在嵌入式電路中經常使用IO口來控製某些電路的開關功能
，此時三極管可作為開關器件來使用。作為開關器件使用時需使用開關三極管如9014和9015等小功率器件
，此時三極管處於飽和狀態。現舉一例來說明該類電路特點：

為仿真電路圖不是很完整，該電路為晶振關閉功能電路，其中VO接MCU晶振輸入端如（XIN）。

 

若Q1和Q3基極同時為低時，Q2導通而使得VO為0造成晶振停振關閉處理器。我們分析R3和R4（實際電路470K）使得Q2和Q3處於飽和態;Q3 為Q1集電極負載，調整R5阻值時可控製Q1處於飽和態或放大態。要使Q2基極導通必須使Q1提供足夠大電流才滿足條件，隻有Q1處於放大態才滿足條件;

 

R5=100K時，仿真圖如下：

R5=470K時，仿真圖如下：

通過以上分析可以得出隻有當電流足夠大時才能使Q2導通而關閉晶振，以上是一個較複雜的組合開關電路。

 

在(zai)嵌(qian)入(ru)式(shi)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)中(zhong)
，很(hen)少(shao)使(shi)用(yong)到(dao)功(gong)率(lv)放(fang)大(da)電(dian)路(lu)，昨(zuo)天(tian)將(jiang)大(da)學(xue)模(mo)電(dian)教(jiao)材(cai)晶(jing)體(ti)管(guan)內(nei)容(rong)通(tong)讀(du)後(hou)有(you)所(suo)感(gan)悟(wu)
，雖(sui)然(ran)當(dang)時(shi)模(mo)電(dian)自(zi)認(ren)為(wei)學(xue)的(de)不(bu)錯(cuo)但(dan)重(zhong)讀(du)之(zhi)後(hou)才(cai)發(fa)現(xian)當(dang)時(shi)隻(zhi)是(shi)死(si)記(ji)硬(ying)背(bei)而(er)沒(mei)有(you)真(zhen)正(zheng)領(ling)悟(wu)。

 

靜態工作點不但決定是否會失真，而且還影響電壓放大倍數、輸(shu)入(ru)電(dian)阻(zu)等(deng)動(dong)態(tai)參(can)數(shu)。然(ran)而(er)在(zai)實(shi)際(ji)電(dian)路(lu)中(zhong)由(you)於(yu)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)的(de)變(bian)化(hua)而(er)使(shi)得(de)靜(jing)態(tai)工(gong)作(zuo)點(dian)補(bu)穩(wen)定(ding)，從(cong)而(er)使(shi)得(de)動(dong)態(tai)參(can)數(shu)不(bu)穩(wen)定(ding)，更(geng)嚴(yan)重(zhong)可(ke)能(neng)造(zao)成(cheng)電(dian)路(lu)不(bu)能(neng)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo);在所有環境因素中，溫度對動態參數的影響是最大的。

 

當溫度升高時
，晶體管放大倍數變大且ICE明顯變大。以共射極電路為例

，當溫度升高時將使Q點向飽和區域移動;當溫度降低時將使Q點向截止區域移動。

 

下圖是典型的靜態工作點電路

圖AB均有相同的等效直流電路。為了穩定Q工作點，通常要滿足I1》》IBQ而使得

 

VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1

 

通過這樣設計使得無論環境溫度怎麼變化，VBQ將基本保持不變。

 

當溫度升高時ICE變大
，而使得VEQ變大，因VBE=VBQ – VEQ所以VBE將變小;由於VBE變小故IBE也將變小，從而ICE將變小。

 

RE的使用將直流負反饋引入使得Q工作點越穩定

，一般而言是反饋越強，Q點越穩定。

 

其他穩定Q工作點電路

以上為利用二極管方向特性和正向特性進行溫度補償的電路。

 

對圖A而言
，因為IRB=ID+IBE

，當溫度上升時ICE和ID變大（方向電流隨溫度升高變大），這樣將使得IBE減小而造成ICE減小。