交流 C-V 測試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界麵陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流 C-V 測試方式來評估新工藝，材料
， 器件以及電路的質量和可靠性等。比如在 MOS 結構中

， C-V 測試可以方便的確定二氧化矽層厚度 dox
、襯底 摻雜濃度 N、氧化層中可動電荷麵密度 Q1、和固定電 荷麵密度 Qfc 等參數。

 

C-V 測試要求測試設備滿足寬頻率範圍的需求，同時連線簡單
，係統易於搭建，並具備係統補償功能，以補償係統寄生電容引入的誤差。

 

進行 C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓
，同時利用一個交流信號進行測量。一般這類測量中使用的交流信號頻率在 10KHz 到 10MHz 之間。所加載的 直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流
，從而計算出不同電壓下的電容值。

在 CV 特性測試方案中，同時集成了美國吉時利公司源表（SMU）和合作夥伴針對 CV 測試設計的專用精 密 LCR 分析儀。源表 SMU 可以輸出正負電壓，電壓 輸出分辨率高達 500nV。同時配備的多款 LCR 表和 CT8001 直流偏置夾具
，可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻 率和正負 200V 電壓範圍內的測試範圍。

 

方案特點：

★包含 C-V（電容 - 電壓），C-T（電容 - 時間），C-F （電容 - 頻率）等多項測試測試功能，C-V 測試最 多同時支持測試四條不同頻率下的曲線

 

★測試和計算過程由軟件自動執行，能夠顯示數據和 曲線，節省時間

 

★提供外置直流偏壓盒，最高偏壓支持到正負 200V， 頻率範圍 100Hz - 1MHz。

 

★支持使用吉時利 24XX/26XX 係列源表提供偏壓

 

測試功能：

 

電壓 - 電容掃描測試

 

頻率 - 電容掃描測試

 

電容 - 時間掃描測試

 

MOS 器件二氧化矽層厚度、襯底摻雜濃度等參數的計算

 

原始數據圖形化顯示和保存

 

MOS 電容的 C-V 特性測試方案 

係統結構： 

 

係統主要由源表、LCR 表
、探針台和上位機軟件組成。 LCR 表支持的測量頻率範圍在 0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過偏置夾具盒 CT8001 加載在待測件上。

 

LCR 表測試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電 流，在 LCUR 端測試電流，同時在 HPOT 和 LPOT 端 測量電壓值。電壓和電流通過鎖相環路同步測量

，可 以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息
，繼而可以推算出交流阻抗參數。

 

 

 

典型方案配置：

 

 

 

係統參數： 

下表中參數以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表組成的 C-V 測試係統為例：

 

 

安泰測試已為西安多所院校
、企qi業ye和he研yan究jiu所suo提ti供gong吉ji時shi利li源yuan表biao現xian場chang演yan示shi，並bing獲huo得de客ke戶hu的de高gao度du認ren可ke
，安an泰tai測ce試shi將jiang和he泰tai克ke吉ji時shi利li廠chang家jia一yi起qi，為wei客ke戶hu提ti供gong更geng優you質zhi的de服fu務wu和he全quan麵mian的de測ce試shi方fang案an，為wei客ke戶hu解jie憂you。