我們知道繼電器要成功開啟，特別是高溫下是需要一定的電流的，由於高溫的影響，電阻增大，使得需要的啟動電壓也上升了。

 

因此一般可以得到溫度和電壓的圖

，如圖所示：

達林頓管的飽和電壓要比普通的三極管高一些.

因此RELAY供應商往往不推薦使用這樣的設計，如圖所示：

我不覺得上麵這個設計比前麵一個設計好多少

，不過如果這樣設計的話，問題可以解決一部分。

 

驅動電路的保護問題。

 

感性負載固有關斷有瞬態電壓的問題
，這個屢次經過計算。

 

加二極管續流的問題是以繼電器本身的壽命為代價的，這並不合算。如果不加續流二極管
，則需要考慮這部分能量怎麼瀉放的問題。

後三種方案可選擇，不過穩壓管最便宜，但是速度較慢。

 

三極管為什麼會壞？

 

三極管的軟擊穿。

 

對於集電極電壓超過V(BR)CEO而引起的擊穿，隻要外電路限製擊穿後的電流
，管子就不會損壞，待集電極電壓減小到小於V(BR)CEO後，管子也就恢複到正常工作，因此這種擊穿是可逆的

，不是破壞性的。

 

三極管的二次擊穿。

 

如ru果guo上shang述shu擊ji穿chuan後hou，電dian流liu不bu加jia限xian製zhi，就jiu會hui出chu現xian集ji電dian極ji電dian壓ya迅xun速su減jian小xiao，集ji電dian極ji電dian流liu迅xun速su增zeng大da的de現xian象xiang，通tong常chang將jiang這zhe種zhong現xian象xiang稱cheng為wei二er次ci擊ji穿chuan。發fa生sheng二er次ci擊ji穿chuan的de過guo程cheng是shi：結麵某些薄 弱(ruo)點(dian)上(shang)電(dian)流(liu)密(mi)度(du)增(zeng)大(da)
，引(yin)起(qi)這(zhe)些(xie)局(ju)部(bu)點(dian)的(de)溫(wen)度(du)升(sheng)高(gao)，從(cong)而(er)使(shi)局(ju)部(bu)點(dian)上(shang)電(dian)流(liu)密(mi)度(du)更(geng)大(da)，溫(wen)度(du)更(geng)高(gao)，如(ru)此(ci)反(fan)複(fu)作(zuo)用(yong)，最(zui)後(hou)導(dao)致(zhi)過(guo)熱(re)點(dian)的(de)晶(jing)體(ti)熔(rong)化(hua)，相(xiang)應(ying)在(zai)集(ji)射(she)極(ji)間(jian)形(xing)成(cheng)低(di) 阻通道
，導致vCE下降，iC劇增，結果是功率管尚未發燙就已損壞。因此二次擊穿是不可逆的
，是破壞性的。可見，二次擊穿是在高壓低電流時發生的
，相應的 功率稱為二次擊穿耐量。

 

最後一個問題是反接保護的問題。

 

這是一個討厭的問題，二極管的問題是壓降，如果使用PMOS或者NMOS呢，COIL的反電壓容易對PMOS產生影響，因此請大家慎重選擇反接保護電路。