Vishay推出低至20mΩ導通電阻的P溝道高邊負載開關
發布時間:2013-05-06 責任編輯:felixsong
【導讀】近日,Vishay推出可在1.5V~5.5V電壓下工作的新款上升斜率控製的P溝道高邊負載開關---SiP32458和SiP32459,在3.3V和5V下的導通電阻為20mΩ,將4.5V下的導通電壓上升斜率控製在3ms,限製使用容性或噪聲敏感負載的設計方案的湧入電流。
Vishay推出可在1.5V~5.5V電壓下工作的新款上升斜率控製的P溝道高邊負載開關---SiP32458和SiP32459。這兩款器件均具有一個集成的可提供穩定的20mΩ低導通電阻,同時保持低靜態電流的柵極泵。器件采用小尺寸6凸點晶圓級CSP封裝(WCSP6),將4.5V下的導通電壓上升斜率控製在3ms,限製使用容性或噪聲敏感負載的設計方案的湧入電流。
SiP32458和SiP32459突破技術
為實現更高的效率,今天發布的負載開關在1.5V、1.8V電壓下的開關導通電阻為30mΩ和26mΩ,在3.3V和5V下的導通電阻為20mΩ。兩款開關支持3A的連續電流,低至4.2µA的靜態電流使電池供電設備的工作時間更長。在禁用的情況下,SiP32458提供一個反向阻斷電路,防止大電流流入電源;SiP32459集成了一個輸出放電開關,當負載開關禁用時,這個放電開關使負載能夠快速放電。
SiP32458和SiP32459的WCSP6封裝具有1mm x 1.5mm的小占位,節距0.5mm,在頂側進行層壓,以增強機械耐用性。為了節省空間,負載開關采用較低的輸入邏輯控製閾值電壓,能夠直接連接低電壓I/O管腳,不需要外部的電平轉換電路或更高電壓的柵極驅動器。這兩款器件在控製邏輯的EN腳上都提供集成的2.8MΩ下拉電阻。

圖示:Vishay推出的SiP32458
SiP32458和SiP32459適用範圍
SiP32458和SiP32459可用於智能手機、GPS設備、數碼相機、媒體播放器、筆記本電腦和平板電腦等便攜式電子產品,遊戲機、醫療和保健設備,以及工業儀表中的負載切換。器件符合RoHS,無鹵素。
Vishay推出的SiP32458和SiP32459P溝道高邊負載開關,具有極低的導通電阻,導通電壓上升斜率為3ms,節距隻有0.5mm,不僅節省了空間還增強了機械耐用性,可以廣泛適用於各個領域。
供貨信息
SiP32458和SiP32459現可提供樣品,並已實現量產,供貨周期為十二周。
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精確測量功率MOSFET的導通電阻
http://m.0-fzl.cn/cp-art/80013072
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