congshidianyuanshejidepengyoukendingdoujiechuguoyunsuanfangdaqi，zaiyunsuanfangdaqideshuomingshudangzhong，youxiecanshudebiaozhurangrenkanzhebingbunamemingqueqihanyi。biruyouxiecanshubingbunengyongzuidahuozhezuixiaolaijinxingguifan。suoyiyoushibudebuyikaoguifanbiaohuozhedianxingxingnengtubiaozhongdedianxingzhilaizuoweicankao，na“典型值”的含義是什麼，其範圍又是多大呢？

 

要想回答這個問題並不容易，它取決於具體的規範。下麵，我們對容易引起疑問的3個特性進行逐一說明：

 

圖1

 

運算放大器的增益帶寬積（GBW）主要由輸入級電流和片上電容值控製。這兩個變量的變化
，可產生的GBW變化範圍為±20%左右。看起來，這是一個比較寬的範圍，但是通過選擇一個大裕量的運算放大器
，卻可以更加輕鬆地進行大範圍GBW設計。如果必要，可以利用一些反饋組件
，對應用的閉環帶寬進行控製。請注意，在開環增益/相位圖(請參見圖1)上
，這種變化看起來非常的小。

 

 

受到諸如帶寬
、內部電流和電容等相同變量的影響。通常，選擇比最低需求速度高20%的de運yun算suan放fang大da器qi便bian已yi足zu夠gou。或huo者zhe希xi望wang在zai一yi些xie重zhong要yao的de應ying用yong中zhong擁yong有you更geng多duo的de裕yu餘yu量liang。大da多duo數shu應ying用yong並bing不bu會hui將jiang放fang大da器qi推tui高gao至zhi其qi轉zhuan換huan率lv極ji限xian值zhi附fu近jin，因yin此ci這zhe樣yang做zuo並bing無wu問wen題ti。

 

圖2

 

放大器的寬帶或者平帶電壓噪聲主要取決於一個或者多個輸入級晶體管的電流。大電流會以一種平方根的方式降低噪聲。因此20%的電流變化，可帶來約10%的平帶噪聲密度變化（請參見圖2）。

 

低頻1/f噪聲（也稱作閃爍噪聲）是另一回事，它的變化範圍更大。1/f區的噪聲振幅在約3：1範圍變化。JFET和CMOS製作工藝的差異可能稍大一些。該噪聲區域決定低頻帶（通常規定為0.1到10Hz）的峰值到峰值噪聲大小。

 

的確存在一些較好的指導原則，但卻無法詳細說明放大器設計和所用IC工藝的確切變化範圍。但是
，有一些資料總比沒有強
，並且大多數設計都可以較好地適應這些估計差異。

 

適合於應用的裕量，可能會隨設計的設備（也可能是您正進行的終端產品測試）類型而變化。裕量與規範不符會影響設計針對的目標餘量。這種“工程判斷”是良好模擬設計的一個重要因素。