強相差兩倍以上,圖-1是高亮度紅光芯片剖麵示意圖。圖-2是芯片實物圖片.

圖-1 高亮度紅光芯片剖麵示意圖

圖-2 高亮度紅光芯片
高亮度紅光LED芯片因為本身發光效率高、可靠性好,主要應用於對亮度、可靠性要求較高的場合,比如幕牆屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域。之前由於普通紅光LED芯片亮度不夠,在由紅(R)綠(G)藍(B)組成的一個全色模組中通常的構成是一顆藍光芯片、一顆綠光芯片、兩顆普通紅光芯片。現在若使用高亮度紅光芯片則一顆就可滿足要求,而且可靠性高,維護成本明顯降低。
muqianshichangshangjiaoduodeshiputongjiegoudehongguangxinpian,jiageyijinghendi,lirunkongjianhenxiao。gaoliangduhongguangxinpianyoujiaodadeshichangxuqiu,youyuzaizhizaojishushangyouyidingdenandu,muqianzhiyoushaoshujijiagongsinengpilianggonghuo,chanpindexingjiabijiaogao。
2008年底士蘭明芯科技有限公司開始開發高亮度紅光芯片,技術團隊不斷調整試驗方案、優化工藝參數,使不同熱膨脹係數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬,鍵合良率和可靠性得到保障。
金屬反光特性一直是影響紅光芯片亮度的一個主要因素,通過大量試驗,已經徹底解決了這一問題。
發fa光guang二er極ji管guan的de電dian極ji合he金jin條tiao件jian不bu合he適shi會hui導dao致zhi金jin絲si鍵jian合he時shi電dian極ji脫tuo落luo,對dui於yu高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian而er言yan,電dian極ji合he金jin的de工gong藝yi要yao求qiu更geng高gao。為wei了le解jie決jue好hao電dian極ji和he紅hong光guang外wai延yan層ceng粘zhan附fu性xing問wen題ti,士shi蘭lan明ming芯xin的de技ji術shu團tuan隊dui在zai表biao麵mian處chu理li、合金層結構、合金條件做了大量試驗和重複驗證工作,克服了電極容易脫落這一難題。
士蘭明芯高亮度紅光芯片的各項參數指標已達到先進的水平,2009年7月份進入批量生產。現在生產的芯片尺寸規格有280um×280um、350um×350um兩種。
士蘭明芯藍、綠光LED芯xin片pian的de客ke戶hu一yi直zhi以yi來lai希xi望wang士shi蘭lan明ming芯xin能neng提ti供gong高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian以yi為wei他ta們men的de全quan色se模mo組zu配pei套tao,將jiang方fang便bian他ta們men的de采cai購gou和he質zhi量liang管guan理li。對dui士shi蘭lan明ming芯xin來lai說shuo,高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian的de推tui出chu除chu了le增zeng加jia一yi個ge新xin的de產chan品pin係xi列lie外wai,也ye將jiang有you利li於yu擴kuo大da現xian有you藍lan、綠光芯片的銷售。
- 不同熱膨脹係數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬,鍵合良率和可靠性得到保障
- 尺寸規格有280um×280um、350um×350um兩種
- 徹底解決了金屬反光特性這一問題
- 幕牆屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域
高亮度紅光LED芯片是一種亮度高、可靠性好的發光器件。相對於普通結構的紅光LED芯片,高亮度紅光芯片采用鍵合工藝實現襯底置換,用到熱性能好的矽襯底(矽的熱導率約為1.5W/K.cm)代替砷化镓襯底(砷化镓的熱導率約為0.8W/K.cm),芯片具有更低熱阻值,散熱性能更好,有利於提高可靠性。另外,在P-GaP上鍍反射層,比普通紅光外延層中生長DBR反fan射she鏡jing出chu光guang效xiao率lv更geng高gao。為wei了le克ke服fu光guang在zai芯xin片pian與yu封feng裝zhuang材cai料liao界jie麵mian處chu的de全quan反fan射she而er降jiang低di取qu光guang效xiao率lv,還hai在zai芯xin片pian製zhi作zuo一yi些xie表biao麵mian紋wen理li結jie構gou。相xiang同tong尺chi寸cun相xiang同tong波bo長chang的de芯xin片pian,20mA電流下,兩者光強相差兩倍以上,圖-1是高亮度紅光芯片剖麵示意圖。圖-2是芯片實物圖片.

圖-1 高亮度紅光芯片剖麵示意圖

圖-2 高亮度紅光芯片
高亮度紅光LED芯片因為本身發光效率高、可靠性好,主要應用於對亮度、可靠性要求較高的場合,比如幕牆屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域。之前由於普通紅光LED芯片亮度不夠,在由紅(R)綠(G)藍(B)組成的一個全色模組中通常的構成是一顆藍光芯片、一顆綠光芯片、兩顆普通紅光芯片。現在若使用高亮度紅光芯片則一顆就可滿足要求,而且可靠性高,維護成本明顯降低。
muqianshichangshangjiaoduodeshiputongjiegoudehongguangxinpian,jiageyijinghendi,lirunkongjianhenxiao。gaoliangduhongguangxinpianyoujiaodadeshichangxuqiu,youyuzaizhizaojishushangyouyidingdenandu,muqianzhiyoushaoshujijiagongsinengpilianggonghuo,chanpindexingjiabijiaogao。
2008年底士蘭明芯科技有限公司開始開發高亮度紅光芯片,技術團隊不斷調整試驗方案、優化工藝參數,使不同熱膨脹係數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬,鍵合良率和可靠性得到保障。
金屬反光特性一直是影響紅光芯片亮度的一個主要因素,通過大量試驗,已經徹底解決了這一問題。
發fa光guang二er極ji管guan的de電dian極ji合he金jin條tiao件jian不bu合he適shi會hui導dao致zhi金jin絲si鍵jian合he時shi電dian極ji脫tuo落luo,對dui於yu高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian而er言yan,電dian極ji合he金jin的de工gong藝yi要yao求qiu更geng高gao。為wei了le解jie決jue好hao電dian極ji和he紅hong光guang外wai延yan層ceng粘zhan附fu性xing問wen題ti,士shi蘭lan明ming芯xin的de技ji術shu團tuan隊dui在zai表biao麵mian處chu理li、合金層結構、合金條件做了大量試驗和重複驗證工作,克服了電極容易脫落這一難題。
士蘭明芯高亮度紅光芯片的各項參數指標已達到先進的水平,2009年7月份進入批量生產。現在生產的芯片尺寸規格有280um×280um、350um×350um兩種。
士蘭明芯藍、綠光LED芯xin片pian的de客ke戶hu一yi直zhi以yi來lai希xi望wang士shi蘭lan明ming芯xin能neng提ti供gong高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian以yi為wei他ta們men的de全quan色se模mo組zu配pei套tao,將jiang方fang便bian他ta們men的de采cai購gou和he質zhi量liang管guan理li。對dui士shi蘭lan明ming芯xin來lai說shuo,高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian的de推tui出chu除chu了le增zeng加jia一yi個ge新xin的de產chan品pin係xi列lie外wai,也ye將jiang有you利li於yu擴kuo大da現xian有you藍lan、綠光芯片的銷售。
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