霍尼韋爾半導體封裝新材料,顯著減少軟錯誤故障頻率
發布時間:2014-03-04 來源:霍尼韋爾 責任編輯:xueqi
【導讀】霍尼韋爾最新推出半導體封裝新材料,它擁有專利技術的RadLo™低α粒子電鍍陽極,顯著減少由α粒子引起的軟錯誤故障頻率。新電鍍陽極是RadLo產品係列的擴充,它采用了霍尼韋爾專利的量測和精製技術,用於半導體封裝晶圓突塊工藝。
霍尼韋爾(紐約證券交易所代碼:HON)今天宣布,推出基於霍尼韋爾專利技術的新型RadLo™ 低α 粒子電鍍陽極產品,幫助降低由於α 粒子放射而引起的半導體數據錯誤發生率。
新電鍍陽極是RadLo產品係列的擴充,它采用了霍尼韋爾專利的量測和精製技術,用於半導體封裝晶圓突塊工藝。
“我們已經通過一些主要的分包商開始批量生產新型低α 粒子電鍍陽極產品,同時也已在OEM設備廠商完成了認證程序。”霍尼韋爾電子材料先進金屬和聚合物業務產品總監克裏斯•李(Chris Lee)表示,“新產品能夠迅速獲得認證和采用表明我們的產品能滿足客戶的關鍵需要,幫助他們解決所麵臨的技術挑戰和難題。”
半導體封裝材料中的α粒子放射會引起存儲單元中的數據錯誤並造成軟錯誤,最終導致手機、平板、服務器、youxijiyijiqitazhongduanshebeideyunxingguzhang。suizhebandaotichicundebuduanjianxiaoyijigongnengxuqiudebuduanzengjia,xinpianduiruancuowudemingandubuduantigao。weileyouxiaojiejuezhegewenti,bandaotifengzhuangcailiaodeshejirenyuanxuyaojiezhudiα 粒子放射的材料,例如霍尼韋爾RadLo係列產品。
在極低的α 粒子放射層級中,由於雜質及宇宙射線等背景放射物的影響,測量α射線通量非常困難。為解決這一問題,霍尼韋爾采取了嚴格的量測和程序控管。
隨(sui)著(zhe)半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)業(ye)倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)片(pian)封(feng)裝(zhuang)的(de)發(fa)展(zhan),使(shi)用(yong)電(dian)鍍(du)的(de)晶(jing)圓(yuan)凸(tu)塊(kuai)工(gong)藝(yi)變(bian)得(de)日(ri)益(yi)普(pu)遍(bian)。霍(huo)尼(ni)韋(wei)爾(er)憑(ping)借(jie)自(zi)身(shen)的(de)獨(du)特(te)優(you)勢(shi),為(wei)晶(jing)圓(yuan)突(tu)塊(kuai)工(gong)藝(yi)提(ti)供(gong)高(gao)純(chun)度(du)等(deng)級(ji)的(de)電(dian)鍍(du)陽(yang)極(ji)(>99.99% ),包括低α鉛(Pb)、低α錫(Sn)以及低α銅(Cu)等。我們提供多種α粒子放射等級,包括每平方厘米每小時小於0.002次的含錫陽極靶材。
欲了解更多關於霍尼韋爾RadLo低α粒子材料的信息,請訪問www.honeywell-lowalpha.cn。
除低α粒子材料外,霍尼韋爾的半導體製造產品還包括微電子聚合物、電子化學品以及其他的先進材料。同時,霍尼韋爾金屬材料業務包括一係列廣泛產品,例如物理氣相沉積靶材(PVD)和線圈組、貴金屬熱電偶以及熱管理和電子互聯材料等等。
更多信息或谘詢霍尼韋爾代表,請訪問www.honeywell-pmt.com/sm/em/。
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