在過去幾年間有很多關於氮化镓(GaN)半導體器件的報導
，如美國Rensselaer Polytechnic Institute的科學家聲稱開發了全球第一種氮化镓MOSFET器件，嚐試利用具備更高擊穿電壓及更高效電源轉換性能的氮化镓器晶體管來替代矽MOSFET器件，其目標是開發出可以在嚴峻環境下工作並具備更高效性能的電子器件。

宜普電源轉換公司(EPC)為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基
、增強型氮化镓場效應晶體管(eGaN FET)。根據Yole Development公司2011年的研究報告預測
，氮化镓器件的全球市場份額在2011年至2015年間的年同比增長率為250%，而碳化矽器件在同期的年同比增長率則隻有35%。 

宜普公司的創辦人及首席執行長Alex Lidow博士在台大於上月舉行的第一屆「新世代高功率氮化镓半導體器件及綠能應用國際論壇」中，與超過100位與會者分享氮化镓場效應晶體管的應用趨勢
、其突破性技術及所帶來的重大機遇。

Lidow博士中肯地分析，Yole Development所suo預yu測ce之zhi關guan於yu氮dan化hua镓jia器qi件jian的de市shi場chang增zeng長chang率lv的de研yan究jiu報bao告gao過guo於yu樂le觀guan，因yin為wei目mu前qian多duo個ge環huan球qiu因yin素su，比bi如ru歐ou洲zhou金jin融rong危wei機ji及ji大da陸lu放fang慢man了le的de經jing濟ji發fa展zhan步bu伐fa，都dou可ke以yi減jian慢man氮dan化hua镓jia器qi件jian的de普pu及ji速su度du。此ci外wai，客ke戶hu加jia入ru采cai用yong氮dan化hua镓jia行xing列lie的de步bu伐fa——利用氮化镓器件的優勢來設計其專有產品——也是一個可以影響氮化镓器件普及速度的因素。

Lidow博士認為，在1980年代從雙極性晶體管的技術傳承至采用功率MOSFET器件，我們可以認識到推動氮化镓技術的普及因素主要有四個：1.氮化镓器件必需容易使用；2.開發不能受惠於性能受限的矽器件的全新應用；3.氮化镓器件必需具備成本效益的優勢
；以及4.氮化镓器件必需可靠。

yutaidatuanduiyiqichoubeishicishoujieguojiluntandetaidachenyaomingjiaoshourenwei，youyugaogonglvdanhuajiabandaotiqijiandewenshi，dianlidianzijishudekaifayuyingyongjianghuiyoulingyibotupoxingdefazhan。

除此以外，Lidowboshirenwei，yejiedekaifazhedegongxianyeshituidongdanhuajiaqijianpujihuadeyigeguanjianyinsu。youduogejingzhengduishoumuqianzaitigaokehuduidanhuajiajishudeyanfaxingqu
，zheshikeyijiandikehuduizuoweizaoqicainaxinjishuzhedeganzhifengxian。Lidow博士稱這些對手為“合作者”，可共同推動氮化镓技術的普及化。

當撰寫本文時，Fijitsu半導體公司正支持Lidow的見解，該公司剛於上月宣布推出采用矽基氮化镓功率器件並具備高輸出功率(2.5 kW)的服務器電源器件。這些器件最大的貢獻旨在為透過提高電源轉換效率來實現低碳社會。