羅德與施瓦茨和高通成功演示了高通最新的Gobi芯片組的能力，其可以完美支持LTE category 6 全部協議棧數據吞吐量測試。這一裏程碑為移動運營商推進LTE-A載波聚合的商業化指明了方向。

結果表明
，Gobi 9x35芯片組不僅可以支持兩個載波聚合（每20MHz的帶寬），在下行鏈路可以達到300 Mbps數shu據ju傳chuan輸shu速su率lv，還hai具ju有you非fei凡fan的de穩wen定ding性xing。基ji於yu該gai芯xin片pian組zu用yong戶hu設she備bei將jiang使shi已yi經jing獲huo得de額e外wai的de頻pin譜pu資zi源yuan的de移yi動dong運yun營ying商shang在zai未wei來lai可ke以yi為wei用yong戶hu提ti供gong更geng高gao的de峰feng值zhi傳chuan輸shu速su率lv。有you了le這zhe樣yang的de成cheng就jiu，羅luo德de與yu施shi瓦wa茨ci和he高gao通tong將jiang會hui使shi整zheng個ge產chan業ye鏈lian受shou益yi，加jia快kuaiLTE-Advanced載波聚合功能的商業化進程。

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，在category4下
，可以達到150Mbps的下行速率。支持Cat6的終端可以使這一數值翻倍，即300Mbps。

目前羅德與施瓦茨公司提供LTE FDD 和LTE TDD 模式LTE-Advance下行載波聚合的射頻測試和協議測試解決方案
，並在2014年世界移動通信大會6號館C40展台進行了展示。