正弦半波脈衝電流的產生

二極管的規格繁多，常見的額定通態電流從數百毫安到數百安培甚至更高，IFSM測試需要的峰值脈衝電流要求達到數十倍的額定通態電流值。標準的測試方法是采用大容量工頻變壓器
，截取市電交流波形來產生時間常數為10ms、導通角為0°～180°的正弦半波脈衝，如圖1。


yongzhezhongfangfachanshengjibaishangqiananpeidezhengxianmaichongdianliu

，suoyongdaodebianyaqitijizhongliangdoufeichangkeguan，anzhuangyushiyongshifenbubian。yixieguowaigongsidechanpinduilangyongchongjidianliuboxingyouteshuyaoqiu，biruyaoqiuzaizhengxiangzhengliudianliudejichushangzaijiayigeshijianchangshuwei10ms或8.3ms
、導通角為0°～180°的正弦半波脈衝電流

，或者要求施加連續兩個時間常數為10ms或8.3ms、導通角為0°～180°的正弦半波脈衝電流等。顯然再采用市電截取的方法，已經很難滿足不同器件的測試要求了。

設計思路

大功率場效應管晶體管是一類標準的電壓控製電流器件，在VDMOS管的線性工作區內，漏極電流受柵極電壓控製：IDS=GFS*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形
，在漏極就會輸出相應的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用於實現所需的浪湧電流波形，電路形式如圖2所示。


運放組成基本的反向運算電路，驅動VDMOS管的柵極

，漏源電流通過VDMOS管源極取樣電阻，加到運放反向輸入端
，與輸入波形相加形成反饋
，運放輸出電壓控製VDMOS管的柵極電壓VGS，進而控製漏極輸出電流IDS。這個IDS就是施加給待測二極管（DUT）的正向浪湧電流。

單隻VDMOS管guan的de功gong率lv和he電dian流liu放fang大da能neng力li是shi有you限xian的de

，無wu法fa達da到dao上shang千qian安an培pei的de輸shu出chu電dian流liu能neng力li，采cai用yong多duo隻zhi並bing聯lian的de方fang式shi可ke以yi解jie決jue這zhe個ge問wen題ti，以yi達da到dao所suo需xu要yao的de峰feng值zhi電dian流liu。常chang見jian的de連lian接jie方fang法fa如ru圖tu3所示。


本(ben)測(ce)試(shi)方(fang)案(an)采(cai)用(yong)了(le)成(cheng)熟(shu)的(de)電(dian)路(lu)控(kong)製(zhi)技(ji)術(shu)
，簡(jian)潔(jie)而(er)有(you)效(xiao)地(di)實(shi)現(xian)了(le)各(ge)種(zhong)浪(lang)湧(yong)衝(chong)擊(ji)測(ce)試(shi)的(de)要(yao)求(qiu)。使(shi)用(yong)的(de)都(dou)是(shi)常(chang)規(gui)易(yi)得(de)的(de)元(yuan)器(qi)件(jian)，組(zu)建(jian)的(de)裝(zhuang)置(zhi)體(ti)積(ji)小(xiao)重(zhong)量(liang)輕(qing)
，可(ke)以(yi)很(hen)方(fang)便(bian)地(di)安(an)裝(zhuang)在(zai)普(pu)通(tong)儀(yi)器(qi)箱(xiang)中(zhong)
，成(cheng)為(wei)一(yi)件(jian)標(biao)準(zhun)測(ce)試(shi)儀(yi)器(qi)。具(ju)有(you)使(shi)用(yong)靈(ling)活(huo)、易操作，測試精準度高，安全可靠等特點。

相關閱讀：

選錯低壓直流轉換二極管，燒毀IC的罪魁禍首！
電路突擊：優化設計光電二極管傳感器電路
二極管動態電阻≠直流電阻，不要傻傻分不清楚