“全線曝光”剖析雙變換不間斷電源中的全橋IGBT
發布時間:2014-11-05 責任編輯:echolady
【導讀】隨著科技的發展,各種各樣的電源接踵而至。不間斷電源在信息和數據保護設備中廣泛應用。不間斷電源的發展與IGBT,Power MOSFET等電力電子器件密不可分。帶輸出變壓器的雙變換電路在拓撲電路中是應用最廣泛的。
但即便是經典,也在近幾年的科技衝擊下逐漸顯示出劣勢,相較於大熱的高頻鏈雙變換UPS,傳chuan統tong的de雙shuang變bian換huan電dian路lu結jie構gou的de缺que點dian已yi經jing逐zhu漸jian暴bao露lu出chu來lai,但dan是shi依yi賴lai其qi成cheng熟shu的de技ji術shu,幾ji乎hu工gong業ye化hua的de標biao準zhun模mo塊kuai式shi結jie構gou和he很hen高gao的de可ke靠kao性xing,使shi它ta在zai市shi場chang擁yong有you的de份fen額e並bing沒mei有you減jian小xiao,而er且qie產chan量liang越yue來lai越yue大da,迫po使shi各ge大daUPS廠(chang)商(shang)尋(xun)找(zhao)新(xin)的(de)技(ji)術(shu),以(yi)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv),降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)。尤(you)其(qi)效(xiao)率(lv)的(de)提(ti)高(gao),能(neng)有(you)效(xiao)地(di)減(jian)小(xiao)散(san)熱(re)器(qi)尺(chi)寸(cun),減(jian)少(shao)後(hou)備(bei)電(dian)池(chi)容(rong)量(liang),減(jian)小(xiao)充(chong)電(dian)器(qi)功(gong)率(lv),明(ming)顯(xian)減(jian)小(xiao)整(zheng)機(ji)體(ti)積(ji)重(zhong)量(liang)。如(ru)果(guo)10KVA UPS的8小時機型,提高2%的整機效率,可以減少使用相當12V 6.5AH電池20多節。
雙變換UPS 的應用

圖1:典型的雙變換UPS
由於使用IGBT,逆變器一定會采用SPWM技術,且盡量提高調製頻率來減小輸出諧波分量,但是由於考慮IGBT的開關損耗,合理的調製頻率在8~10kHz。如果直接采用全橋式單極性調製方式,逆變變壓器有8~10kHz的諧波分量,會有明顯的可聞運行噪聲,如果進一步提高調製頻率到20kHz可消除可聞運行噪聲,在目前技術條件下,無論選用何種芯片技術的IGBT,都會明顯增加開關損耗,整機效率降低,這是不可取的。
現有的倍頻式PWM調製技術就能很好的解決這一問題,隻要采用兩個反向的三角波,分別調製Q1和Q4,Q2和Q3,就能使輸出的調製頻率翻倍。這樣一來就能保證IGBT 工作在最理想的狀態,同時滿足整機設計要求。
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實例解析

圖2:半橋臂工作情況
在常見的采用半橋IGBT模塊並用並行直流母線連接的UPS設計,為了保護IGBT,使其工作在安全工作區RBSOA內,一般需要采用複雜的吸峰電路。成本高,且要消耗不少能量,有一典型的用於10kVA UPS逆變回路吸峰電路,需要80×80風扇冷卻,這是UPS逆變電路亟待改進的地方。
產生ΔV原因可以從下式可以看出:ΔV=-Lσ×di/dt,其與IGBT電流下降速率和回路的電感成正比。要減小尖峰電壓,可以減小電流下降速率,就是通常說的關斷比較軟,但是會增加損耗;另一方法是減小電感,這個電感就是寄生電感。
從原理上說寄生電感與回路包圍的麵積有關,在設計中,應該選用適當的低電感器件,而且器件布局盡量緊湊。那麼如何在UPS設計中減小寄生電感,廢除耗能的吸峰電路,降低成本,這是UPS設計者關心的問題。
目前UPS逆變器的功率管采用的是IGBT半橋功率模塊,如EUPEC的BSM200GB60DLC。這些IGBT都采用了雙極型三極管模塊的封裝。其體積大,成本高,自身的寄生電感也大。
在IGBT發明時,在第一代IGBTkaiguansudubutaikuaideqiantixia,changshangcaiyongshuangjixingsanjiguanmokuaidefengzhuangguojigongyebiaozhun,keyishideyonghuzaibugaibianzhengjijiegoudeqingkuangxia,fangbianqudaishuangjixingsanjiguanmokuai,qibushiweiyigehenhaodexuanze。
結果是UPS廠商的逆變功率模塊也始終按雙極型三極管的半橋模塊設計,這樣一來引進比模塊本身更大的寄生電感。寄生電感會在IGBT關斷的過程中形成很大的尖峰電壓。尤其當今IGBT的開關速度已很高了。
那麼如何來減小寄生電感是一個IGBT應用關鍵技術,最有效的方法是把並行母線改為疊層母線,減小回路包圍的麵積。對於並行母線,其母線寬度與母線距離之比a/b>1,其寄生電感Lσ>300nH,而疊層母線很容易做到a/b<0.01,這樣寄生電感Lσ僅為20~30nH,考慮其它因素,寄生電感Lσ實際可以控製在100nH以下。
封裝的改進
為了使這一技術實用化,EUPEC公司在1994年製定了一種IGBT國際工業標準化的封裝,即Econo,它是第一個IGBT的封裝。Econo有兩種封裝尺寸,即Econo2和Econo3,見(圖3)。現有的主要產品是用於逆變器三相全橋模塊。最近EUPEC推出單相全橋模塊 Econo FourPACK ,其600V係列是專為UPS設計的,包括以下幾種常用型號,見表1:

結語
本文剖析了雙變換UPS不間斷電源中的全橋IGBT,這種設計方案能夠大大提高整體性能,降低了成本。希望讀者閱讀完本文後,能夠對全橋IGBT有係統的理解。
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